本發(fā)明涉及用于通過濺射法形成薄膜的包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的濺射靶及其制造方法。

背景技術(shù)：

在硬盤等磁記錄介質(zhì)中使用包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的薄膜。這樣的薄膜通常通過使用包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的靶進(jìn)行濺射而形成。眾所周知，濺射是指如下的成膜方法：向靶照射Ar離子，通過其撞擊能量將粒子從靶轟出，并將其在與靶對置的基板上形成以由靶材料構(gòu)成的物質(zhì)作為基本成分的薄膜。靶材料在高能量狀態(tài)下撞擊并沉積在基板表面，因此可以形成致密的膜。

關(guān)于Ni-P合金靶，例如，專利文獻(xiàn)1公開了一種Ni-P合金濺射靶，其包含12原子％～24原子％的P，氧含量為100重量ppm以下，并且剩余部分為Ni和不可避免的雜質(zhì)，其特征在于，將氧含量10重量ppm以下的Ni-P合金錠熔化，并在惰性氣體氣氛中進(jìn)行霧化處理，從而得到平均粒徑100μm以下的霧化粉，然后進(jìn)行熱壓或熱等靜壓。另外，記載了根據(jù)該發(fā)明可以抑制異常放電并且可以防止粉粒產(chǎn)生。

專利文獻(xiàn)2公開了一種Ni-P基靶的制造方法，其特征在于，得到以Ni和P作為主要成分的氣霧化粉末后，通過分級和/或粉碎使所得到的氣霧化粉末的最大粒徑為100μm以下，然后進(jìn)行加壓燒結(jié)，另外，公開了一種Ni-P基靶，其特征在于，最大粒徑為100μm以下，并且含氧量為300ppm以下。記載了根據(jù)該發(fā)明，靶的侵蝕部的表面粗糙度小于10μmRmax，從而可以抑制異物的產(chǎn)生。

專利文獻(xiàn)3公開了如下方法作為濺射靶的制造方法，將粉末熱固化成形并將其以144℃/小時～36000℃/小時的冷卻速度從成形溫度附近冷卻至300℃，由此對濺射靶賦予應(yīng)變，從而降低磁導(dǎo)率。需要說明的是，實施例189記載了對通過氣霧化法制造的Ni-P合金粉末在950℃下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)成形，但這樣的高溫下產(chǎn)生液相，組織脆而無法加工為靶形狀。

順便說一下，如上所述熔化Ni-P合金并進(jìn)行霧化加工的情況下，產(chǎn)生了P大量蒸發(fā)從而形成了與目標(biāo)組成不同的組成的(組成偏離的)霧化粉的問題。而且，使用產(chǎn)生了這樣的組成偏離的霧化粉進(jìn)行熱壓或熱等靜壓的情況下，產(chǎn)生了所得到的靶中的組成變得不均勻的問題。此外，還存在密度無法提高，無法得到高密度的靶的問題。

另外，關(guān)于Ni合金濺射靶，本申請人以前提供了以下技術(shù)。專利文獻(xiàn)4提供了通過提高Ni-Pt合金的純度，使Ni-Pt合金錠的硬度顯著降低而使壓延成為可能，從而穩(wěn)定且高效地制造軋制靶的技術(shù)。另外，專利文獻(xiàn)5提供了對鎳合金進(jìn)行鍛造、軋制等而不含粗晶粒的鎳合金靶。

與利用以往的方法制造的靶相比，這些技術(shù)具有防止靶的破裂或裂紋的產(chǎn)生，并且可以顯著抑制由于濺射的異常放電而造成的粉粒產(chǎn)生的優(yōu)良效果，但是鎳合金本身具有非常硬且脆的性質(zhì)，因此在抑制軋制鎳合金時產(chǎn)生的晶界破裂方面必然存在局限。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-309865號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2001-295033號公報

專利文獻(xiàn)3：日本專利第5337331號

專利文獻(xiàn)4：日本特開2010-47843號公報

專利文獻(xiàn)5：日本特開2003-213406號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的問題

