本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種薄膜處理設(shè)備，特別涉及一種用以處理柔性基板的設(shè)備，且更特別地涉及卷對(duì)卷式(Roll-to-Roll,R2R)系統(tǒng)。本公開(kāi)的實(shí)施例特別涉及對(duì)卷對(duì)卷式化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)的處理腔室進(jìn)行等離子體清洗的設(shè)備及方法。

背景技術(shù)：

柔性基板(諸如，塑料膜或箔)的處理在封裝產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及其他產(chǎn)業(yè)中具有高的需求。處理可包括利用所需材料(諸如，金屬、半導(dǎo)體及電介質(zhì)材料)對(duì)柔性基板進(jìn)行涂布、蝕刻、以及在基板上執(zhí)行的其他處理步驟以便于所需的應(yīng)用。執(zhí)行這項(xiàng)任務(wù)的系統(tǒng)大致包括涂布滾筒(coating drum)(例如，圓柱形輥)，其耦接至處理系統(tǒng)以用來(lái)傳送基板，在所述涂布滾筒上處理基板的至少一部分。卷對(duì)卷式涂布系統(tǒng)可因此提供高產(chǎn)量系統(tǒng)。

通常，涂布工藝(諸如，化學(xué)蒸發(fā)工藝或熱蒸發(fā)工藝)可用來(lái)將薄的材料層沉積于柔性基板上。然而，卷對(duì)卷式沉積系統(tǒng)在顯示器產(chǎn)業(yè)及光伏(PV)產(chǎn)業(yè)中也歷經(jīng)了強(qiáng)烈的需求增長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，觸控面板元件、柔性顯示器及柔性PV模塊導(dǎo)致在卷對(duì)卷式涂布機(jī)中沉積適合的層(尤其在低制造成本的情況下)的需求增加。然而，這種裝置通常具有若干層，其通常以CVD工藝、特別還是PECVD工藝來(lái)制造。

具有例如CVD、PECVD和/或PVD源的沉積設(shè)備可能在沉積源的屏蔽件和/或周圍部件上產(chǎn)生沉積。為了避免交叉污染效應(yīng)并且確保長(zhǎng)期工藝穩(wěn)定性，必須執(zhí)行設(shè)備清洗程序以便后續(xù)使用。通常，針對(duì)此目的，手動(dòng)打開(kāi)并清洗處理腔室。然而，這是耗費(fèi)時(shí)間的，且可能導(dǎo)致機(jī)器停機(jī)時(shí)間增加，使得難以在與對(duì)腔室通氣之前相同的條件下在后續(xù)的或替換的柔性基板上進(jìn)行處理。

因此，本領(lǐng)域中需要一種用于處理柔性基板(諸如OLED結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其他現(xiàn)代的更為復(fù)雜的裝置)的高效設(shè)備以確?；瀹a(chǎn)量最大化，且停機(jī)時(shí)間最小化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述，提供一種用于處理柔性基板的設(shè)備及清洗其處理腔室的方法。本發(fā)明的進(jìn)一步的方面、優(yōu)點(diǎn)及特征從從屬權(quán)利要求、說(shuō)明書(shū)及所附附圖中變得顯而易見(jiàn)。

在一方面，提供一種用于處理柔性基板的設(shè)備。設(shè)備包括處理腔室、涂布滾筒、一個(gè)或更多個(gè)沉積源以及一快門裝置，所述涂布滾筒在處理腔室中并且配置成支撐柔性基板，所述一個(gè)或更多個(gè)沉積源布置在處理腔室中，所述快門裝置設(shè)置在處理腔室內(nèi)并且配置成在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔。

在另一方面，提供一種用于處理柔性基板的設(shè)備的屏蔽箔。屏蔽箔包括一個(gè)或更多個(gè)切口，這些切口對(duì)應(yīng)于設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)沉積源的位置。

在又一其他方面，提供一種用于在不破壞處理腔室中的真空的情況下清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法。設(shè)備包括快門裝置，所述快門裝置設(shè)置在處理腔室內(nèi)并且配置成在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔。此方法包括由快門裝置在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間引導(dǎo)屏蔽箔；在處理腔室中開(kāi)始第一抽吸和凈化工藝；提供清洗或蝕刻氣體至處理腔室；等離子體清洗處理腔室；以及在處理腔室中開(kāi)始第二抽吸和凈化工藝。

在又另一方面，提供一種用于處理柔性基板的設(shè)備。設(shè)備包括處理腔室、涂布滾筒、一個(gè)或更多個(gè)沉積源以及快門裝置，所述涂布滾筒在處理腔室內(nèi)并且配置成支撐柔性基板，所述一個(gè)或更多個(gè)沉積源布置在處理腔室中，所述快門裝置設(shè)置在處理腔室內(nèi)?？扉T裝置包括至少一個(gè)臂，所述至少一個(gè)臂具有第一部分及第二部分，其中第一部分提供此臂的旋轉(zhuǎn)軸，且其中屏蔽箔可連接至第二部分?？扉T裝置配置成通過(guò)臂繞著旋轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔。

實(shí)施例還針對(duì)用于實(shí)行所公開(kāi)的方法的設(shè)備，并包括用于執(zhí)行每一個(gè)所公開(kāi)的方法步驟的設(shè)備部件。這些方法步驟可通過(guò)硬件組件、由合適的軟件編程的計(jì)算機(jī)、這兩者的任何組合或以任何其他的方式來(lái)執(zhí)行。再者，根據(jù)發(fā)明的實(shí)施例還針對(duì)上述設(shè)備操作所用的方法。此方法包括用于實(shí)行設(shè)備的每個(gè)功能的方法步驟。

附圖說(shuō)明

因此，為了詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征的方式，可通過(guò)參考實(shí)施例得到以上簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更加具體的說(shuō)明。所附附圖有關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例并且描述如下：

圖1A示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的處理腔室的部分的示意圖。

圖1B示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于沉積或涂布薄膜的卷對(duì)卷式沉積設(shè)備的示意圖。

圖2示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的涂布滾筒的側(cè)視剖面圖。

圖3示出圖2所示的用于處理柔性基板的設(shè)備的快門裝置的示意圖。

圖4示出用于處理柔性基板的設(shè)備以及處于不同位置的快門裝置的詳細(xì)立體圖。

圖5示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的涂布滾筒的前視剖面圖。

圖6示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的區(qū)段的平面圖。

圖7示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的另一設(shè)備的處理部分的側(cè)視剖面圖。

圖8示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的圖7的設(shè)備和具有切口的屏蔽箔的前視圖。

圖9示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的又一設(shè)備的處理部分的側(cè)視剖面圖。

