1.一種激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，檢測(cè)聚焦物鏡與加工聚焦物鏡同軸共線設(shè)置，在加工過(guò)程中，根據(jù)獲得的樣品內(nèi)部改性層的吸收光譜，得到樣品內(nèi)部改性層的實(shí)時(shí)分析結(jié)果，再通過(guò)上位機(jī)控制激光器的輸出功率與重復(fù)頻率和移動(dòng)平臺(tái)的移動(dòng)速度，實(shí)時(shí)調(diào)整控制樣品內(nèi)部改性層的厚度和改性程度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，由樣品未加工區(qū)域底部反射的檢測(cè)光束按原光路返回至檢測(cè)聚焦物鏡變?yōu)槠叫泄?，該平行光?jīng)第一半透半反鏡形成反射光束和透過(guò)光束，反射光束聚焦至成像組件，透過(guò)光束通過(guò)檢測(cè)光纖收集至光譜儀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)光纖為微區(qū)光纖，微區(qū)光纖一端為用于接收透過(guò)光束的端口，該端口通過(guò)光纖固定器固定，用于收集檢測(cè)聚焦物鏡近軸處直徑為10μm范圍內(nèi)的反射光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述微區(qū)光纖另一端設(shè)有兩個(gè)接口，一個(gè)接口用于連接光譜儀，另一個(gè)接口用于連接照明光源，照明光源發(fā)出的光束經(jīng)微區(qū)光纖導(dǎo)入至檢測(cè)聚焦物鏡。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的激光隱形切割改性層厚度與改性程度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)光路包括準(zhǔn)直器、濾光片、第二半透半反鏡，鹵素光源發(fā)出的檢測(cè)光束經(jīng)光纖導(dǎo)入至準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器把光纖中的發(fā)射光進(jìn)行準(zhǔn)直并變?yōu)槠叫泄?，再?jīng)濾光片使得長(zhǎng)波段通過(guò)，最終經(jīng)第二半透半反鏡照射到檢測(cè)聚焦物鏡。
7.一種用于如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)方法的設(shè)備，其特征在于，包括加工光路安裝板、檢測(cè)光路安裝板、檢測(cè)光路調(diào)節(jié)板、連接架、移動(dòng)平臺(tái)和上位機(jī)；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測(cè)光纖另一端還連接有照明光源，照明光源發(fā)出的光束經(jīng)檢測(cè)光纖導(dǎo)入至檢測(cè)聚焦物鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測(cè)光纖為微區(qū)光纖，用于收集檢測(cè)聚焦物鏡近軸處直徑為10μm范圍內(nèi)的反射光。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測(cè)光路包括準(zhǔn)直器、濾光片、第二半透半反鏡，所述鹵素光源發(fā)出的檢測(cè)光束經(jīng)光纖導(dǎo)入至準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器把光纖中的發(fā)射光進(jìn)行準(zhǔn)直并變?yōu)槠叫泄?，再?jīng)濾光片使得長(zhǎng)波段通過(guò)，最終經(jīng)第二半透半反鏡照射到檢測(cè)聚焦物鏡。