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      針對由石墨構(gòu)成的PECVD舟皿的保護層的制作方法

      文檔序號:12285519閱讀:來源:國知局
      技術總結(jié)
      本發(fā)明涉及一種針對由石墨構(gòu)成的PECVD舟皿的經(jīng)改進的保護層,PECVD舟皿尤其是在光伏工業(yè)中用于容納晶圓以及用于在PECVD涂覆設備中傳輸晶圓或?qū)⒕A傳輸穿過PECVD涂覆設備。通過本發(fā)明應提供如下針對PECVD舟皿的保護層,利用該保護層能夠?qū)崿F(xiàn)在硅基底上制備出更好且更均質(zhì)的抗反射層。這通過如下方式來實現(xiàn),即,由石墨構(gòu)成的PECVD舟皿帶有能導電的硬質(zhì)材料涂覆部,該能導電的硬質(zhì)材料涂覆部由氮化鈦和/或由碳化鈦和/或由碳化硼(B4C)構(gòu)成。

      技術研發(fā)人員:托爾斯滕·科恩邁爾
      受保護的技術使用者:KGT石墨科技有限公司
      文檔號碼:201580007438
      技術研發(fā)日:2015.02.04
      技術公布日:2017.02.22

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