圖10示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施例，實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)示例在附圖中示出。在以下對(duì)附圖的描述中，相同的參考標(biāo)號(hào)指稱相同的部件。大體上，僅相對(duì)于個(gè)別實(shí)施例的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。每一個(gè)示例作為對(duì)本發(fā)明的解釋來(lái)提供，且不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的限制。進(jìn)一步，作為一個(gè)實(shí)施例的一部分所描繪或描述的特征可使用在其他實(shí)施例上或與其他實(shí)施例結(jié)合使用，以產(chǎn)生另一實(shí)施例。此描述意在包括這樣的修改與變型。

這里要注意的是，本文所述實(shí)施例中所使用的柔性基板或腹板(web)可通常表征為它是可彎曲的。用語(yǔ)“腹板(web)”可與用語(yǔ)“條帶(strip)”或用語(yǔ)“柔性基板”同義地使用。舉例來(lái)說(shuō)，本文實(shí)施例中所述的腹板可以是箔或其他柔性基板。

本文所使用的用語(yǔ)“屏蔽箔(shielding foil)”意在表示通常由不同于柔性基板的材料的材料所制成的箔。例如，此箔可由金屬合金(諸如，例如不銹鋼)所構(gòu)成。根據(jù)本文的實(shí)施例，屏蔽箔可例如具有10微米至300微米的厚度，特別是50微米至125微米的厚度。用語(yǔ)“屏蔽箔”的意思可等同于用語(yǔ)“犧牲箔(sacrificial foil)”。

本文所述的實(shí)施例總體上涉及一種用于處理柔性基板的設(shè)備，以及用于在不破壞處理腔室中的真空的情況下清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法。設(shè)備包括處理腔室內(nèi)的快門裝置(shutter device)?？扉T裝置配置成在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔。具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔可覆蓋沉積源下方的區(qū)域，且可進(jìn)行等離子體清洗而不影響柔性基板和/或涂布滾筒。

在本文所公開(kāi)的實(shí)施例中，不需要在清洗之前破壞真空，由于快門裝置可在清洗工藝期間、甚至當(dāng)處理腔室密封或排空時(shí)，移動(dòng)屏蔽箔以保護(hù)涂布滾筒。進(jìn)一步，本實(shí)施例允許在不移除柔性基板(例如，從等離子體清洗區(qū)域)的情況下執(zhí)行清洗工藝(諸如，NF3清洗工藝)。對(duì)腔室進(jìn)行凈化和抽吸不一定需要移除柔性基板。柔性基板(諸如，腹板箔)的長(zhǎng)度可以長(zhǎng)達(dá)數(shù)百米。即使某些工藝必須要它們之間進(jìn)行清洗(例如在整個(gè)基板長(zhǎng)度被處理之前)，在不移除柔性基板的情況下進(jìn)行也是有可能的。本文所描述的實(shí)施例尤其可在腹板涂布機(jī)器中使用。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，用于處理柔性基板的設(shè)備100的處理腔室的一部分(特別是用于將薄膜沉積在柔性基板上的部分)在圖1A中示例性地示出。

設(shè)備100包括處理腔室、涂布滾筒110、一個(gè)或更多個(gè)沉積源以及快門裝置200，所述涂布滾筒110在處理腔室中并配置成支撐柔性基板300，所述一個(gè)或更多個(gè)沉積源布置在處理腔室中，所述快門裝置200設(shè)置在處理腔室內(nèi)并配置成在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔300。通常，一個(gè)或更多個(gè)沉積源被設(shè)置成在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間存在一縫隙?？p隙可具有約0.5至50毫米的寬度。在一些實(shí)施方式中，快門裝置200可配置成在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間的縫隙中移動(dòng)屏蔽箔300。通常，設(shè)備100進(jìn)一步包括腹板引導(dǎo)系統(tǒng)，所述腹板引導(dǎo)系統(tǒng)包括數(shù)個(gè)輥，諸如偏轉(zhuǎn)輥、引導(dǎo)輥、展開(kāi)輥(spreader rollers)，以及用于退繞和重繞腹板的輥。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可包括至少一個(gè)第一部分及至少一個(gè)第二部分。第一部分可提供快門裝置200的旋轉(zhuǎn)軸。屏蔽箔300可連接至第二部分，例如通過(guò)夾合、夾持、膠合、磁力、焊接及熔接中的至少一者連接至第二部分。屏蔽箔300也可稱為“百葉窗(jalousie)”?？扉T裝置200也可稱為“百葉窗快門(jalousie shutter)”。

通過(guò)繞著旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，附連至第二部分的屏蔽箔300可在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)。當(dāng)屏蔽箔300覆蓋沉積源下方的區(qū)域時(shí)，可進(jìn)行等離子體清洗。屏蔽箔300可經(jīng)由自動(dòng)引動(dòng)來(lái)移動(dòng)，例如在初始清洗程序開(kāi)始時(shí)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可設(shè)置在涂布滾筒110的下方(涂布滾筒110的下面)。屏蔽箔300可從涂布滾筒110的下面在向上的方向上移動(dòng)，以被定位在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間。通過(guò)使快門裝置200定位在涂布滾筒110下方，可最小化涂布滾筒110上方的設(shè)備部件、尤其是移動(dòng)的設(shè)備部件的數(shù)量。進(jìn)一步，從快門裝置200和/或屏蔽箔300釋放出的顆粒掉落至例如是工藝腔室的底部，而不會(huì)到達(dá)或橫越沉積區(qū)。鑒于此，可防止沉積工藝受到雜質(zhì)的污染，且特別是防止涂層受到雜質(zhì)的污染。換句話說(shuō)，最小化了顆粒風(fēng)險(xiǎn)。屏蔽箔對(duì)清洗物質(zhì)有抵抗性，以使得屏蔽箔可重復(fù)使用，即，在每一個(gè)清洗工藝后并不需替換屏蔽箔。

如圖1A所示，在一些實(shí)施方式中，涂布滾筒110可被屏蔽結(jié)構(gòu)真空凸緣112所圍繞。真空凸緣112可具有與其附連的工藝腔室的蓋。這種蓋可包括多個(gè)開(kāi)口以便取用處理工具。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，設(shè)備可包括至少一個(gè)間隔裝置115，例如設(shè)置在涂布滾筒110的一側(cè)。在一些實(shí)施例中，設(shè)備100可在涂布滾筒110的各側(cè)包括一個(gè)間隔裝置115。間隔裝置115可以是圓形，或者可以是圓形的一部分，其中間隔裝置115的直徑可比涂布滾筒110的直徑大。間隔裝置115可配置成支撐屏蔽箔300，特別是當(dāng)在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)屏蔽箔300時(shí)支撐屏蔽箔300。間隔裝置115可在涂布滾筒110或設(shè)置在其上的柔性基板與屏蔽箔300之間提供一縫隙。因此，當(dāng)在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)屏蔽箔300時(shí)，由于屏蔽箔300沒(méi)有接觸涂布滾筒110或柔性基板，可最小化涂布滾筒110或柔性基板的損壞風(fēng)險(xiǎn)。

