1.一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于該低鎘銀釬料的各組分的質(zhì)量百分比為：24.0～26.0wt.％的Ag，30.0～41.0wt.％的Cu，0.05～0.13wt.％的Cd，0.001～0.005wt.％的In，0.001～0.005wt.％的Ga，0.001～0.005wt.％的Sn，余量為Zn。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Ag為純度為99.99％的銀板(IC-Ag99.99)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Cu為電解銅(Cu-cath-1、Cu-cath-2和Cu-cath-3中的一種或一種以上)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Cd為鎘錠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分In為金屬銦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Ga為金屬鎵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Sn為金屬錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于所述的釬料的組分Zn為鋅錠。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料，其特征在于制備該低熔點(diǎn)具有優(yōu)良潤濕性能的低鎘銀釬料是：按該低鎘銀釬料的各組分的質(zhì)量百分比加入中頻冶煉爐坩堝內(nèi)，采用中頻冶煉工藝，通過冶煉、澆鑄、擠壓、拉拔，即得到所需要的低鎘銀釬料絲材。