本發(fā)明的課題在于提供一種組成均勻、密度高、能夠穩(wěn)定成膜的粉粒產(chǎn)生少的Ni-P合金濺射靶，以及與目標(biāo)組成的偏離小的Ni-P合金濺射靶的制造方法。另外，本發(fā)明的課題在于提供一種通過粉末冶金法穩(wěn)定且高效地制造高密度的Ni-Pt-P濺射靶的技術(shù)。

用于解決問題的手段

為了解決上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：對于Ni-P合金，通過混合燒結(jié)作為原料粉末的高熔點的Ni-P合金粉末和純Ni粉末，可以抑制P的蒸發(fā)并且可以嚴(yán)格地控制P含量。另外發(fā)現(xiàn)：對于Ni-Pt-P合金，通過在Ni原料粉末中添加規(guī)定量的P(磷)，可以提高燒結(jié)體靶的密度。

本發(fā)明人基于這樣的發(fā)現(xiàn)，提供以下的發(fā)明。

1)一種Ni-P合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶含有1原子％～10原子％的P，剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)，并且密度為90％以上。

2)如上述1)所述的Ni-P合金濺射靶，其特征在于，靶中的組成偏差為5％以內(nèi)。

3)如上述1)或2)所述的Ni-P合金濺射靶，其特征在于，靶的平均晶粒尺寸為100μm以下。

4)一種Ni-P合金濺射靶的制造方法，其特征在于，熔化含有15重量％～21重量％的P且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金，并進(jìn)行霧化加工，從而制造平均粒徑100μm以下的Ni-P合金霧化加工粉，然后將Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合，并對其進(jìn)行熱壓。

5)如上述4)所述的Ni-P合金濺射靶的制造方法，其特征在于，在熱壓后進(jìn)行熱等靜壓。

6)一種Ni-Pt-P合金濺射靶，其特征在于，所述濺射靶含有1原子％～10原子％的P、含有1原子％～30原子％的Pt，剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)，并且密度為95％以上。

7)如上述6)所述的Ni-Pt-P濺射靶，其特征在于，靶中的組成偏差為5％以內(nèi)。

8)如上述6)或7)所述的Ni-Pt-P濺射靶，其特征在于，靶的平均晶粒尺寸為100μm以下。

9)一種Ni-Pt-P合金濺射靶的制造方法，其特征在于，熔化含有15重量％～21重量％的P且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金，并進(jìn)行霧化加工，從而制造平均粒徑100μm以下的Ni-P合金霧化加工粉，然后將Ni霧化粉末和Pt粉末與該Ni-P合金霧化加工粉混合，并對其進(jìn)行熱壓。

10)如上述9)所述的Ni-Pt-P濺射靶的制造方法，其特征在于，在熱壓后進(jìn)行熱等靜壓。

發(fā)明效果

本發(fā)明涉及Ni-P合金濺射靶，通過嚴(yán)格地控制P的含量，可以抑制存在安全問題的P的蒸發(fā)，并且可以提供組成偏差小、高密度的靶。由此，具有可以形成具有良好特性的薄膜的優(yōu)良效果。另外，本發(fā)明涉及NiPt-P合金濺射靶，可以通過粉末冶金法提供高密度的靶，而無需用于熔煉鑄造或軋制加工的大型設(shè)備。由此，具有可以抑制濺射時的粉粒產(chǎn)生的優(yōu)良效果。

具體實施方式

[Ni-P合金濺射靶]

本發(fā)明的Ni-P合金濺射靶的制造通過粉末燒結(jié)法進(jìn)行。首先，準(zhǔn)備P(磷)含量為15重量％～21重量％(25原子％～33.5原子％)、剩余部分包含Ni(鎳)和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金錠。接著，熔化該Ni-P合金錠，在氬氣、氦氣、氮氣等惰性氣體氣氛中進(jìn)行將該熔融金屬噴霧、急速冷卻、凝固的所謂的霧化加工，從而制造平均粒徑100μm以下的Ni-P合金霧化加工粉。

將P含量設(shè)定為15重量％～21重量％，這是由于當(dāng)P含量小于15％或大于21％時，熔點分別為870℃、880℃，在通過霧化進(jìn)行熔融金屬的噴霧時熔融金屬的溫度過低，因此難以有效地進(jìn)行微細(xì)均勻的霧化粉的制備。因此，通過將P含量設(shè)定為15重量％～21重量％，可以將熔點保持在1000℃～1100℃，從而在由熔融金屬通過強(qiáng)冷卻形成霧化粉時可以得到更均勻的粉末。另外，本發(fā)明的霧化加工粉呈球形，能夠減小比表面積。由此，可以抑制氧的納入。