在一些其他實(shí)施方式中，設(shè)備可不包括至少一個(gè)間隔裝置115，且當(dāng)在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)屏蔽箔300時(shí)，屏蔽箔300可能接觸或觸碰到涂布滾筒110或設(shè)置在其上的柔性基板。在此情況下，屏蔽箔300和承載柔性基板的涂布滾筒110以相同的速度移動(dòng)。換句話說(shuō)，可基本上不存在屏蔽箔300相對(duì)于涂布滾筒110的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

圖1B示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于沉積或涂布薄膜的卷對(duì)卷式沉積設(shè)備1000的示意圖。根據(jù)本文所述的實(shí)施例，設(shè)備1000可包括快門裝置。設(shè)備1000可包括至少三個(gè)腔室部分1020A、1020B及1020C。在腔室部分1020C處可提供作為處理工具的多個(gè)沉積源6300及蝕刻站4300。針對(duì)如本文所述的清洗工藝，處理工具(例如多個(gè)沉積源6300及蝕刻站4300)可用作蝕刻工具以便清洗處理腔室。柔性基板1060設(shè)置在第一輥7640(例如具有卷繞軸)上。柔性基板1060如箭頭1080所示的基板移動(dòng)方向所指示的那樣從輥7640退繞。分隔壁7010設(shè)置用于分隔腔室部分1020A及1020B。分隔壁7010可進(jìn)一步具有縫隙閘1400以用于使基板1060通過(guò)。真空凸緣1120設(shè)置在腔室部分1020B與1020C之間，且如上述參考圖1A所述，真空凸緣1120可設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口以便取用處理工具。

基板1060移動(dòng)通過(guò)沉積區(qū)域，沉積區(qū)域設(shè)置在涂布滾筒1100處并且對(duì)應(yīng)于多個(gè)沉積源6300位置。在操作期間，涂布滾筒1100繞著一軸轉(zhuǎn)動(dòng)，以使基板1060沿著箭頭1080的方向移動(dòng)。根據(jù)典型的實(shí)施例，將基板經(jīng)由一個(gè)、兩個(gè)或更多個(gè)輥從輥7640引導(dǎo)至涂布滾筒1100并從涂布滾筒1100引導(dǎo)至第二輥7640’(例如具有卷繞軸)，在基板被處理后，基板卷繞在卷繞軸上。

在一些實(shí)施方式中，第一腔室部分1020A被分隔為插頁(yè)(interleaf)腔室部分單元1020A1及基板腔室部分單元1020A2。因此，可提供插頁(yè)輥7660/7660’及插頁(yè)輥1050作為設(shè)備1000的模塊化元件。設(shè)備1000可進(jìn)一步包括預(yù)加熱單元1940，以加熱柔性基板。進(jìn)一步，可額外或替代地提供預(yù)處理等離子體源1920(例如RF等離子體源)，以在進(jìn)入腔室部分1020C之前用等離子體處理基板。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的又進(jìn)一步的實(shí)施例，也可選擇性地提供用以評(píng)估基板處理結(jié)果的光學(xué)測(cè)量單元4940和/或用以適配基板上的電荷的一個(gè)或更多個(gè)離子化單元4920。

圖2示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的涂布滾筒110的側(cè)視剖面圖。圖3示出圖2的設(shè)備的快門裝置200的示意圖。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可包括至少一個(gè)臂210，所述至少一個(gè)臂210具有至少一個(gè)第一部分211及至少一個(gè)第二部分212。第一部分211可提供臂210的旋轉(zhuǎn)軸。設(shè)備可具有一個(gè)第一部分211，設(shè)置在涂布滾筒110的一側(cè)；或可具有兩個(gè)第一部分211，每一個(gè)第一部分設(shè)置在涂布滾筒110的每一側(cè)。屏蔽箔300可連接至第二部分212，例如通過(guò)夾合、夾持、膠合、磁力、焊接及熔接中的至少一者連接至第二部分212。

通過(guò)使臂210繞著由第一部分211所定義的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，附連至第二部分212的屏蔽箔300可在涂布滾筒110與沉積源120之間移動(dòng)，且特別地可在上述提到的設(shè)置在涂布滾筒110與沉積源120之間的縫隙內(nèi)移動(dòng)。當(dāng)蝕刻程序初始時(shí)，臂210可繞著涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111移動(dòng)，并繞著涂布滾筒110傳送附連的屏蔽箔300。在一些實(shí)施方式中，屏蔽箔300可接觸涂布滾筒110或設(shè)置于其上的柔性基板。當(dāng)屏蔽箔300覆蓋沉積源120下方的區(qū)域時(shí)，可進(jìn)行等離子體清洗。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，臂210的旋轉(zhuǎn)軸基本上平行于涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111。具體來(lái)說(shuō)，臂210的旋轉(zhuǎn)軸可對(duì)應(yīng)于涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111。在一些實(shí)施方式中，第一部分211可附連至涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111，以便可繞著所述旋轉(zhuǎn)軸111旋轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施方式中，可提供軸承(諸如套筒軸承或滾子軸承)以使臂210可旋轉(zhuǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，臂210(尤其是第一部分211)可經(jīng)由軸承(諸如套筒軸承或滾子軸承)附連至涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111。

在一些實(shí)施方式中，第一部分211可基本上垂直于旋轉(zhuǎn)軸111延伸，尤其可從涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111至少延伸至涂布滾筒110的圓周表面。第一部分的長(zhǎng)度可至少等于或大于涂布滾筒110的直徑。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，第二部分212可基本上平行于涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111延伸，尤其可沿著涂布滾筒110的至少一部分圓周表面延伸。在一些實(shí)施方式中，第二部分312可基本上沿著涂布滾筒110的圓周表面的整個(gè)長(zhǎng)度延伸。在一些實(shí)施方式中，第二部分212可從第一部分211延伸。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，第一部分211可沿著第一方向延伸，第二部分212可沿著第二方向延伸，所述第二方向可基本上垂直于所述第一方向。在一些實(shí)施方式中，第一方向可基本上垂直于涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111，和/或第二方向可基本上平行于涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111。

盡管原則上有可能垂直于柔性基板傳送的方向移動(dòng)屏蔽工具以在清洗過(guò)程期間覆蓋并保護(hù)涂布滾筒，在這種情況下，涂布滾筒的曲度和屏蔽箔的曲度在傳送方向上不平行。屏蔽箔必須在它的寬度方向上彎曲。然而，當(dāng)它被卷至輥(如輥接收器220)時(shí)，它將會(huì)在它的長(zhǎng)度方向上變得彎曲。因此，剛性材料(如由金屬制成的屏蔽箔)可能會(huì)損壞。

