el),包括基板11及反射層12,反射層12設置于基板11上，其中當反射層12的工作溫度大于等于130°C時，反射層12以第一金屬材料形成，該第一金屬材料于工作溫度大于等于130°C的環(huán)境下，選擇工作超過一定時數(shù)，例如超過1250小時或超過3000小時，仍具有相對較高反射率的金屬材料為較佳，包括但不限于純金屬或合金。
[0039]同樣基于材料特性的考量，由于勢必存在于室溫下的反射率大于第一金屬材料于室溫下的反射率的第二金屬材料，故當反射層12的工作溫度小于130°C時，若其不致于在工作一定時數(shù)下發(fā)生反射率衰退的現(xiàn)象，反射層12以第二金屬材料形成為佳，但不以此為限。由此可見，通過反射層于不同工作溫度下分別以第一金屬材料及第二金屬材料形成，可有效避免反射層的反射率衰退并使反射率最佳化，進而達到提升波長轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換效率的效果。
[0040]于一些實施例中，基板11為表面經(jīng)陽極氧化處理的亮面鋁基板，且反射層12以真空鍍膜形成于基板11上。同時，根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想，第一金屬材料為鋁或鋁合金，且第二金屬材料為銀或銀合金。其中，銀或銀合金雖具有現(xiàn)有技術中所述的高溫反射率衰退的問題，然由于銀或銀合金于室溫下的反射率大于鋁或鋁合金于室溫下的反射率，且于工作溫度小于130°C的環(huán)境下，銀或銀合金不致于在工作一定時數(shù)的情況下發(fā)生反射率衰退的現(xiàn)象，故于本發(fā)明中仍以銀作為較佳的材料選擇，以應用于工作溫度小于130°C的情況。
[0041]在另一些實施例中，本發(fā)明的波長轉(zhuǎn)換裝置I可進一步包括至少一氧化物介電層，請參閱圖6B，其顯示本發(fā)明另一較佳實施例的波長轉(zhuǎn)換裝置的前視圖。如圖6B所示，本發(fā)明的波長轉(zhuǎn)換裝置1，可選擇于反射層12之上，亦即第一金屬材料或第二金屬材料的上方，鍍覆至少一層以上的氧化物介電層14，以保護或調(diào)變第一金屬材料或第二金屬材料的反射頻譜，且氧化物介電層14亦可視為整合于反射層12上，然并不以此為限。
[0042]請參閱圖7配合圖5，其中圖7顯示以鋁層作為反射膜的亮面鋁基板于180°C下的工作時數(shù)-相對反射率對應圖。如圖5及圖7所示，當以鋁膜形成波長轉(zhuǎn)換裝置I的反射層12時，在溫度為180°C的環(huán)境下工作約1250小時后，該反射層12的反射率相較自身的原始反射率仍大于98%，且在溫度為180°C的環(huán)境下工作約3000小時后，該反射層12的反射率相較自身的原始反射率仍大于95%，可見本發(fā)明通過材料的選擇，反射層12可于高溫環(huán)境下工作超過3000小時仍具有相較自身原始反射率95%以上的反射率。
[0043]請參閱圖8及圖9并配合圖5，其中圖8顯示以鋁形成的反射層于180°C下工作O小時于高倍率顯微鏡下的影像示意圖，以及圖9顯示以鋁形成的反射層于180°C下工作1250小時于高倍率顯微鏡下的影像示意圖。如圖5、圖8及圖9所示，以鋁形成的反射層12，在工作O小時，即未開始工作時，具有極高的反射率，故于顯微鏡下對顯微鏡燈光幾乎為全反射；在180°C的環(huán)境下工作1250小時后，由于鋁本身的特性，于反射層12中僅有極少量的鋁原子發(fā)生流動或氧化的現(xiàn)象，故于高倍率顯微鏡下的影像僅有極少量黑點，對于反射率的改變僅有不到2%的影響，故可有效避免反射層12的反射率衰退并使反射率最佳化。
[0044]請再參閱圖5及圖6，如圖5及圖6所示，本發(fā)明波長轉(zhuǎn)換裝置I的基板11的厚度以0.4至4毫米(mm)為佳，且反射層12及基板11的直徑以50至150毫米為佳，然皆不以此為限。此外，波長轉(zhuǎn)換裝置I可進一步包括波長轉(zhuǎn)換層13，該波長轉(zhuǎn)換層13可為但不限于螢光粉層或螢光劑涂層，形成于反射層12上，以架構(gòu)于轉(zhuǎn)換入射光的光波長。
[0045]綜上所述，本發(fā)明提供一種波長轉(zhuǎn)換裝置，以解決現(xiàn)有波長轉(zhuǎn)換裝置的反射鍍膜于高溫環(huán)境下工作一定時數(shù)產(chǎn)生的反射率衰退現(xiàn)象，以及反射率衰退造成波長轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換效率不佳等問題。有鑒于此，本發(fā)明通過反射層于不同工作溫度下分別以第一金屬材料及第二金屬材料形成，可有效避免反射層的反射率衰退并使反射率最佳化，進而達到提升波長轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換效率的效果。此外，通過材料的選擇，反射層可于高溫環(huán)境下工作超過3000小時仍具有相較自身原始反射率95%以上的反射率。
