CB板為條形PCB板、矩形PCB板或圓盤形PCB板，所述基板為鋁基板、鋁合金基板、銅基板、銅合金基板或鉻鐵合金基板。
[0020]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的大功率LED植物生長燈單元的有益效果為:
[0021]1、采用透鏡結(jié)構(gòu)，具備較高的光功率輸出性能，使器件出射光線較為集中，即可以在一定的空間范圍內(nèi)提供較高的光功率密度輸出。
[0022]2、由于紅光轉(zhuǎn)換層設(shè)于在大功率藍(lán)光LED芯片的外部，所以紅、藍(lán)光的混合從紅光轉(zhuǎn)換層的表面處隨即完成，光譜空間分布均勻。
[0023]3、電路控制相對(duì)簡單、成本較低等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于大面積、多數(shù)量的植物栽培應(yīng)用。
[0024]4、具備LED光源普遍性的節(jié)能、環(huán)保、長壽命等優(yōu)點(diǎn)。
[0025]基于上述大功率LED植物生長燈單元的大功率LED植物生長燈同樣也具有上述的有益效果。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明的紅光轉(zhuǎn)換層以保形涂層的方式設(shè)于所述大功率藍(lán)光LED芯片的外部的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的紅光轉(zhuǎn)換層以半球涂層的方式設(shè)于所述大功率藍(lán)光LED芯片的外部的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明的紅光轉(zhuǎn)換層以半球涂層的方式設(shè)于所述大功率藍(lán)光LED芯片的外部的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明的大功率LED植物生長燈的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明的大功率LED植物生長燈中PCB板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1中大功率LED植物生長燈單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1中大功率LED植物生長燈單元的等效電路示意圖；
[0033]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例2中大功率LED植物生長燈單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖9為本發(fā)明的實(shí)施例2中大功率LED植物生長燈單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖10為本發(fā)明的實(shí)施例3中大功率LED植物生長燈單元的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖11為本發(fā)明的實(shí)施例3中大功率LED植物生長燈單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖12為本發(fā)明的實(shí)施例3中大功率LED植物生長燈單元的等效電路示意圖；
[0038]圖13為本發(fā)明的實(shí)施例4中大功率LED植物生長燈器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]其中，I為大功率藍(lán)光LED芯片，2為紅光轉(zhuǎn)換層，3為光學(xué)透鏡，4為ESD保護(hù)組件，5為印刷電路，6為散熱基板，7為焊盤，8為透明導(dǎo)光層，9為導(dǎo)線，10為大功率LED植物生長燈單元，11為PCB板，11-1為導(dǎo)電線路，11-2為絕緣層，11-3為基板，12為植物生長燈。
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0041]—種大功率LED植物生長燈單元，包括大功率藍(lán)光LED芯片1、紅光轉(zhuǎn)換層2、光學(xué)透鏡3、ESD保護(hù)組件4、印刷電路5和散熱基板6;所述印刷電路5(印刷電路板)附著在所述散熱基板6的上、下表面，并且上、下表面的印刷電路5通過散熱基板6上的穿孔結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)印刷電路5的連接和導(dǎo)通。所述紅光轉(zhuǎn)換層2以保形涂層的方式或半球涂層的方式設(shè)于所述大功率藍(lán)光LED芯片I的外部，通過將大功率LED芯片I出射的部分藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅光，配合未經(jīng)轉(zhuǎn)換的藍(lán)光形成植物生長所需的主要光譜;所述光學(xué)透鏡3覆蓋在紅光轉(zhuǎn)換層2的外部;所述光學(xué)透鏡3由封裝材料制備而成;所述大功率藍(lán)光LED芯片I安裝在印刷電路5或者散熱基板6的上面，通過導(dǎo)線、焊盤或者導(dǎo)線和焊盤的組合與印刷電路5連接，用于實(shí)現(xiàn)大功率藍(lán)光LED芯片I的導(dǎo)通。所述ESD保護(hù)組件4與印刷電路5連接，且ESD保護(hù)組件4和大功率藍(lán)光LED芯片I并聯(lián)，ESD保護(hù)組件4可以安裝在大功率藍(lán)光LED芯片I的一側(cè)或者安裝在所述印刷電路5和散熱基板6之間；