參照?qǐng)D3，示出具有臂210的快門裝置200，臂210具有兩個(gè)第一部分211及一個(gè)第二部分212，第二部分212連接兩個(gè)第一部分211。第一部分211可設(shè)置在涂布滾筒110的相對(duì)側(cè)上。換句話說(shuō)，一個(gè)第一部分211可設(shè)置在涂布滾筒110的每一側(cè)上。

第一部分211可包括孔或中心孔213，配置用于提供與軸線或軸的連接，例如與涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸111連接。與中心孔213相關(guān)聯(lián)的可以是軸承(未繪示)，諸如套筒軸承或滾子軸承，以使第一部分211可旋轉(zhuǎn)。作為示例，軸承可設(shè)置在孔213內(nèi)，或可設(shè)置成圍繞孔213。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可包括驅(qū)動(dòng)器，配置成在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)屏蔽箔300。在一些實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器可配置成使臂210繞著由第一部分211提供的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。根據(jù)一些實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)器可包括馬達(dá)，諸如電馬達(dá)和/或氣動(dòng)馬達(dá)。

在一些實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器可經(jīng)由齒輪組件連接至第一部分211。此齒輪組件可包括設(shè)置在第一部分211的第一齒輪214。作為示例，第一齒輪214可設(shè)置為至少部分地圍繞由第一部分211所定義的旋轉(zhuǎn)軸，特別是中心孔213。齒輪組件也可包括第二齒輪215，第二齒輪215直接或間接地連接至驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，諸如馬達(dá)(例如電馬達(dá)和/或氣動(dòng)馬達(dá))。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可包括一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220，配置用于卷繞和/或退繞屏蔽箔300。一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220配置用于接收屏蔽箔300，且特別地用于接收或固持具有屏蔽箔300卷繞于其上的輥。因此，必要時(shí)，可容易地替換具有屏蔽箔300的輥。在一些實(shí)施例中，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器。作為示例，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器220，且屏蔽箔300的第二端部可連接至臂210的第二部分212。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220可設(shè)置在處理腔室內(nèi)。并且屏蔽箔300可(例如完全)設(shè)置在處理腔室內(nèi)，而不設(shè)置在處理腔室外。鑒于此，并不需要從外部(例如透過(guò)真空鎖定)將屏蔽箔引導(dǎo)至處理腔室內(nèi)。這樣有助于在不破壞處理腔室中的真空的情況下清洗處理腔室。

然而，在其他實(shí)施方式中，至少一個(gè)輥接收器可設(shè)置在處理腔室的外部。在這種情況下，屏蔽箔300可例如通過(guò)空氣鎖(air-lock)從外部供應(yīng)至處理腔室內(nèi)。在這種配置中，屏蔽箔300的第一端部仍可連接至輥接收器220，且屏蔽箔300的第二端部可連接至快門裝置，特別是臂210的第二部分212。

在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220中的至少一者可設(shè)置在涂布滾筒110的下方。通過(guò)將一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220定位在涂布滾筒110的下方，從一個(gè)或更多個(gè)輥接收器220和/或屏蔽箔300釋放出的顆粒掉落至例如處理腔室的底部，而不會(huì)到達(dá)或橫越沉積區(qū)。鑒于此，可防止沉積工藝受到雜質(zhì)的污染，且特別是防止涂層受到雜質(zhì)的污染。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，輥接收器220可包括接收部分222，配置用于接收屏蔽箔300或具有屏蔽箔300的輥，特別是配置用于接收具有屏蔽箔300卷繞于其上的輥。

在典型的實(shí)施方式中，輥接收器220可具有至少一個(gè)附接部221。附接部221可配置成提供輥接收器222或具有屏蔽箔300的輥與處理腔室之間的轉(zhuǎn)動(dòng)式連接。輥接收器222尤其可經(jīng)由至少一個(gè)附接部221裝設(shè)在處理腔室內(nèi)。作為示例，附接部221可包括或可連接至軸承(諸如套筒軸承和/或滾子軸承)，以提供轉(zhuǎn)動(dòng)式連接。在一些實(shí)施例中，附接部221可配置成至少使接收部分222繞著旋轉(zhuǎn)軸可轉(zhuǎn)動(dòng)。接收部分222的旋轉(zhuǎn)軸可基本上平行于涂布滾筒的旋轉(zhuǎn)軸。在典型的實(shí)施方式中，接收部分222可具有兩個(gè)附接部221，接收部分222的每一側(cè)上有一個(gè)附接部221。

在其他實(shí)施例中，輥接收器可包括數(shù)個(gè)附接部，且可不包括輥接收器。輥接收器可包括至少兩個(gè)獨(dú)立的(例如未連接的)附接部。輥接收器尤其可包括兩個(gè)附接部。附接部可配置成可連接至具有屏蔽箔300卷繞于其上的輥，尤其配置成可連接至具有屏蔽箔300卷繞于其上的輥的一側(cè)。附接部可配置成在具有屏蔽箔300的輥與處理腔室之間提供轉(zhuǎn)動(dòng)式連接。為此，附接部可包括或可連接至軸承(諸如套筒軸承和/或滾子軸承)。

在一些實(shí)施方式中，屏蔽箔300設(shè)置在輥接收器220上，且屏蔽箔300的第一端連接至臂210的第二部分212。當(dāng)臂210繞著旋轉(zhuǎn)軸111旋轉(zhuǎn)時(shí)，屏蔽箔300從輥接收器220退繞或展開(kāi)，且在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)，特別是在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間的縫隙內(nèi)移動(dòng)。進(jìn)一步參照?qǐng)D4來(lái)解釋。

圖4示出用于處理柔性基板的設(shè)備的處理部分以及處于不同位置的快門裝置的詳細(xì)透視圖。

例如在沉積工藝期間，快門裝置200的臂210可在第一位置240中。在第一位置240中，屏蔽箔300沒(méi)有設(shè)置在涂布滾筒110與沉積源120之間。作為示例，在第一位置240中，屏蔽箔300可處于卷繞或卷起狀態(tài)。為了在涂布滾筒110與沉積源120之間移動(dòng)屏蔽箔300，臂210可從第一位置240移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)(箭頭260所指)至第二位置250中。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)移動(dòng)臂210，屏蔽箔300從輥接收器220退繞、展開(kāi)或解開(kāi)。

在一些實(shí)施方式中，輥接收器220可包括收回機(jī)構(gòu)，例如基于彈簧的收回機(jī)構(gòu)，其提供與屏蔽箔300和/或臂210的移動(dòng)相反的力，特別是與屏蔽箔300和/或臂210從第一位置240移動(dòng)至第二位置250相反的力。因此，屏蔽箔300受張力，以使得屏蔽箔300尤其可在例如涂布滾筒與沉積源之間不會(huì)起皺和/或被纏繞的情況下在涂布滾筒與沉積源之間引導(dǎo)屏蔽箔300。

