本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種晶圓處理方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，首先通過(guò)半導(dǎo)體工藝在晶圓上形成多個(gè)芯片，然后通過(guò)切割工藝將晶圓切割成分離的芯片，在晶圓的切割道區(qū)域，介質(zhì)層中往往設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如，用于芯片測(cè)試的測(cè)試鍵，而導(dǎo)電材料的性質(zhì)與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前填充的介質(zhì)材料的性質(zhì)存在較大的差異，因此，需要使用激光切割工藝來(lái)切割介質(zhì)層和位于介質(zhì)層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。然而，在激光切割的執(zhí)行過(guò)程中，氣態(tài)物質(zhì)向上揮發(fā)遇冷易凝結(jié)形成熔渣，導(dǎo)致晶圓/芯片的表面被污染。因此，需要進(jìn)一步優(yōu)化晶圓的切割工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開提供一種晶圓處理方法，包括：

2、提供第一晶圓和第二晶圓；所述第一晶圓包括襯底和位于所述襯底沿第一方向相對(duì)的兩側(cè)中的一側(cè)的鍵合表面；所述第一方向?yàn)樗龅谝痪A的厚度方向；

3、將所述第一晶圓與所述第二晶圓臨時(shí)鍵合，并在所述鍵合表面與所述第二晶圓之間形成臨時(shí)鍵合層；

4、以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓進(jìn)行激光切割。

5、在一種可選的實(shí)施方式中，所述第一晶圓包括沿第二方向延伸的第一切割道區(qū)域和沿第三方向延伸的第二切割道區(qū)域；所述第二方向與所述第三方向相交，且均與所述第一方向垂直；所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓進(jìn)行激光切割，包括：

6、以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第一激光切割，以在所述第一切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第一溝槽；所述第一溝槽沿所述第二方向延伸；

7、以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割，以在所述第二切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第二溝槽；所述第二溝槽沿所述第三方向延伸。

8、在一種可選的實(shí)施方式中，所述第一切割道區(qū)域和所述第二切割道區(qū)域均包括介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第一激光切割和所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割，包括：

9、以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一切割道區(qū)域中的介質(zhì)層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)執(zhí)行所述第一激光切割；

10、以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第二切割道區(qū)域中的介質(zhì)層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)執(zhí)行所述第二激光切割。

11、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

12、在所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓進(jìn)行激光切割之前，對(duì)所述第二晶圓執(zhí)行第一刻蝕，以在所述第二晶圓中形成暴露所述第一切割道區(qū)域的第三溝槽；

13、所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第一激光切割，以在所述第一切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第一溝槽，包括：

14、沿所述第三溝槽對(duì)所述第一切割道區(qū)域執(zhí)行所述第一激光切割，以形成所述第一溝槽。

15、在一種可選的實(shí)施方式中，所述對(duì)所述第二晶圓執(zhí)行第一刻蝕，以在所述第二晶圓中形成暴露所述第一切割道區(qū)域的第三溝槽，包括：

16、形成覆蓋所述第二晶圓的圖案化光刻膠層；

17、以所述圖案化光刻膠層為掩膜刻蝕所述第二晶圓，以形成暴露所述臨時(shí)鍵合層的第四溝槽；

18、去除剩余的所述圖案化光刻膠層和被暴露的所述臨時(shí)鍵合層，以在所述第二晶圓中形成所述第三溝槽。

19、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

20、在所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割之前，將所述第一晶圓與所述第二晶圓解鍵合；

21、將所述第二晶圓旋轉(zhuǎn)后再次與所述第一晶圓臨時(shí)鍵合，以使所述第三溝槽暴露所述第一晶圓中的所述第二切割道區(qū)域；

22、所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割，以在所述第二切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第二溝槽，包括：

23、沿所述第三溝槽對(duì)所述第二切割道區(qū)域執(zhí)行所述第二激光切割，以形成所述第二溝槽。

24、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

25、在所述對(duì)所述第二晶圓執(zhí)行第一刻蝕，以在所述第二晶圓中形成暴露所述第一切割道區(qū)域的第三溝槽之后或者同時(shí)，對(duì)所述第二晶圓執(zhí)行第二刻蝕，以在所述第二晶圓中形成暴露所述第二切割道區(qū)域的第五溝槽；所述第五溝槽與所述第三溝槽連通；

26、所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割，以在所述第二切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第二溝槽，包括：

27、沿所述第五溝槽對(duì)所述第二切割道區(qū)域執(zhí)行所述第二激光切割，以形成所述第二溝槽。

28、在一種可選的實(shí)施方式中，所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第一激光切割，以在所述第一切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第一溝槽和所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓執(zhí)行第二激光切割，以在所述第二切割道區(qū)域中形成暴露所述襯底的第二溝槽，包括：

29、從所述第二晶圓沿所述第一方向相對(duì)的兩側(cè)中遠(yuǎn)離所述第一晶圓的一側(cè)對(duì)所述第二晶圓和所述第一晶圓中的所述第一切割道區(qū)域執(zhí)行所述第一激光切割，以在所述第二晶圓中形成第一開口，并在所述第一切割道區(qū)域中形成所述第一溝槽；所述第一開口與所述第一溝槽連通；

30、從所述第二晶圓沿所述第一方向相對(duì)的兩側(cè)中遠(yuǎn)離所述第一晶圓的一側(cè)對(duì)所述第二晶圓和所述第一晶圓中的所述第二切割道區(qū)域執(zhí)行所述第二激光切割，以在所述第二晶圓中形成第二開口，并在所述第二切割道區(qū)域中形成所述第二溝槽；所述第二開口與所述第二溝槽連通。

31、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

32、以所述第二晶圓為掩膜對(duì)所述第一溝槽暴露的襯底執(zhí)行第三刻蝕；

33、以所述第二晶圓為掩膜對(duì)所述第二溝槽暴露的襯底執(zhí)行第四刻蝕。

34、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

35、將所述第一晶圓和所述第二晶圓解鍵合，以暴露所述第一晶圓的所述鍵合表面。

36、在一種可選的實(shí)施方式中，所述晶圓處理方法還包括：

37、在所述以所述第二晶圓為阻擋層對(duì)所述第一晶圓進(jìn)行激光切割之前，從所述第二晶圓沿所述第一方向相對(duì)的兩側(cè)中遠(yuǎn)離所述第一晶圓的一側(cè)對(duì)所述第二晶圓進(jìn)行減薄處理。

38、在一種可選的實(shí)施方式中，所述第二晶圓包括半導(dǎo)體材料、透明材料或者半透明材料。

39、在本公開所提供的技術(shù)方案中，與第一晶圓臨時(shí)鍵合的第二晶圓可以作為對(duì)第一晶圓執(zhí)行激光切割的阻擋層，激光切割過(guò)程中產(chǎn)生的熔渣可以沉積在第二晶圓遠(yuǎn)離第一晶圓的一側(cè)表面上，從而可以避免熔渣污染第一晶圓的鍵合表面，減小對(duì)于后續(xù)的鍵合工藝產(chǎn)生負(fù)面影響。此外，包括溝槽的第二晶圓還可以作為對(duì)第一晶圓中的襯底執(zhí)行刻蝕的掩膜層，從而可以省略在激光切割工藝后再形成掩膜層的工藝步驟，避免由于激光切割產(chǎn)生的熔渣沉積在鍵合表面上而導(dǎo)致后續(xù)形成的掩膜層可靠性較差的問(wèn)題，并且可以避免在已經(jīng)形成溝槽的晶圓上形成掩膜層，從而可以在避免鍵合表面被污染的同時(shí)提高后續(xù)刻蝕工藝的可靠性。