1.一種具有陽(yáng)極短路槽的RB-IGBT，包括集電極結(jié)構(gòu)、漂移區(qū)(4)、發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)，其中集電極結(jié)構(gòu)位于漂移區(qū)下端，發(fā)射極結(jié)構(gòu)和柵極結(jié)構(gòu)位于漂移區(qū)(4)之上；
所述發(fā)射極結(jié)構(gòu)包括位于漂移區(qū)上表面的N型存儲(chǔ)層(5)和位于N型層(5)上表面的P型阱區(qū)(6)，所述P型阱區(qū)(6)上層沿器件橫向方向并列設(shè)置有N型發(fā)射極區(qū)(7)和P型體接觸區(qū)(8)；所述N型發(fā)射極區(qū)(7)和P型體接觸區(qū)(8)的共同引出端為發(fā)射極；
其特征在于，所述集電極結(jié)構(gòu)包括P型集電極層(1)與多個(gè)陽(yáng)極短路槽，P型集電極層(1)位于N型漂移區(qū)(4)的下表面；所述陽(yáng)極短路槽沿器件橫向方向間斷分布，且陽(yáng)極短路槽沿器件垂直方向貫穿P型集電極層(1)延伸入N型漂移區(qū)(4)中；所述P型集電極層(1)和陽(yáng)極短路槽的共同引出端為集電極；所述陽(yáng)極短路槽由第一導(dǎo)電材料(22)和第一絕緣介質(zhì)(32)構(gòu)成，第一導(dǎo)電材料(22)位于第一絕緣介質(zhì)(32)之中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有陽(yáng)極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為溝槽柵，溝槽柵位于發(fā)射極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)；所述溝槽柵由第二導(dǎo)電材料(21)和第二絕緣介質(zhì)(31)構(gòu)成，第二絕緣介質(zhì)(31)位于溝槽柵的側(cè)壁和底部，第二導(dǎo)電材料(21)被第二絕緣介質(zhì)(31)包圍，所述第二導(dǎo)電材料(21)的引出端為柵極；所述溝槽柵從器件上表面沿垂直方向穿過(guò)P型阱區(qū)(6)與N型存儲(chǔ)層(5)后與漂移區(qū)(4)接觸，溝槽柵的側(cè)面與N型層(5)、P型阱區(qū)(6)和N型發(fā)射極區(qū)(7)的側(cè)面接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有陽(yáng)極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)為平面柵，所述平面柵由第二絕緣介質(zhì)(31)和位于第二絕緣介質(zhì)(31)上表面的第二導(dǎo)電材料(21)構(gòu)成；所述第二導(dǎo)電材料(21)的引出端為柵極；所述第二絕緣介質(zhì)(31)與漂移區(qū)(4)上表面、N型存儲(chǔ)層(5)、P型阱區(qū)表面(6)和部分N型發(fā)射極區(qū)(7)的上表面均接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種具有陽(yáng)極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，陽(yáng)極短路槽之間沿器件橫向方向上等間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種具有陽(yáng)極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，陽(yáng)極短路槽之間沿器件橫向方向上不等間距。