當(dāng)臂210從第二位置250返回至第一位置240中時(shí)，例如在已經(jīng)完成清洗工藝后，屏蔽箔300可重新卷繞或重新纏繞在輥接收器220上。在一些實(shí)施方式中，輥接收器220可包括上述提到的收回機(jī)構(gòu)，由此屏蔽箔300可被卷起，特別是處于繃緊的狀態(tài)以使得沒(méi)有皺褶和/或纏卷發(fā)生。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，輥接收器220可不包括收回機(jī)構(gòu)，但可包括驅(qū)動(dòng)器，諸如馬達(dá)，以便在輥接收器上重新卷繞屏蔽箔300。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，臂210可配置成旋轉(zhuǎn)約至少90°，特別是130°、140°、143°、150°或180°。換句話說(shuō)，第一位置240與第二位置250之間的角度或旋轉(zhuǎn)角度可以是約至少90°，且特別為130°、140°、143°、150°或180°。

鑒于上述，屏蔽箔300可覆蓋沉積源120下方的區(qū)域，且可在不影響柔性基板和/或涂布滾筒110的情況下進(jìn)行等離子體清洗。鑒于此，由于快門裝置200可在清洗工藝期間、甚至當(dāng)處理腔室密封或排空時(shí)，移動(dòng)屏蔽箔300以保護(hù)涂布滾筒110，所以在清洗前并不需要破壞真空。進(jìn)一步，本實(shí)施例允許執(zhí)行清洗工藝(諸如NF3清洗工藝)而不移除柔性基板(例如從等離子體清洗區(qū)域)。為了移除柔性基板不必對(duì)腔室進(jìn)行凈化和通氣。

圖5示出用于處理柔性基板且具有快門裝置的設(shè)備的處理部分的另一立體圖。

圖5的快門裝置可配置為上述參照?qǐng)D3描述的快門裝置200。圖5中，提供兩個(gè)第一部分211，涂布滾筒110的每一側(cè)上有一個(gè)第一部分211。輥接收器220可設(shè)置在涂布滾筒110的下方。作為示例，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器220，且屏蔽箔300的第二端部可連接至臂210的第二部分212。

在一些實(shí)施例中，涂布滾筒110的旋轉(zhuǎn)軸可以是或?qū)?yīng)于由第一部分211所提供的臂210的旋轉(zhuǎn)軸。具體來(lái)說(shuō)，其旋轉(zhuǎn)軸111或軸可配置用于固持涂布滾筒110與臂210(具體是臂210的第一部分211)兩者。

圖6示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的設(shè)備的處理部分的平面圖。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器，特別是連接至接收部分222，且屏蔽箔300的第二端部可連接至臂的第二部分212。在一些實(shí)施方式中，用于引導(dǎo)或使屏蔽箔偏向的一個(gè)或更多個(gè)引導(dǎo)輥或偏向輥223、224可設(shè)置在輥接收器的位置與第二部分212之間。輥223、224可配置成在涂布滾筒110的圓周表面的切線與屏蔽箔300的表面之間提供定義的角度。

柔性基板400可設(shè)置在涂布滾筒110上?？扉T裝置可配置成在沉積源120與柔性基板400之間移動(dòng)屏蔽箔300，并且可尤其配置成在沉積源120與柔性基板400間的縫隙內(nèi)移動(dòng)屏蔽箔300。由此，不需要在開(kāi)始清洗工藝(諸如，等離子體清洗工藝)之前從處理腔室移除柔性基板400，因?yàn)槿嵝曰?00被保護(hù)而免于受到清洗物質(zhì)(諸如NF3和SF6)的影響。

圖7示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的另一設(shè)備500的處理部分的側(cè)視剖面圖。圖8示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的圖7的設(shè)備500和具有切口301的屏蔽箔300的前視圖。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，設(shè)備500可包括兩個(gè)或更多個(gè)輥接收器510、520，配置用以卷繞和/或退繞屏蔽箔300。在一些實(shí)施方式中，設(shè)備500可包括第一輥接收器510和第二輥接收器520。作為示例，屏蔽箔300的第一端部可連接至第一輥接收器510，和/或屏蔽箔300的第二端部可連接至第二輥接收器520。輥接收器510和520可配置為上述的輥接收器220中的任一者。

在一些實(shí)施方式中，第一輥接收器510設(shè)置在涂布滾筒110的下方，第二輥接收器520設(shè)置在涂布滾筒110的上方。換句話說(shuō)，第一輥接收器510及第二輥接收器520設(shè)置在涂布滾筒110的基本上相對(duì)的側(cè)上。

在一些實(shí)施例中，第一輥接收器510和/或第二輥接收器520可包括收回機(jī)構(gòu)，例如基于彈簧的收回機(jī)構(gòu)，其提供趨向于卷繞或卷起屏蔽箔300的力。因此，屏蔽箔300受張力，以使得尤其可在屏蔽箔300不在涂布滾筒與沉積源之間起皺或纏繞的情況下在涂布滾筒與沉積源之間引導(dǎo)屏蔽箔300。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，屏蔽箔300包括一個(gè)或更多個(gè)切口301。在一些實(shí)施方式中，此一個(gè)或更多個(gè)切口分別對(duì)應(yīng)于一個(gè)或更多個(gè)沉積源120的位置。

在一些實(shí)施方式中，快門裝置配置成在至少第一位置與第二位置之間移動(dòng)屏蔽箔300。作為示例，在第一位置中，一個(gè)或更多個(gè)切口可相對(duì)于涂布滾筒110設(shè)置，使得它們對(duì)應(yīng)于一個(gè)或更多個(gè)沉積源120的位置。由于沉積源120面對(duì)柔性基板而不在其間設(shè)置屏蔽箔300，可執(zhí)行用于處理柔性基板的沉積工藝。在第二位置中，屏蔽箔300可設(shè)置在沉積源120與涂布滾筒110之間以便提供屏蔽。具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔300可覆蓋沉積源120下方的區(qū)域，并且可在不影響柔性基板和/或涂布滾筒110的情況下進(jìn)行等離子體清洗。更具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔300可覆蓋所有處理工具(例如沉積源120)下方的區(qū)域。

鑒于此，不需要在清洗之前破壞真空，因?yàn)榭扉T裝置可在清洗工藝期間、甚至當(dāng)處理腔室密封或排空時(shí)移動(dòng)屏蔽箔300以保護(hù)涂布滾筒110。進(jìn)一步，本實(shí)施例允許執(zhí)行清洗工藝(諸如，NF3清洗工藝)而不移除柔性基板(例如從等離子體清洗區(qū)域)。為了移除柔性基板而對(duì)腔室進(jìn)行凈化和通氣是不必要的。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，屏蔽箔300由金屬合金(特別是不銹鋼)所構(gòu)成。這讓屏蔽箔300對(duì)清洗工藝中所使用的清洗物質(zhì)(諸如NF3及SF6)有抵抗性。

