出射面上，從而提高發(fā)光效率。
[0035]再者，根據(jù)本實用新型的實施例，形成底部填充劑使得反射材料無法涂覆到光出射面上，從而去除發(fā)光路徑上的障礙物，并且縮短LED芯片和導光板之間的距離以改善發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0036]通過結合附圖對下面實施例的詳細描述，本實用新型的上述及其他方面、特征和優(yōu)點將變得明顯，在附圖中:
[0037]圖1是相關技術中的發(fā)光二極管封裝件和包括該發(fā)光二極管封裝件的背光單元的剖視圖；
[0038]圖2至圖5是根據(jù)本實用新型的實施例的光源模塊的剖視圖；
[0039]圖6A是圖2至圖5中示出的LED芯片的平面圖；
[0040]圖6B是沿著圖6A中示出的線1-1’截取的LED芯片的剖視圖；
[0041]圖7是包括根據(jù)本實用新型的一個實施例的背光單元的顯示裝置的分解透視圖；
[0042]圖8是沿著圖7中示出的線11-11’截取的顯示裝置的剖視圖；以及
[0043]圖9至圖11示出根據(jù)本實用新型的一個實施例的光源模塊的制造工藝。
【具體實施方式】
[0044]在下文中，將參照附圖詳細描述本實用新型的示例性實施例。通過示例的方式提供下面的實施例，以將本實用新型的精神充分地傳達給本領域技術人員。因此，本實用新型不限于在此公開的實施例，還可以以不同的形式實施。另外，可以夸大附圖中的元件的形狀。在整個說明書中，同樣的附圖標記指示具有相同或類似功能的同樣的元件。落入本實用新型的精神和范圍內(nèi)的元件的變型不包括限制性的意思，而是為了清楚地表現(xiàn)本實用新型的精神而提供的，并且只能通過權利要求來限制。
[0045]在下文中，將參照附圖具體地描述本實用新型的實施例，使得本實用新型所屬領域的技術人員能夠容易地實施本實用新型。
[0046]圖2至圖5是根據(jù)本實用新型的實施例的光源模塊的剖視圖。
[0047]參照圖2至圖5，根據(jù)本實用新型的一個實施例的光源模塊100包括發(fā)光二極管(LED)芯片110、波長轉換層120和反射器130。
[0048]LED芯片110包括生長基底111和半導體堆疊件113。LED芯片110可以通過直接倒裝芯片接合或表面貼裝技術(SMT)電連接到基底140。此時，暴露在LED芯片110的下表面上的電極焊盤37a和37b通過凸點150a和150b分別電連接到基底焊盤141a和141b。由于光源模塊100不使用引線，因此不需要成型組件來保護引線，并且不需要去除部分波長轉換層120來暴露接合焊盤。因此，本實用新型所使用的倒裝芯片式LED芯片110與使用鍵合引線的LED芯片相比，能夠?qū)崿F(xiàn)較小的色彩失真和較低的亮度不均勻，并且可以簡化模塊制造工藝。
[0049]波長轉換層120覆蓋LED芯片110。LED芯片110包括光經(jīng)其發(fā)射的一個側表面，艮P，光出射面。波長轉換層120可以至少包圍光出射面，并且還可以包圍LED芯片110的上表面和側表面。即，波長轉換層可以僅形成在LED芯片110的光出射面上，或者形成在光出射面、上表面和某些側表面上?？蛇x擇地，波長轉換層也可以形成在LED芯片110的上表面和包括光出射面在內(nèi)的所有側表面上。另外，波長轉換層120可以由能夠轉換LED芯片110發(fā)射的光的波長的熒光材料形成。波長轉換層120可以以預定的厚度涂覆到LED芯片110上，以覆蓋LED芯片110的上表面和側表面。當波長轉換層120覆蓋LED芯片的上表面和側表面時，覆蓋上表面的區(qū)域的厚度可以與覆蓋側表面的區(qū)域的厚度相同或者不同。另外，覆蓋光出射面的區(qū)域可以具有與覆蓋上表面和除光出射面之外的側表面的區(qū)域的厚度不同的厚度。