接著，將Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化粉混合。可以考慮Ni-P合金霧化粉中的P含量而適當(dāng)調(diào)節(jié)Ni混合量以達(dá)到目標(biāo)組成。另外，優(yōu)選使用平均粒徑為100μm以下的粉末作為Ni霧化粉。另外，本發(fā)明的Ni霧化粉與Ni-P合金霧化加工粉一樣呈球形，可以減小比表面積。

需要說明的是，雖然也考慮將Ni-P合金錠與Ni錠或者Ni錠和P粉末等預(yù)先調(diào)節(jié)為目標(biāo)組成，然后熔化并進(jìn)行霧化處理從而得到目標(biāo)組成的粉末，但是進(jìn)行合金化需要約1500℃的高溫，此時蒸氣壓高的P容易揮發(fā)，組成的控制變得非常困難。另外，產(chǎn)生伴隨由P的揮發(fā)造成的爐體的污染或蒸發(fā)沉積物的起火等危險的問題。

接著，使用該混合粉進(jìn)行熱壓加工。熱壓在750℃～850℃(合金的熔點為870℃以上，加熱至該溫度以下的溫度)、100kgf/cm²～300kgf/cm²的條件下進(jìn)行。由此，得到密度為80％以上、含有1原子％～10原子％的P且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt合金濺射靶材料。將其切割為靶形狀，進(jìn)行切削·拋光、與背襯板接合等通常的加工，從而得到Ni-P合金濺射靶。

另外，為了進(jìn)一步提高靶密度，對通過熱壓加工而得到的Ni-P合金濺射靶材料進(jìn)一步進(jìn)行熱等靜壓加工和/或熱矯直是有效的。熱等靜壓在750℃～850℃、1200kgf/cm²～2000kgf/cm²的條件下進(jìn)行。由此，可以得到密度為95％以上的Ni-P合金靶材。

本發(fā)明的Ni-P合金濺射靶可以將靶中的組成偏差控制在5％以內(nèi)。如上所述，由于能夠抑制P的蒸發(fā)，因此可以得到包含均勻組成的Ni-P合金霧化加工粉。并且，通過將這樣的加工粉作為燒結(jié)原料，可以抑制靶甚至是薄膜的組成偏差。本發(fā)明的組成偏差通過以下方式計算：對靶的任意部位的P含量進(jìn)行測定，由其最大值、最小值、平均值使用下式計算。

偏差＝{(P含量的最大值)-(P含量的最小值)}/(P含量的平均值)

例如，對于圓盤狀的靶而言，可以測定中心、1/2R(半徑)的等分的8個點以及距外周1cm的內(nèi)側(cè)的等分的8個點的共計17個點。

另外，本發(fā)明的Ni-P合金濺射靶可以將靶的平均晶粒尺寸調(diào)節(jié)為100μm以下。P含量為15重量％～21重量％的Ni-P合金霧化加工粉形成脆的Ni₅P₂相，因此容易細(xì)化，通過將這樣的加工粉作為燒結(jié)原料，可以將靶的平均晶粒尺寸細(xì)化。并且，這種微細(xì)的組織能夠穩(wěn)定成膜，粉粒產(chǎn)生少，可以形成質(zhì)量優(yōu)良的膜。

[Ni-Pt-P合金濺射靶]

本發(fā)明的Ni-Pt-P合金濺射靶的制造通過粉末燒結(jié)法進(jìn)行。首先，準(zhǔn)備P(磷)含量為15重量％～21重量％(25原子％～33.5原子％)、剩余部分包含Ni(鎳)和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金錠。通過感應(yīng)加熱熔化該Ni-P合金錠，在氬氣、氦氣、氮氣等惰性氣體氣氛中進(jìn)行將該熔融金屬噴霧、急速冷卻、凝固的所謂的霧化加工，從而制造平均粒徑100μm以下的Ni-P合金霧化加工粉。

