本發(fā)明涉及一種半導體鍍膜設備可控溫基臺，其內部包含基臺媒介熱價換腔體，以實現(xiàn)對基臺溫度的快速、準確、均勻控制。屬于半導體薄膜沉積應用及制造技術領域。

背景技術：

半導體設備在進行沉積反應時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應所需要的溫度，所以加熱盤必需具備加熱結構以滿足給晶圓預熱的目的。大多數(shù)半導體薄膜沉積設備，在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應，因等離子體能量的釋放以及化學氣體間反應的能量釋放，加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升，如果在進行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進行，這樣會耗費大量的時間，設備的產能相對比較低。如果晶圓和加熱盤的溫度升溫過快，晶圓和加熱盤的溫度會超出薄膜所需承受的溫度，致使薄膜失敗。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種半導體鍍膜設備可控溫基臺，解決工藝過程中基臺溫升過快降溫慢，導致現(xiàn)有半導體鍍膜設備熱交換效率及產能較低，晶圓溫度不夠均勻致使薄膜失敗的問題。需要有能夠自動調節(jié)基臺溫度的系統(tǒng)，來保證加熱盤的溫度。通過循環(huán)媒介的自動控溫，可以實現(xiàn)加熱盤溫度的自動調節(jié)，能夠精確的控制基臺的溫度。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種半導體鍍膜設備可控溫基臺，該基臺包括上盤體與下盤體，上盤體與下盤體之間形成密封腔，所述密封腔內可通入媒介進行溫度調節(jié)，在基臺上開設媒介入口與媒介出口通入密封腔內，用于媒介的循環(huán)。

本發(fā)明進一步地，所述上盤體的下表面邊緣設置邊緣凸臺。

本發(fā)明進一步地，上盤體與下盤體之間通過陶瓷柱固定。

本發(fā)明進一步地，所述陶瓷柱均勻分布在上盤體或下盤體靠近邊緣處。

本發(fā)明進一步地，在所述上盤體的中心位置設置中心凸臺，在中心凸臺上開設媒介進口與媒介出口，在下盤體相連的基臺支撐柱內設置媒介進管與媒介出管，所述媒介進口與媒介出口分別于媒介進管與媒介出管相連。

本發(fā)明進一步地，在所述陶瓷柱的四周設置連接凸臺用于將上盤體與下盤體焊接后密封。

本發(fā)明進一步地，支撐柱內通入熱電偶通入到密封腔的中心凸臺處。

本發(fā)明進一步地，該基臺還包括有溫控系統(tǒng)，所述溫控系統(tǒng)包括控制器與機械泵，所述控制器的輸入端連接熱電偶的輸出端，控制器的輸出端與機械泵的控制端連接，機械泵的輸出口與輸入口分別與媒介進管與媒介出管連接。

本發(fā)明進一步地，所述控制器的核心為單片機。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，有益效果在于：

1、本發(fā)明采用媒介在上盤體與下盤體形成的密封腔內循環(huán)通過控制媒介的溫度從而達到控制基臺的溫度，對媒介質進行冷卻和加熱，從而實現(xiàn)精確控制的目的。

2、通過在上盤體上設置凸臺進行焊接，組裝時方式簡單，且不容易漏水。

3、在中心凸臺上設置媒介進口與媒介出口而不是在下盤體上直接設置，從而使得媒介循環(huán)能過直接打到上盤體實現(xiàn)對上盤體的快速溫度控制。

4、在熱電偶直接通過中心凸臺通入到上盤體實現(xiàn)對上盤體溫度的準確測量。

5、在熱電偶直接通過中心凸臺通入到上盤體實現(xiàn)對上盤體溫度的準確測量。

6、在陶瓷柱的四周設置連接凸臺，通過對凸臺的焊接，實現(xiàn)基臺外部與密封腔的密封設置。

7、本發(fā)明結構能夠自動調節(jié)基臺溫度的系統(tǒng)，來保證加熱盤的溫度。通過 循環(huán)媒介的自動控溫，可以實現(xiàn)加熱盤溫度的自動調節(jié)，能夠精確的控制基臺的溫度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的結構爆炸圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的上盤體結構示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的下盤體結構示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的溫控系統(tǒng)框圖；

