置，并由平放式轉(zhuǎn)換成垂直式放置，所述光波分復(fù)用/解復(fù)用的組件結(jié)構(gòu)可有效的減小封裝空間，使得產(chǎn)品微型化。
[0033]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述射頻過(guò)渡塊5上用于和所述ro陣列芯片6貼合的面，以及用于和直流過(guò)渡塊4貼合的面均鍍金。上述鍍金連接方式可以改善ro陣列芯片6的散熱。
[0034]在具體使用環(huán)境中，所述射頻過(guò)渡塊5為所述ro陣列芯片6提供偏置電壓和高頻調(diào)制信號(hào)。
[0035]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述射頻過(guò)渡塊5和所述直流過(guò)渡塊4的外殼均采用氮化鋁材料。
[0036]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述ro陣列芯片6金屬管殼I對(duì)應(yīng)管腳之間采用金絲鍵合的方式進(jìn)行連接。
[0037]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述射頻過(guò)渡塊上用于鍍金的面上設(shè)有至少一個(gè)凹形槽。
[0038]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述ro陣列芯片的封裝結(jié)構(gòu)還包括熱沉的鎢銅，所述熱沉的鎢銅設(shè)于所述金屬管殼底面上，所述鎢銅上方固定有直流過(guò)度塊4和波分復(fù)用/解復(fù)用組件2，所述的ro陣列(array)芯片(6)和波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)采用無(wú)源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)由鎢銅熱沉方式固定，
[0039]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，其中，所述直流過(guò)度塊4和波分復(fù)用/解復(fù)用組件2均采用紫外膠粘接技術(shù)固定于鎢銅熱沉上。
[0040]結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例，存在一種優(yōu)選的實(shí)現(xiàn)方案，如圖3所示，其中，所述平面光波導(dǎo)集成波分復(fù)用芯片的輸出波導(dǎo)(121，122，123，124……)與所述光探測(cè)器芯片陣列光敏面(21，22，23，24……)具有相同的通道數(shù)和通道間隔。
[0041]在具體使用中，所述光纖組件與所述波分復(fù)用/解復(fù)用單元位于同一直線上，以使得光路可通過(guò)。如圖4所示，光路部分采用的是芯片直接對(duì)準(zhǔn)波分復(fù)用/解復(fù)用單元在到光纖組件的結(jié)構(gòu)，從光纖組件通過(guò)的多路光信號(hào)λ?、λ2、λ3、λ 4經(jīng)過(guò)波分復(fù)用/解復(fù)用器的公共端口 14解復(fù)用到λ?，λ 2，λ 3，λ 4四個(gè)端口，再通過(guò)H)芯片對(duì)應(yīng)4個(gè)通道(121/122/123/124)進(jìn)行接收，從而實(shí)現(xiàn)從光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
[0042]平面光波導(dǎo)集成波分復(fù)用/解復(fù)用芯片能在芯片級(jí)上實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)的復(fù)用/解復(fù)用功能，用它來(lái)取代空間光學(xué)濾光片，不僅避免了繁雜的空間光學(xué)裝配，更提高光路可靠性與穩(wěn)定性。另一方面將光波導(dǎo)集成波分復(fù)用芯片的輸出端面加工成斜8°能有效的減小反射，PDarray芯片和波分復(fù)用/解復(fù)用組件通過(guò)特定的精度使其采用無(wú)源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)固定于鎢銅熱沉上。
[0043]綜上所述，用平面光波導(dǎo)集成波分復(fù)用/解復(fù)用結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有的濾光片波分復(fù)用/解復(fù)用結(jié)構(gòu)不僅解決現(xiàn)有方案器件所面臨的封裝空間大、工藝復(fù)雜、可靠性的問(wèn)題，同時(shí)通過(guò)特性設(shè)計(jì)采用無(wú)源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)取代原有方案有源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，使得器件實(shí)現(xiàn)可批量生產(chǎn)化。
[0044]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于，組件包括金屬殼體(I)、波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)、光纖組件(3)、直流過(guò)渡塊(4)、射頻過(guò)渡塊(5)和ro陣列芯片(6)，具體的: 所述波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)、直流過(guò)渡塊(4)、所述射頻過(guò)渡塊(5)和所述H)陣列芯片(6)設(shè)置在所述金屬管殼(I)內(nèi)； 所述直流過(guò)渡塊(4)與所述射頻過(guò)渡塊(5)以相對(duì)于金屬殼體底面以前后關(guān)系連接； 所述光纖組件(3)設(shè)與金屬管殼的外壁上，并與所述波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)連通；所述H)陣列芯片(6)與射頻過(guò)渡塊(5)通過(guò)濺射有金錫焊料實(shí)現(xiàn)貼合，其中，所述射頻過(guò)渡塊和所述H)陣列芯片相對(duì)于金屬殼體底面以垂直方式固定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于:所述射頻過(guò)渡塊(5)上用于和所述H)陣列芯片(6)貼合的面，以及用于和直流過(guò)渡塊(4)貼合的面均鍍金。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于，所述射頻過(guò)渡塊(5)和所述直流過(guò)渡塊(4)的外殼均采用氮化鋁材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于，所述H)陣列芯片(6)金屬管殼(I)對(duì)應(yīng)管腳之間采用金絲鍵合的方式進(jìn)行連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于:所述射頻過(guò)渡塊上用于鍍金的面上設(shè)有至少一個(gè)凹形槽。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于:所述ro陣列芯片的封裝結(jié)構(gòu)還包括熱沉的鎢銅，所述熱沉的鎢銅設(shè)于所述金屬管殼底面上，所述鎢銅上方固定有直流過(guò)度塊(4)和波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于，所述直流過(guò)度塊(4)和波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)均采用紫外膠粘接技術(shù)固定于鎢銅熱沉上。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，其特征在于，所述ro陣列芯片(6)和波分復(fù)用/解復(fù)用組件(2)之間采用無(wú)源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)由鎢銅熱沉方式固定。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及光通信領(lǐng)域，提出了一種光波分復(fù)用/解復(fù)用的封裝組件，組件包括金屬殼體、波分復(fù)用/解復(fù)用組件、光纖組件、直流過(guò)渡塊、射頻過(guò)渡塊和PD陣列芯片，具體的：波分復(fù)用/解復(fù)用組件、直流過(guò)渡塊、射頻過(guò)渡塊和PD陣列芯片設(shè)置在金屬管殼內(nèi)；直流過(guò)渡塊與射頻過(guò)渡塊以相對(duì)于金屬殼體底面以前后關(guān)系連接；光纖組件設(shè)與金屬管殼的外壁上，并與波分復(fù)用/解復(fù)用組件連通；PD陣列芯片與射頻過(guò)渡塊通過(guò)濺射有金錫焊料實(shí)現(xiàn)貼合，其中，射頻過(guò)渡塊和PD陣列芯片相對(duì)于金屬殼體底面以垂直方式固定。本實(shí)用新型實(shí)施例所述光波分復(fù)用/解復(fù)用的組件結(jié)構(gòu)可有效的減小封裝空間，使得產(chǎn)品微型化。
【IPC分類】G02B6/42, G02B6/293
【公開(kāi)號(hào)】CN205176331
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520774577
【發(fā)明人】成璇璇, 董旭光, 翟宇佳, 朱虎, 李鳳, 馬衛(wèi)東
【申請(qǐng)人】武漢電信器件有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年10月8日