在Ni-P合金錠中，將P含量設(shè)定為15重量％～21重量％，這是由于當(dāng)P含量小于15％或大于21％時熔點分別為870℃、880℃，在通過霧化進(jìn)行熔融金屬的噴霧時熔融金屬的溫度過低，因此難以進(jìn)行微細(xì)均勻的霧化粉的制備。因此，通過將P含量設(shè)定為15重量％～21重量％，可以將熔點保持在1100℃左右，從而在由熔融金屬通過強(qiáng)冷卻形成霧化粉時可以得到更均勻的粉末。

以這樣的方式通過霧化制備的Ni-P合金粉，雖然會由大量的P的揮發(fā)而引起組成的變動，但是由于為粉末，可以考慮通過分析測定的P濃度而使用其它粉末，適當(dāng)混合微調(diào)節(jié)為目標(biāo)組成，無需對P的揮發(fā)過于敏感。需要說明的是，本發(fā)明的霧化加工粉呈球形，能夠減小比表面積。由此，可以抑制氧的納入。

接著，將Ni霧化粉和Pt粉(Pt海綿)與該Ni-P合金霧化粉混合。考慮燒結(jié)體的組成(P：1原子％～10原子％、Pt：1原子％～30原子％、剩余部分為Ni和不可避免的雜質(zhì))，適當(dāng)調(diào)節(jié)Ni霧化粉和Pt粉的混合量。此時Ni霧化粉具有稀釋來自Ni-P合金的P含量的作用。另外，本發(fā)明的Ni霧化粉和Pt粉與Ni-P合金霧化加工粉一樣呈球形，可以減小比表面積。

需要說明的是，雖然也考慮利用熔煉法制造Ni-Pt-P靶，但是為了熔化Ni原料、Pt原料而進(jìn)行合金化需要約1500℃的高溫，使用Ni-P合金作為P的添加源時，與Ni和Pt的熔點之差大，蒸氣壓高的P揮發(fā)，產(chǎn)生難以控制組成的問題。另外，也存在伴隨由P的揮發(fā)造成的爐體的污染或蒸發(fā)沉積物的起火等危險性的問題。

另一方面，僅熔化Ni-15重量％～21重量％P合金時，可以在1200℃以下熔化，不會產(chǎn)生P蒸發(fā)的問題。因此，僅將Ni-15重量％～21重量％P合金熔化并進(jìn)行霧化而得到Ni-P合金粉末，將Ni粉、Pt粉與其混合并進(jìn)行燒結(jié)，由此可以制造P的蒸發(fā)少的Ni-Pt-P濺射靶。

接著，對該包含Ni-P粉、Ni粉、Pt粉的混合粉進(jìn)行熱壓。通過Ni和Ni-P反應(yīng)，P含量達(dá)到10重量％以下的區(qū)域時，合金的熔點達(dá)到870℃而在熱壓機(jī)的模具中熔融，因此優(yōu)選加熱至該溫度以下的溫度750℃～850℃。另外，關(guān)于加壓壓力，優(yōu)選根據(jù)模具的有效載荷在100kgf/cm²～300kgf/cm²的范圍的條件下進(jìn)行。根據(jù)上述方法，可以得到密度為90％以上的Ni-Pt-P燒結(jié)體。

將以這樣的方式得到的燒結(jié)體(P：1原子％～10原子％、Pt：1原子％～30原子％、剩余部分為Ni和不可避免的雜質(zhì))切割為靶形狀，進(jìn)行切削·拋光等機(jī)械加工，從而制造Ni-Pt-P合金濺射靶。實施濺射時，將濺射靶接合于包含銅或銅合金等的背襯板，并設(shè)置于濺射裝置即可。

另外，為了進(jìn)一步提高濺射靶(燒結(jié)體)的密度，對經(jīng)過熱壓加工的燒結(jié)體進(jìn)一步進(jìn)行熱等靜壓(HIP)加工是有效的。HIP在溫度700℃～850℃、加壓壓力1000kgf/cm²～2000kgf/cm²的條件下進(jìn)行。由此，可以得到密度為95％以上的Ni-Pt-P濺射靶。