[0046]縱使本發(fā)明已由上述的實施例詳細敘述而可由本領域技術人員任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如權利要求請求保護的范圍。
【主權項】
1.一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括: 一基板；以及 一反射層，設置于該基板上，其中當該反射層的工作溫度大于等于130°c時，該反射層以一第一金屬材料形成，且當該反射層的工作溫度小于130 °C時,該反射層以一第二金屬材料形成； 其中，該第二金屬材料于室溫下的反射率大于該第一金屬材料于室溫下的反射率。
2.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該基板為表面陽極氧化處理的一亮面鋁基板，且該反射層以真空鍍膜形成于該基板上。
3.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該第一金屬材料為鋁或鋁合金。
4.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該第二金屬材料為銀或銀合金。
5.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，還包括至少一氧化物介電層，該氧化物介電層鍍覆于該第一金屬材料之上，用以保護或調(diào)變該第一金屬材料的反射頻譜。
6.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，更包括至少一氧化物介電層，該氧化物介電層鍍覆于該第二金屬材料之上，用以保護或調(diào)變該第一金屬材料的反射頻譜。
7.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該基板的厚度為0.4至4毫米。
8.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該反射層的直徑為50至150毫米。
9.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該反射層的反射率于工作1250小時后相較原始反射率大于98%。
10.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，其中該反射層的反射率于工作3000小時后相較原始反射率大于95 %。
11.如權利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置，還包括一波長轉(zhuǎn)換層，該波長轉(zhuǎn)換層形成于該反射層上。
12.—種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括: 一基板； 一反射層，設置于該基板上；以及 一波長轉(zhuǎn)換層，形成于該反射層上； 其中當該波長轉(zhuǎn)換層及該反射層的工作溫度大于等于130°C時，該反射層以鋁或鋁合金形成，且當該波長轉(zhuǎn)換層及該反射層的工作溫度小于130°C時，該反射層以銀或銀合金形成。
【專利摘要】本發(fā)明關于一種波長轉(zhuǎn)換裝置，包括基板及反射層。反射層設置于基板上，其中當反射層的工作溫度大于等于130℃時，反射層以第一金屬材料形成，且當反射層的工作溫度小于130℃時，反射層以第二金屬材料形成。其中，第二金屬材料于室溫下的反射率大于第一金屬材料于室溫下的反射率。通過反射層于不同工作溫度下分別以第一金屬材料及第二金屬材料形成，可有效避免反射層的反射率衰退并使反射率最佳化，進而達到提升波長轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換效率的效果。
【IPC分類】F21V7-22, B32B15-20
【公開號】CN104676491
【申請?zhí)枴緾N201410240975
【發(fā)明人】華健豪, 張克蘇, 周彥伊, 陳琪, 陳照勗, 劉孟翰
【申請人】臺達電子工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年5月30日