快門裝置可配置成在至少第一位置與第二位置之間移動(dòng)屏蔽箔300。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置200可包括驅(qū)動(dòng)器，配置用于在第一位置與第二位置之間移動(dòng)屏蔽箔300。在一些實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)器可被配置來(lái)驅(qū)動(dòng)和/或旋轉(zhuǎn)第一輥接收器510和/或第二輥接收器520。根據(jù)一些實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)器可包括馬達(dá)，諸如電馬達(dá)和/或氣動(dòng)馬達(dá)。

作為示例，驅(qū)動(dòng)器可被配置來(lái)旋轉(zhuǎn)第一輥接收器510，第一輥接收器510可設(shè)置在涂布滾筒110的下方。第二輥接收器520可包括收回機(jī)構(gòu)，例如基于彈簧的收回機(jī)構(gòu)，其提供趨向于卷繞或卷起屏蔽箔300的力。因此，即使當(dāng)?shù)谝惠伣邮掌?10借助驅(qū)動(dòng)器旋轉(zhuǎn)時(shí)，屏蔽箔300也受張力，以使得尤其可在屏蔽箔300不在涂布滾筒與沉積源之間起皺或纏繞的情況下在涂布滾筒與沉積源之間引導(dǎo)屏蔽箔300。

在另一示例中，驅(qū)動(dòng)器可被配置來(lái)旋轉(zhuǎn)第二輥接收器520，第二輥接收器520可設(shè)置在涂布滾筒110的上方。第一輥接收器510可包括收回機(jī)構(gòu)，例如基于彈簧的收回機(jī)構(gòu)，其提供趨向于卷繞或卷起屏蔽箔300的力。因此，即使當(dāng)?shù)诙伣邮掌?20借助驅(qū)動(dòng)器旋轉(zhuǎn)時(shí)，屏蔽箔300也受張力，以使得尤其可在屏蔽箔300不在涂布滾筒與沉積源210之間起皺或纏繞的情況下在涂布滾筒與沉積源210之間引導(dǎo)屏蔽箔300。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置可包括線或帶以使屏蔽箔300在第一位置與第二位置之間移動(dòng)。此線或帶可具有第一端、第二端及中間部分。第一端可設(shè)置在第一輥接收器510處或靠近第一輥接收器510，第二端可設(shè)置在第二輥接收器520處或靠近第二輥接收器520。線或帶的中間部分可連接至屏蔽箔300，以使屏蔽箔300在第一位置與第二位置之間移動(dòng)。因此，屏蔽箔300可通過(guò)線或帶的移動(dòng)而移動(dòng)。用語(yǔ)屏蔽箔300的“中間部分”可指第一端部與第二端部之間的屏蔽箔300的任何部分。

快門裝置可包括驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)器配置成卷繞線或帶和/或退繞線或帶，以使屏蔽箔300在第一位置與第二位置之間移動(dòng)。具體而言，線或帶的第一端或第二端可連接至驅(qū)動(dòng)器，而另一端可連接至收回裝置。或者，第一端可連接至第一驅(qū)動(dòng)器，第二端可連接至第二驅(qū)動(dòng)器。在所有的情形中，屏蔽箔300可通過(guò)卷繞和/或退繞線或帶而在第一位置與第二位置間移動(dòng)。在一些實(shí)施方式中，線或帶由鋼(特別是不銹鋼)所制成。

在一些實(shí)施方式中，間隔裝置115可在其圓周表面上包括切口或倒角，以接收并引導(dǎo)線。切口或倒角的深度可基本上對(duì)應(yīng)于線的直徑，以確保線的中間部分與屏蔽箔300連接。

圖9示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于處理柔性基板的又一設(shè)備600的處理部分的側(cè)視剖面圖。

設(shè)備600包括處理腔室、涂布滾筒110、一個(gè)或更多個(gè)沉積源120以及快門裝置，所述涂布滾筒110在處理腔室中且配置成支撐柔性基板，所述一個(gè)或更多個(gè)沉積源120布置在處理腔室中，所述快門裝置設(shè)置在處理腔室內(nèi)且配置成在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120間移動(dòng)屏蔽箔300。

在一些實(shí)施方式中，涂布滾筒110可由屏蔽結(jié)構(gòu)所圍繞，以保護(hù)設(shè)置在處理腔室內(nèi)的至少一些元件，諸如例如用于使涂布滾筒110、冷卻裝置及電子裝置免受到沉積材料的污染或涂布的驅(qū)動(dòng)器。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，快門裝置可包括至少一個(gè)引導(dǎo)軌620及至少一個(gè)支架621，所述至少一個(gè)支架621配置成沿著引導(dǎo)軌620可移動(dòng)。支架621可連接至屏蔽箔300，以使屏蔽箔300在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間移動(dòng)，特別是使屏蔽箔300在涂布滾筒110與一個(gè)或更多個(gè)沉積源120之間的縫隙中移動(dòng)。此至少一個(gè)引導(dǎo)軌620及至少一個(gè)支架621可僅設(shè)置在涂布滾筒110的一側(cè)上。同樣，至少一個(gè)引導(dǎo)軌620及至少一個(gè)支架621可設(shè)置在涂布滾筒110的每一側(cè)上。作為示例，引導(dǎo)軌620可裝設(shè)在間隔裝置115上，如圖9所示?？扉T裝置可如上參考圖1所述那樣配置。

在一些實(shí)施方式中，快門裝置可包括一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610，配置用于卷繞和/或退繞屏蔽箔300。一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610可配置用于接收屏蔽箔300，特別是具有屏蔽箔300卷繞在其上的輥。因此，必要時(shí)，可容易地替換具有屏蔽箔300的輥。在一些實(shí)施例中，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器610。作為示例，屏蔽箔300的第一端部可連接至輥接收器610，且屏蔽箔300的第二端部可連接至支架621。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610可設(shè)置在處理腔室內(nèi)。并且屏蔽箔300可(例如完全)設(shè)置在處理腔室內(nèi)，而不設(shè)置在處理腔室外。不需要從外部(例如通過(guò)真空鎖定)將屏蔽箔引導(dǎo)至處理腔室內(nèi)。這樣有助于在不破壞處理腔室中的真空的情況下清洗處理腔室。

然而，在其他實(shí)施方式中，至少一個(gè)輥接收器610可設(shè)置在處理腔室的外部。在這種情況下，屏蔽箔300可例如通過(guò)空氣鎖從外部供應(yīng)至處理腔室內(nèi)。在這種配置中，屏蔽箔300的第一端部仍可連接至輥接收器610，且屏蔽箔300的第二端部可連接至快門裝置、特別是支架621。

