技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于線型沉積設(shè)備的線性源，其能夠在進行線式PECVD、線式ALD或諸如此類以產(chǎn)生線形高密度等離子體的線型沉積設(shè)備中使得沉積厚度在小面積或大面積基板上維持高的均勻度，從而在基板上沉積薄膜。線性源包括：接地單元，其設(shè)置在線性源的中央部以向下噴射前體；第一等離子體噴嘴單元，其以向著接地單元傾斜的方式設(shè)置在接地單元的左側(cè)，且適于通過從外側(cè)供應(yīng)的電力將工藝氣體轉(zhuǎn)變成等離子體，以向下噴射等離子體；以及第二等離子體噴嘴單元，其以向著接地單元傾斜的方式設(shè)置在接地單元的右側(cè)，且適于通過從外側(cè)供應(yīng)的電力將工藝氣體轉(zhuǎn)變成等離子體，以向下噴射等離子體。

技術(shù)研發(fā)人員：樸根魯
受保護的技術(shù)使用者：奈恩泰克有限公司
文檔號碼：201511021552
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.31
技術(shù)公布日：2017.06.16