[0042]圖1-3所示為大功率藍(lán)光LED芯片I安裝在印刷電路5的上面，且通過大功率藍(lán)光LED芯片I和印刷電路5之間的焊盤7與印刷電路5連接，實(shí)現(xiàn)大功率藍(lán)光LED芯片I的導(dǎo)通，焊盤7通過共晶鍵合技術(shù)制作。ESD保護(hù)組件4和所述印刷電路5連接，且ESD保護(hù)組件4和大功率藍(lán)光LED芯片I并聯(lián)。
[0043]在本發(fā)明的技術(shù)方案中，所述大功率藍(lán)光LED芯片I的材質(zhì)為氮化物AlxInyGa1-X-yN，其中:O < X，y < I; x+y < I;
[0044]所述氮化物AlxInyGa1-x-yN通過有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或者分子束外延(MBE)方法生長制備。
[0045]所述大功率藍(lán)光LED芯片I的發(fā)射光譜的峰值波長范圍是380?500nm;
[0046]所述大功率藍(lán)光LED芯片I的類型為正裝、倒裝或垂直結(jié)構(gòu)，圖1-3中的大功率藍(lán)光LED芯片I均為倒裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0047]所述大功率藍(lán)光LED芯片I的數(shù)量為一顆或一顆以上，圖1-3中均為一顆。
[0048]所述紅光轉(zhuǎn)換層2的激發(fā)波長范圍是380?500nm，所述紅光轉(zhuǎn)換層2的發(fā)射光譜的峰值波長范圍是600?800nmo
[0049]所述紅光轉(zhuǎn)換層2由紅光熒光粉或紅光量子點(diǎn)均勻分散在封裝材料中固化制成。所述封裝材料為聚碳酸酯、丙烯酸、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂或有機(jī)硅環(huán)氧樹脂中的至少一種。
[0050]其中，所述紅光熒光粉的組分為M2Si04:Eu2+(M為0&，318&元素中的至少一種)、Li2MS14: Eu2+ (M為Ca，Sr，Ba元素中的至少一種)^MLiAl3N4: Eu2+(M為Ca，Sr，Ba元素中的至少一種)、MAlSi4N7: Eu2+ (Μ為Ca，Sr，Ba元素中的至少一種)、MSiN2: Eu2+ (Μ為Ca，Sr，Ba元素中的至少一種)、MSiN2: Ce3+(M為Ca，Sr ,Ba元素中的至少一種)、MAlSiN3: Eu2+(M為Ca，Sr ,Ba元素中的至少一種)、M2Si5N8:Eu2+(M為Ca，Sr，Ba元素中的至少一種)、A2MF5:Mn4+(A為Li ,Na,K,Rb,Cs,冊(cè)4元素中的至少一種;M為Al ,Ga,In,Sc,Y, Gd元素中的至少一種)、A3MF6: Mn4+USLi,Na,K,Rb,Cs,冊(cè)4元素中的至少一種;M為Al ,Ga,In,Sc,Y, Gd元素中的至少一種)、Zn2MF7:Mn4+ (M為Al ,Ga, In,Sc,Y,Gd元素中的至少一種)、AIn2F7:Mn4+ (A為Li ,Na,K,Rb,Cs,NH4元素中的至少一種)、A2MF6: Mn4+(A為Li，Na，K，Rb，Cs，冊(cè)4元素中的至少一種;M為Si，Ge，Sn，Ti，Zr元素中的至少一種)、AMF6:Mn4+(A為0&，318&，211，1%元素中的至少一種;1為3丨，66，311，11，Zr元素中的至少一種)、A3MF7:Mn4+ (ASLi ,Na,K,Rb,Cs,順4元素中的至少一種;M為Ta,Nb1Zr元素中的至少一種)中的至少一種;所述紅光量子點(diǎn)為CdSe、CdTe中的至少一種。
[0051]由于本發(fā)明采用了紅光轉(zhuǎn)換層2轉(zhuǎn)換藍(lán)光為紅光的技術(shù)路線，如此便可選擇一種紅光熒光粉或紅光量子點(diǎn)作為紅光轉(zhuǎn)換層2，還可以采用兩種或兩種以上紅光熒光粉或紅光量子點(diǎn)混合的方式對(duì)紅光轉(zhuǎn)換層2的光譜進(jìn)行設(shè)置，以滿足不同植物在不同生長周期對(duì)光源要求的差異。而藍(lán)、紅光的強(qiáng)度比值則可以通過紅色轉(zhuǎn)換層的涂敷密度、厚度、位置等封裝參數(shù)的設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)可控調(diào)節(jié)。