1.一種片式薄膜固定電阻器的低阻保護(hù)層的制作方法，其特征在于：該方法采用SiO2作為靶材，射頻磁控濺射法在鎳鉻電阻體膜層上沉積一層均勻的SiO2保護(hù)膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式薄膜固定電阻器的低阻保護(hù)層的制作方法，其特征在于：所述射頻磁控濺射在真空度達(dá)到2.0x10-3Pa～6.0x10-4Pa，以20sccm～50sccm通入Ar，基片旋轉(zhuǎn)為10Hz～30Hz，射頻電源的輸出功率至800W～2000W進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述片式薄膜固定電阻器的低阻保護(hù)層的制作方法，其特征在于：射頻電源的輸出功率為1000W～2000W。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述片式薄膜固定電阻器的低阻保護(hù)層的制作方法，其特征在于：還包括將濺射SiO2的電阻器采用高溫精密熱風(fēng)烤箱350℃～400℃，熱處理2h～8h的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述片式薄膜固定電阻器的低阻保護(hù)層的制作方法，其特征在于：用氮化硅替換SiO2。