對難以提高布線密度的布線層LI上的布線WLl的數量多。
[0157]如圖6及圖10所示，本實施方式的顯示裝置所具有的引出布線部LD(參照圖6)具有由布線層Ll(參照圖10)及布線層L2(參照圖10)構成的多個布線層。另外，在布線層LI上形成有布線寬度為Wl的多根布線WLl，在布線層L2上形成有比布線寬度Wl窄的布線寬度為W2的多根布線WL2。也就是說，布線層L2與布線層LI相比，是相對易于提高布線密度的布線層。如上述那樣，在多個布線層上形成有布線寬度不同的多根布線WLl及多根布線WL2這一方面與圖8及圖9所示的顯示裝置LCD3相同。
[0158]另外，在圖8及圖9所示的顯示裝置LCD3的情況下，由于布線WLl和布線WL2交替排列，所以布線WLl的數量和布線WL2的數量相同。另一方面，在圖6及圖10所示的顯示裝置LCDl的情況下，在俯視觀察時，在相鄰的布線WLl之間形成有多根(在圖6中為兩條)布線WL2。因此，圖10所示的形成在布線層L2上的多根布線WL2的數量比形成在布線層LI上的多根布線WLl的數量多。也就是說，在本實施方式的顯示裝置LCDl中，由于形成在相對易于提高布線密度的布線層L2上的布線WL2的數量比形成在相對難以提高布線密度的布線層LI上的布線WLl的數量多，所以能夠提高多根布線WL的布線密度。
[0159]在圖10所示的例子中，只要布線WL2的布線寬度W2為1.8μπι且布線層L2的布線間距離為例如2.5μπι以上即可。另一方面，只要布線WLl的布線寬度Wl為4.2μπι且布線層LI的布線間距離為例如5.1mi以上即可。但是，在圖10所示的例子中，在俯視觀察時，為了在相鄰的布線WLl之間排列兩根布線WL2，而使布線層LI的布線間距離為7.Ομπι。在該情況下，由于俯視觀察時在11.2μπι的范圍內配置有三根布線WL，所以相鄰的布線WL彼此的中心間距離即布線間距為約3.7μπι。因此，與在圖7所示的顯示裝置LCD2上、圖8所示的顯示裝置IXD3上、或者圖9所示的第二層的布線層L2的單層上拉繞布線WL的情況中的任一個相比，均能夠提高布線
FtFt也/又。
[0160]另外，在上述說明中，作為表示容易提高布線密度的程度的指標，使用布線WL的寬度來表現(xiàn)。但是，作為表示容易提高布線密度的程度的指標，能夠使用在布線層LI中相鄰的布線WLl的間隔距離、和在布線層L2中相鄰的布線WL2的間隔距離來表現(xiàn)。
[0161]S卩，在圖10所示的布線層LI上以間隔距離SI形成有多根布線WL1。另外，在布線層L2上以比間隔距離SI小的間隔距離S2形成有多根布線WL2。此外，在圖10所示的例子中，在多根布線WL2的間隔距離中包含間隔距離S2和間隔距離S4，但間隔距離S2及間隔距離S4均比間隔距離SI小。像這樣，在相鄰的布線WL的間隔距離按每個布線層而不同的情況下，間隔距離較小的布線層更易于提高布線密度。即，在圖10所示的例子中，布線層L2與布線層LI相比更易于提高布線密度。
[0162]另外，如上述那樣，圖5所示的引出布線部LD中的尤其需要提高布線密度的部分是供多根布線WL (參照圖6)沿與X方向及Y方向交叉的方向延伸的部分LD2。例如如圖6所示，在供多根布線WL沿著Y方向延伸的部分LDl及部分LD3中，與部分LD2相比布線密度較低。因此，能夠在與輸入部IPC連接的部分中分別將多根布線WL匯集地設在例如第一層的布線層LI上。
[0163]將第一層的布線層LI與第二層的布線層L2電連接的方法例如如圖12例示。圖12是表示將圖6及圖10所示的第一層的布線層的布線和第二層的布線層的布線電連接的構造例的放大剖視圖。
