1.一種半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
預(yù)先準(zhǔn)備晶粒、P面焊片和N面焊片；
將所述P面焊片裝填進預(yù)焊板；
所述晶粒具有P面和N面，將所述晶粒通過分向篩盤進行分向以保證所述晶粒的P面朝上，并將分向后的晶粒倒扣置于所述P面焊片上使得所述晶粒的P面緊貼所述P面焊片；
將所述N面焊片緊貼于所述晶粒的N面并與所述P面焊片包夾所述晶粒；
將所述預(yù)焊板通過高溫焊接爐進行預(yù)焊處理從而獲得預(yù)焊后的晶粒；
將所述上框架和所述下框架并排置于框架盤上；
將助焊溶劑涂抹到所述上框架和所述下框架上；
將所述預(yù)焊后的晶粒轉(zhuǎn)換裝填至所述下框架上；
將所述上框架翻轉(zhuǎn)蓋到所述下框架上，從而獲得合片；
將所述合片置于石墨模具中并蓋好石墨；
將放有所述合片的石墨模具通過焊接爐進行焊接處理，再經(jīng)過封裝和分解獲得半導(dǎo)體整流橋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述P面焊片由如下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的組份組成：鉛92.5％、錫5％和銀2.5％；
所述N面焊片由如下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的組份組成：鉛92.5％、錫5％和銀2.5％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述預(yù)焊處理的峰值溫度為320℃-360℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述預(yù)焊處理的谷值溫度為292℃-300℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述預(yù)焊處理的時間為8min-12min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述助焊溶劑包括異丙醇和助焊劑，其中，所述異丙醇和所述助焊劑的質(zhì)量比為65-69:31-35。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述助焊溶劑采用排刷涂抹。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述焊接處理的峰值溫度為320℃-360℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述焊接處理的谷值溫度為292℃-300℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的半導(dǎo)體整流橋的制備方法，其特征在于，所述焊接處理的時間為8min-12min。