圖中所示：

1、上盤體；2、陶瓷柱；3、下盤體；4、陶瓷柱安裝螺母；5、螺紋孔；6、陶瓷柱孔；7、上盤面媒介進口；8、熱電偶孔；9、上盤面媒介出口；10、下盤面媒介出口；11、下盤面媒介進口；12、熱電偶安裝螺紋孔；13、邊緣凸臺；14、中心凸臺；15、控制器；16、機械泵；17、熱電偶。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參見圖1結合圖2和圖3，一種半導體鍍膜設備可控溫基臺，該基臺包括上盤體1與下盤體3，上盤體1與下盤體3之間形成密封腔，密封腔內可通入媒介進行溫度調節(jié)，媒介可以采用水，在基臺上開設媒介入口與媒介出口通入密封腔內，用于媒介的循環(huán)。

如圖1所示，上盤體1的下表面邊緣設置邊緣凸臺13，目的是為了與下盤體3進行焊接。設置具有一定高度的邊緣凸臺13，邊緣凸臺13的高度可按照設備的要求進行調節(jié)，在焊接后形成具有一定寬度的密封腔，通過在密封腔內通入媒介例如水，并通過控制媒介的溫度對基臺尤其是對上盤體進行溫度的控制。

參見圖1，上盤體1與下盤體3之間通過陶瓷柱2固定，陶瓷柱2均勻分 布在上盤體1或下盤體3靠近邊緣處。在上盤體對應陶瓷柱的位置設置陶瓷柱孔6，同樣在下盤體3盤面上，與陶瓷柱孔6對應的位置開有螺紋孔5，通過陶瓷安裝螺母4固定，之間通過陶瓷柱2連接，在陶瓷柱孔6的位置周圍也有同樣高度的連接凸臺用于焊接時的密封。

參見圖2，在上盤體1的中心位置設置相同高度的中心凸臺14，用于與加熱盤下盤體3進行密封，在中間位置的中心凸臺14結構處與上盤體1接觸開有上盤面媒介進口7、上盤面媒介出口9，通過上盤面媒介進口7、上盤面媒介出口9直接與上盤體接觸，使得媒介可以快速對上盤體1進行溫度的控制。

參見圖3，下盤體3盤面上，與上盤面1中上盤面媒介進口7、上盤面媒介出口9相對應的位置開有下盤面媒介進口11、下盤面媒介出口10，通過下盤面媒介進口11、下盤面媒介出口10連接媒介進管與媒介出管后將媒介通過上盤面媒介進口7、上盤面媒介出口9與密封腔內媒介進行循環(huán)，媒介進管與媒介出管設置在與下盤體連接的支撐柱上。

參見圖2與圖3，下盤體3盤面上設置熱電偶孔8、熱電偶安裝螺12，支撐柱內通入熱電偶通入到密封腔的中心凸臺14處，實現(xiàn)對上基體1的直接測溫。

參見圖4，該基臺還包括有溫控系統(tǒng)，溫控系統(tǒng)包括控制器15與機械泵，控制器15的核心為單片機，控制器15的輸入端連接熱電偶17的輸出端，控制器17的輸出端與機械泵16的控制端連接，機械泵16的輸出口與輸入口分別與媒介進管與媒介出管連接。通過熱電偶17反饋的溫度參數(shù)，通過控制器控制機械泵調節(jié)循環(huán)速度或者媒介溫度進行溫度的控制。

加工時，將上盤體1與下盤體3通過真空釬焊的方式進行焊接，然后將陶瓷柱2，安裝在陶瓷柱孔6內，通過陶瓷柱安裝螺母4對陶瓷柱2進行固定，完成整個結構的加工。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。