[0164]在圖12所示的例子中，在覆蓋第一層的布線層LI的絕緣膜ILl上形成有開口部OPl，在開口部OPl中，布線WLl從絕緣膜ILl露出。另外，形成在第二層的布線層L2上的布線WL2的一部分埋設在形成于絕緣膜ILl的開口部OPl中，并與布線WLl電連接。像這樣，通過在覆蓋布線層LI的絕緣膜ILl的一部分上形成開口部0P1，而能夠將第二層的布線層L2的布線WL2與第一層的布線層LI的布線WLl電連接。此外，在圖12中，示出了將多個布線層匯集在第一層的布線層LI上的例子，但作為變形例也能夠匯集在例如第2層的布線層L2上。
[0165]另外，如圖12所示，優(yōu)選將形成在不同布線層上的布線WLl和布線WL2電連接的開口部OPl形成在圖6所示的部分LD3上。通過在部分LDl、部分LD2及部分LD3中的最接近輸入部IPC的部分LD3中將布線路徑分配于多個布線層，而能夠在部分LD2中提高布線密度。
[0166]<變形例〉
[0167]接著，關于相對于上述的實施方式的變形例，例示地說明代表性的變形例。
[0168]<變形例1>
[0169]在圖6及圖10中，作為分別在多個布線層上形成布線的實施方式的例子，列舉將多根布線WL在兩層布線層中拉繞的情況下的構造例而進行了說明。在本變形例I中，說明將多根布線WL在三層布線層中拉繞的情況下的構造例。圖13是相對于圖6的變形例，是表示將多根布線在三層布線層中拉繞的情況下的布局例的放大俯視圖。另外，圖14是沿圖13的A-A線的放大剖視圖。此外，在圖13中，為了易于區(qū)別形成于不同層的布線WL1、布線WL2及布線WL3，以實線表示形成在第一層上的布線WLl，以虛線表示形成在第二層上的布線WL2，以單點劃線表示形成在第三層上的布線WL3。
[0170]圖13及圖14所示的顯示裝置LCD4在具有形成在第三層的布線層L3上的布線WL3的方面上，與圖6所示的顯示裝置LCDl不同。第三層的布線層L3形成在覆蓋布線層L2的絕緣膜IL2上，并被作為無機絕緣膜的絕緣膜IL3覆蓋。另外，在圖14所示的例子中，布線WL3的布線寬度W3比第二層的布線層L2的布線WL2的布線寬度W2寬。也就是說，本變形例I的顯示裝置LCD4的設計規(guī)則按每個布線層而不同。詳細地說，布線層L2相對最易于提高布線密度，布線層LI及布線層L3分別比布線層L2難以提高布線密度。
[0171]像本變形例I這樣，即使在將多根布線WL在布線布局的設計規(guī)則不同的三層布線層中拉繞的情況下，也能夠與上述的顯示裝置LCDl同樣地來考慮。即，在顯示裝置LCD3中，形成在相對易于提高布線密度的布線層L2上的布線WL2的數量比形成在相對難以提高布線密度的布線層LI上的布線WLl的數量、及形成在布線層L3上的布線WL3的數量多。由此，能夠提高多根布線WL的布線密度。
[0172]在圖14所示的例子中，只要布線WLl的布線寬度Wl為4.2μπι且布線層LI的布線WLl的間隔距離SI為例如5.1μπι以上即可。另外，只要布線WL2的布線寬度W2為1.8μπι且布線層L2的布線WL2的間隔距離S2為例如2.5μπι以上即可。另外，只要布線WL3的布線寬度W3為4.2μπι且布線層L3的布線WL3的間隔距離S3為例如5.1μπι以上即可。
[0173]但是，在圖14所示的例子中，為了使在俯視觀察時相鄰的布線WL彼此相互不重疊，而使布線層LI的布線WLl的間隔距離SI為9.7μπι，使布線層L2的布線WL2的間隔距離S2為5.2μπι，使布線層L3的布線WL3的間隔距離S3為9.7μπι。
[0174]在該情況下，由于在俯視觀察時在13.9μπι的范圍內配置有四條布線WL，所以相鄰的布線WL彼此的中心間距離、即布線間距約為3.5μπι。因此，與圖1所示的顯示裝置IXDl相比能夠進一步提高布線密度。