在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610可設(shè)置在涂布滾筒110的下方。通過(guò)將一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610定位在涂布滾筒110的下方，從一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610和/或屏蔽箔300釋放出的顆粒掉落至例如處理腔室的底部，而不會(huì)到達(dá)或橫越沉積區(qū)。鑒于此，可防止沉積工藝受到雜質(zhì)的污染，且特別是防止涂層受到雜質(zhì)的污染。

一個(gè)或更多個(gè)輥接收器610可配置為上述圖1至圖8所述的輥接收器220中的任一者。

在一些其他實(shí)施方式中，設(shè)備600可包括第一輥接收器及第二輥接收器。作為示例，屏蔽箔300的第一端部可連接至第一輥接收器，和/或屏蔽箔300的第二端部可連接至第二輥接收器。第一輥接收器及第二輥接收器可配置為上述輥接收器220中的任一者。屏蔽箔300的中間部分可連接至支架621。因此，屏蔽箔300可通過(guò)支架621的移動(dòng)而移動(dòng)，尤其通過(guò)支架沿著引導(dǎo)軌620的移動(dòng)而移動(dòng)。用語(yǔ)屏蔽箔300的“中間部分”可表示第一端部與第二端部之間的屏蔽箔300的任何部分。

在一些實(shí)施方式中，第一輥接收器設(shè)置在涂布滾筒110的下方，第二輥接收器設(shè)置在涂布滾筒110的上方。換句話說(shuō)，第一輥接收器及第二輥接收器設(shè)置在涂布滾筒110的基本上相對(duì)的側(cè)上。

在一些實(shí)施例中，第一輥接收器和/或第二輥接收器可包括收回機(jī)構(gòu)，例如基于彈簧的收回機(jī)構(gòu)，其提供趨向于卷繞或卷起屏蔽箔300的力。因此，屏蔽箔300受張力，以使得尤其可在屏蔽箔300不在涂布滾筒與沉積源210之間起皺或纏繞的情況下在涂布滾筒與沉積源之間引導(dǎo)屏蔽箔300。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，屏蔽箔300包括一個(gè)或更多個(gè)切口301。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)切口分別對(duì)應(yīng)于一個(gè)或更多個(gè)沉積源120的位置。

在一些實(shí)施方式中，快門裝置的支架621配置成使屏蔽箔300在至少第一位置與第二位置之間移動(dòng)。作為示例，在第一位置中，一個(gè)或更多個(gè)切口可相對(duì)于涂布滾筒110設(shè)置，使得它們對(duì)應(yīng)于一個(gè)或更多個(gè)沉積源120的位置。由于沉積源120面對(duì)柔性基板且不在其間設(shè)置屏蔽箔300，可執(zhí)行用于處理柔性基板的沉積工藝。在第二位置中，屏蔽箔300可設(shè)置在沉積源120與涂布滾筒之間，以便提供屏蔽。具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔300可覆蓋沉積源下方的區(qū)域，可在不影響柔性基板和/或涂布滾筒的情況下進(jìn)行等離子體清洗。更具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔300可覆蓋所有處理工具(例如沉積源120)下方的區(qū)域。

鑒于此，不需要在清洗前破壞真空，因?yàn)榭扉T裝置的支架621可在清洗工藝期間、甚至當(dāng)處理腔室密封或抽吸時(shí)移動(dòng)屏蔽箔以保護(hù)涂布滾筒110。并且，本實(shí)施例允許執(zhí)行清洗工藝(諸如NF3清洗工藝)而不移除柔性基板(例如從等離子體清洗區(qū)域)。為了移除柔性基板而對(duì)腔室進(jìn)行凈化和通氣是不必要的。

圖10示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的用于清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法的流程圖。

大體上，本文所述的實(shí)施例涉及如上示例性地描述的柔性基板設(shè)備，以及用于清洗特別是這樣的設(shè)備的處理腔室的裝置與方法。舉例來(lái)說(shuō)，圖10示出用于在不破壞處理腔室中的真空的情況下和/或在不移除基板的情況下清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法700。此方法包括引導(dǎo)設(shè)置在處理腔室內(nèi)且在涂布滾筒與至少一個(gè)沉積源間的屏蔽箔(框701)；在處理腔室中開(kāi)始第一抽吸和凈化工藝(框702)；提供清洗或蝕刻氣體至處理腔室(框703)；等離子體清洗處理腔室(框704)；以及在處理腔室中開(kāi)始第二抽吸和凈化工藝(框705)。

因此，這些步驟(特別是關(guān)于抽吸和凈化步驟)的順序可以是任意的，只要在等離子體清洗期間，在涂布滾筒與至少一個(gè)沉積源之間設(shè)置屏蔽箔。

根據(jù)本文所述實(shí)施例，上述用于清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法可包括依照需求而開(kāi)始的許多附加步驟和/或工藝。

引導(dǎo)設(shè)置在處理腔室內(nèi)且在涂布滾筒與至少一個(gè)沉積源間的屏蔽箔的框701可利用上述參考圖1至圖8所描述的任何快門裝置。

可開(kāi)始第一抽吸和/或凈化過(guò)程702，以將遺留的處理氣體從處理腔室中去除。大體上，先啟動(dòng)泵，以將處理氣體(例如高度反應(yīng)的處理氣體)從處理腔室排出。之后，可將任意的凈化氣體(諸如氬氣和氮?dú)?引入至處理腔室中，以有助于凈化工藝。凈化氣體可接著被抽出處理腔室。泵通常在處理腔室內(nèi)部產(chǎn)生中度至高度的真空。舉例來(lái)說(shuō)，處理腔室內(nèi)部的真空可以從50×10^-1毫巴(mbar)至10^-7毫巴范圍中的任一值，特別是從10^-2毫巴至10^-6毫巴范圍的任一值，諸如10^-3毫巴。根據(jù)一些實(shí)施例，一些工藝殘余物(諸如氣體或固體材料)可能需要在清洗步驟前移除，以避免不想要的化學(xué)反應(yīng)。這通常采用抽吸和凈化工藝。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，如本所所述的抽吸和凈化工藝可包括數(shù)個(gè)循環(huán)，例如以下步驟的至少兩個(gè)或至少3個(gè)循環(huán)：抽吸至10^-2毫巴左右或以下且以高達(dá)10毫巴至20毫巴左右的壓力的惰性氣體(例如氬氣或氮?dú)?進(jìn)行凈化。然而，對(duì)于一些實(shí)施例，僅抽吸或僅凈化可能便足以準(zhǔn)備處理設(shè)備以便清洗。