[0050]反射器130形成在LED芯片110的除定義為光出射面之外的區(qū)域上。此時，反射器130可以直接形成在LED芯片110上，或者形成在設置在反射器130和LED芯片110之間的另一元件上。S卩，反射器130可以如圖2中所示地直接形成在LED芯片110上，或者根據(jù)實施例，如圖3和圖4中所示地位于形成在LED芯片110上的波長轉換層120上。
[0051]反射器130用于使光朝向光出射面反射。S卩，形成在LED芯片110的除光出射面之外的區(qū)域上的反射器用于將光朝向光源模塊100的一個側表面引導，以使光經(jīng)過該側表面而射出。
[0052]基底140包括電連接到LED芯片110的基底焊盤141a、141b，并且凸點150a、150b分別位于基底焊盤141a、141b上。即使沒有具體限定，基底140也可以是例如有利于散熱的金屬印刷電路板(PCB)?；?40可以是具有長軸和短軸的條式基底。
[0053]底部填充劑200設置在LED芯片110和基底140之間。底部填充劑200用于反射從LED芯片110產(chǎn)生的光，從而提高發(fā)光效率。另外，底部填充劑200用于防止LED芯片110和基底140之間的濕氣滲透。底部填充劑200包括反射材料。例如，底部填充劑200可以包括樹脂和樹脂內(nèi)的反射材料，反射材料可以包括從由Ti02、S12, ZrO2, PbCO3, PbO、Al2O3,ZnO, Sb2O3和它們的組合所構成的組中選擇的一種材料。底部填充劑200形成到與LED芯片110的定義為光出射面的一個表面對齊的區(qū)域。即使沒有具體限定，底部填充劑200也可以通過點膠來形成。底部填充劑200還可以包括熒光材料(未示出)。底部填充劑200可以具有預定的粘合強度。
[0054]如此說來，根據(jù)本實用新型的實施例的光源模塊100能夠利用反射器130和底部填充劑200使光聚集在其側表面上，同時使光損失最小化，從而使發(fā)光效率最大化。
[0055]另外，LED芯片110通過直接倒裝芯片接合或SMT而電連接到基底140，因此與常用的使用引線的封裝式光源模塊相比，光源模塊100能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和高致密度。
[0056]此外，光源模塊100能夠比安裝在導光板側表面上的常用的封裝式光源模塊做得更纖薄。
[0057]將參照圖6A和圖6B更詳細地描述LED芯片110的結構。
[0058]圖6A是圖5中示出的LED芯片的平面圖，圖6B是沿著圖6A中示出的線1-1’截取的LED芯片的剖視圖。
[0059]參照圖6A和圖6B，根據(jù)本實用新型的發(fā)光二極管(LED)芯片可以包括生長基底111和半導體堆疊件113。
[0060]半導體堆疊件113包括形成在生長基底111上并摻雜有第一導電型雜質(zhì)的第一半導體層23以及彼此分開地位于第一半導體層23上的多個臺面結構M0
[0061]多個臺面結構M中的每個臺面結構M包括活性層25和摻雜有第二導電型雜質(zhì)的第二半導體層27?；钚詫?5設置在第一半導體層23和第二半導體層27之間。反射電極30分別位于多個臺面結構M上。
[0062]多個臺面結構M可以具有延長的形狀，并且如附圖中所示在一個方向上彼此平行地延伸。這樣的形狀易于在生長基底111的多個芯片區(qū)域上形成形狀相同的多個臺面結構M0
[0063]盡管可以在形成多個臺面結構M之后在各個臺面結構M上形成反射電極30，但本實用新型不限于此。可選擇地，可以在生長第二半導體層27之后、形成臺面結構M之前，預先在第二半導體層27上形成反射電極30。反射電極30基本覆蓋臺面結構M的整個上表面，并具有與臺面結構M的平面形狀基本相同的形狀。
[0064]