[0175]另外，在上述說明中，作為表示容易提高布線密度的程度的指標，使用布線WL的寬度來表現(xiàn)。但是，作為表示容易提高布線密度的程度的指標，能夠使用在布線層LI中相鄰的布線WLl的間隔距離、和在布線層L2中相鄰的布線WL2的間隔距離來表現(xiàn)。
[0176]S卩，形成在布線層L2上的多根布線WL2中的相鄰的布線WL2的間隔距離S2比布線層LI中的布線WLl的間隔距離S1、及布線層L3中的布線WL3的間隔距離S3小。因此，布線層L2相對最易于提高布線密度，布線層LI及布線層L3分別比布線層L2難以提高布線密度。
[0? 77]除了上述的不同點以外，圖13及圖14所示的顯示裝置LCD4與圖6及圖1O所示的顯示裝置IXDl相同。因此，省略重復的說明。<變形例2>
[0178]接著，說明了在上述的圖6所示的顯示裝置LCD1、圖7所示的顯示裝置LCD2、圖8所示的顯示裝置LCD3及圖13所示的顯示裝置LCD4中形成在各布線層上的布線WL相互不重疊的實施方式。但是，若著眼于提高布線密度的方面，則使形成在不同布線層上的布線WL的一部分在厚度方向上重疊更能夠提高布線密度。另一方面，在形成于不同布線層的布線WL的一部分在厚度方向上重疊的情況下，可以想到如下?lián)?各信號線相互發(fā)生干涉而產生噪聲、或因布線之間的寄生電容而導致信號受到影響、或因絕緣膜的缺陷而導致布線之間發(fā)生短路。因此，在本變形例2中，說明形成在不同布線層上的布線WL的一部分在厚度方向上重疊、且降低重疊部分的噪聲的影響的技術。
[0179]圖15是相對于圖13的變形例，是表示多根布線中的一部分在厚度方向上重疊的情況下的布局例的放大俯視圖。另外，圖16是沿圖15的A-A線的放大剖視圖。
[0180]圖15及圖16所示的顯示裝置LCD5在形成在第三層的布線層L3上的布線WL3、和形成在第一層的布線層LI上的布線WLl相互重疊的方面上，與圖13所示的顯示裝置LCD4不同。
[0181]另外，如圖16所示，覆蓋布線層L2的絕緣膜IL2的厚度ΤΗ2比覆蓋布線層LI的絕緣膜ILl的厚度THl厚。由于絕緣膜ILl兼作圖11所示的晶體管Ql的柵極絕緣膜，所以若厚度THl極大，則難以驅動晶體管Q1。另一方面，絕緣膜IL2從可靠地覆蓋源極電極ST及漏極電極DT的觀點考慮，容易變厚。在圖16所示的例子中，絕緣膜ILl的厚度小于Ιμπι，絕緣膜IL2的厚度為例如2μπι左右。
[0182]在此，在考慮到各布線層之間的噪聲等的情況下，布線層之間的距離越遠，則越能夠降低影響。因此，在隔著相對較薄的絕緣膜ILl而設置的布線層LI與布線層L2之間，布線WL之間的相互影響容易增大。另一方面，在隔著由有機絕緣膜等形成且相對較厚的絕緣膜IL2而設置的布線層L2與布線層L3之間，易于降低布線WL之間的相互影響。
[0183]若根據上述分別考慮各布線層之間的噪聲影響及布線密度的提高，則優(yōu)選以下的結構。即，優(yōu)選噪聲影響相對較大的布線層LI的多根布線WLl與布線層L2的多根布線WL2相互不重疊。在該情況下，設在厚度TH2比厚度THl厚的絕緣膜IL2上的多根布線WL3也可以與多根布線WLl及多根WLl中的一部分重疊。
[0184]此外，在圖16所示的例子中，雖然布線WL3與布線WL2沒有重疊，但在絕緣膜IL2的厚度TH2足夠地厚、噪聲或寄生電容的影響較低、且布線之間短路的可能性較低的情況下，布線WL3與布線WL2也可以重疊。
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