通常，抽吸和/或凈化過(guò)程702可持續(xù)5分鐘至30分鐘內(nèi)的任意時(shí)間，諸如，例如20分鐘。此外，此過(guò)程可包括數(shù)個(gè)連續(xù)的抽吸和凈化循環(huán)，例如三個(gè)循環(huán)，每個(gè)循環(huán)各持續(xù)5分鐘。根據(jù)本文的實(shí)施例，檢測(cè)機(jī)構(gòu)(例如以傳感器的形式)可檢測(cè)是否需要連續(xù)的抽吸和/或凈化循環(huán)以將處理氣體從處理腔室移除。此檢測(cè)機(jī)構(gòu)可自動(dòng)開(kāi)始凈化和/或清洗工藝。

大體上，在可能包括高放熱反應(yīng)的涂布工藝后，可能期望冷卻柔性基板處理設(shè)備的涂布滾筒。例如，可在第一抽吸和/或凈化工藝之后和/或第一抽吸和/或凈化工藝期間的任選步驟中冷卻涂布滾筒。

根據(jù)本文所述實(shí)施例，可開(kāi)始等離子體清洗(例如等離子體蝕刻)過(guò)程框703，其可將雜質(zhì)和污染物從處理腔室內(nèi)的表面移除。通常，等離子體清洗過(guò)程在第一抽吸和/或凈化過(guò)程后開(kāi)始?？赏ㄟ^(guò)施加RF高頻(2MHz至2.45GHz)電壓來(lái)開(kāi)始等離子體清洗，從而使引入至處理腔室中的例如氟化氣體部分地和/或全部地離子化。在本文所述實(shí)施例中，處理腔室在等離子體清洗過(guò)程期間保持在低壓下。舉例來(lái)說(shuō)，處理腔室維持在10^-1毫巴至10^-4毫巴內(nèi)的任何壓力下，諸如在10^-2毫巴的壓力下。

通常，為了控制例如處理腔室內(nèi)的污染物移除速率，RF高頻(2MHz至2.45GHz)能量的強(qiáng)度可以是可調(diào)整的。大體上，可施加足夠的RF高頻(2MHz至2.45GHz)能量以產(chǎn)生高等離子體密度，從而可確保高的污染物移除速率。此外，高的等離子體密度可避免污染物的下層在三維方向上交聯(lián)，由此產(chǎn)生穩(wěn)定但未移除的新結(jié)構(gòu)。在本文所述的實(shí)施例中，可使用傳感器及控制器，以監(jiān)測(cè)并調(diào)整等離子體密度。

根據(jù)本文所述實(shí)施例，在等離子體清洗過(guò)程期間，涂布滾筒通常可以是直立不動(dòng)的。屏蔽箔大體覆蓋涂布滾筒，由此保護(hù)涂布滾筒的表面不受到清洗等離子體影響。與可與清洗等離子體反應(yīng)且由此被損傷的柔性基板相反，根據(jù)本文所述實(shí)施例的屏蔽箔相對(duì)于清洗等離子體可以是惰性的，且可在其他清洗過(guò)程中重復(fù)使用。這減少了浪費(fèi)的材料(基板)量，且可相當(dāng)多地減少CoO。進(jìn)一步地，減少或避免損傷基板的風(fēng)險(xiǎn)，損傷基板會(huì)使?jié)L筒通過(guò)基板的損傷部分暴露于清洗等離子體。

根據(jù)本文所述實(shí)施例，等離子體清洗過(guò)程在持續(xù)時(shí)間上可根據(jù)污染的程度與處理腔室的大小而變化。舉例來(lái)說(shuō)，等離子體清洗過(guò)程可持續(xù)2分鐘至25分鐘，特別是持續(xù)5分鐘至20分鐘，例如15分鐘。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，清洗工藝的時(shí)間可以是約10％至15％的沉積工藝的時(shí)間。在本文的實(shí)施例中，等離子體清洗過(guò)程也可包括一系列等離子體清洗循環(huán)，在所述一系列等離子體清洗循環(huán)中插入一個(gè)或多個(gè)抽吸和/或凈化循環(huán)以從處理腔室移除清洗氣體。為了清楚，這些抽吸和/或清洗循環(huán)將在下文被稱為第二抽吸和/或凈化過(guò)程。

在本文所述的實(shí)施例中，檢測(cè)機(jī)構(gòu)可檢測(cè)污染物是否仍殘留于處理腔室中，且可開(kāi)始另一抽吸和/或凈化過(guò)程，和/或開(kāi)始進(jìn)一步的等離子體清洗過(guò)程，接著是另一個(gè)抽吸和/或凈化過(guò)程。檢測(cè)機(jī)構(gòu)可開(kāi)始多次這樣的清洗過(guò)程，直到所有的污染物、清洗和/或處理氣體都已從處理腔室移除。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，在處理腔室已清洗至可接受或預(yù)定的水平，且第二抽吸和/或凈化過(guò)程框704已完成后，可開(kāi)始進(jìn)行對(duì)柔性基板的處理。

本文所述的實(shí)施例總體上涉及一種用于處理柔性基板的設(shè)備，以及一種用于在不破壞處理腔室中的真空的情況下清洗柔性基板處理設(shè)備的處理腔室的方法。此設(shè)備包括處理腔室內(nèi)的快門裝置。快門裝置配置成在涂布滾筒與一個(gè)或更多個(gè)沉積源之間移動(dòng)屏蔽箔，屏蔽箔也可設(shè)置在處理腔室內(nèi)。具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔可覆蓋沉積源下方的區(qū)域，且可在不影響柔性基板和/或涂布滾筒的情況下進(jìn)行等離子體清洗。更具體來(lái)說(shuō)，屏蔽箔300可覆蓋所有處理工具(例如沉積源120)下方的區(qū)域。

鑒于此，不需要在清洗之前破壞真空，因?yàn)榭扉T裝置設(shè)置在處理腔室內(nèi)，且可在清洗工藝期間、甚至當(dāng)處理腔室密封或排空時(shí)移動(dòng)屏蔽箔以保護(hù)涂布滾筒。進(jìn)一步，本實(shí)施例允許執(zhí)行清洗工藝(諸如NF3清洗工藝)而不移除柔性基板(例如從等離子體清洗區(qū)域)。為了移除柔性基板而對(duì)腔室進(jìn)行凈化和通氣是不必要的。柔性基板(諸如腹板箔)的長(zhǎng)度可以長(zhǎng)達(dá)數(shù)百米。即使某些工藝必須要在其間清洗，例如在處理基板長(zhǎng)度整體之前，有可能在不移除柔性基板的情況下進(jìn)行。本文所描述的實(shí)施例可尤其在進(jìn)行蝕刻工藝前用于腹板涂布機(jī)。

雖然前述內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例，但可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)確定。