此外，本發(fā)明可以將Ni-Pt-P濺射靶中的組成偏差控制在5％以內(nèi)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以抑制P的蒸發(fā)，因此可以得到包含均勻組成的Ni-P合金霧化加工粉，通過將這樣的霧化加工粉作為燒結(jié)原料，可以抑制靶的組成偏差。

本發(fā)明的組成偏差通過以下方式計算：對靶的任意部位的P含量進(jìn)行測定，由其最大值、最小值、平均值用下式計算。

偏差＝{(P含量的最大值)-(P含量的最小值)}/(P含量的平均值)

例如，對于圓盤狀的靶而言，可以測定中心、0.5R(半徑)的等分的8個點以及距外周1cm的內(nèi)側(cè)的等分的8個點的共計17個點。

另外，本發(fā)明的Ni-Pt-P濺射靶可以將靶的平均晶粒尺寸調(diào)節(jié)為100μm以下。在P含量為15重量％～21重量％的Ni-P合金霧化粉中形成經(jīng)過驟冷的微細(xì)的Ni₅P₂枝晶相，由于其熔點相對較高，因此在前述加壓溫度下不容易發(fā)生結(jié)晶粒生長。因此，通過將這樣的加工粉作為燒結(jié)原料，可以將晶粒尺寸細(xì)化。而且，微細(xì)的組織能夠穩(wěn)定成膜，粉粒少，可以形成質(zhì)量優(yōu)良的膜。

實施例

接著，對實施例進(jìn)行說明。需要說明的是，本實施例用于表示本發(fā)明的一個例子，本發(fā)明不限于這些實施例。即，本發(fā)明包含本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思中包含的其它方式和變形。

(實施例1-1)

將P含量為17重量％的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-17重量％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。另外，該原料粉的粒徑為120μm。接著，將粒徑100μm的Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合以使P含量達(dá)到1原子％。接著，在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓。由此，得到了P含量為1原子％，并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為5％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法(クロスカット法)檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為100μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合(也可以是In接合)，從而制造了Ni-P合金濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-P合金薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量。其結(jié)果為5個。以上結(jié)果如表1所示。

濺射成膜在下述條件下進(jìn)行(以下的實施例、比較例也一樣)。

<成膜條件>

電源：直流方式

功率：15kW

極限真空度：5×10^-8托

氣氛氣體組成：Ar

濺射氣壓：5×10^-3托

濺射時間：15秒

(實施例1-2)

將P含量為17重量％的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-17重量％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。另外，該原料粉的粒徑為120μm。接著，將粒徑100μm的Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合以使P含量達(dá)到2原子％。接著，在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓。由此，得到了P含量為1原子％，并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為100μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合(也可以是In接合)，從而制造了Ni-P合金濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-P合金薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量。其結(jié)果為5個。

(實施例1-3)

將P含量為17重量％的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-17重量％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。另外，該原料粉的粒徑為120μm。接著，將粒徑100μm的Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合以使P含量達(dá)到5原子％。接著，在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓。由此，得到了P含量為1原子％，并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-P合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為3％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。(晶粒尺寸的檢測方法)劃格法的結(jié)果是平均晶粒尺寸為100μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合(也可以是In接合)，從而制造了Ni-P合金濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-P合金薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量。其結(jié)果為5個。

(實施例1-4)

將P含量為17重量％的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-17重量％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。另外，該原料粉的粒徑為120μm。接著，將粒徑100μm的Ni霧化粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合以使P含量達(dá)到10原子％。接著，在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓。由此，得到了P含量為1原子％，并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為2％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為100μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-P合金濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-P合金薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為5個。

(比較例1-1)

以使P含量達(dá)到1原子％的方式將Ni-P合金錠和Ni錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-0.8原子％P合金霧化加工粉。P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。

(比較例1-2)

以使P含量達(dá)到2原子％的方式將Ni-P合金錠和Ni錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-1.8原子％P合金霧化加工粉。P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。

(比較例1-3)

以使P含量達(dá)到5原子％的方式將Ni-P合金錠和Ni錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-4.5原子％P合金霧化加工粉。P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。

(比較例1-4)

以使P含量達(dá)到10原子％的方式將Ni-P合金錠和Ni錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-9.7原子％P合金霧化加工粉。P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。

表1

(實施例2-1)

將含有17原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-17原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為20原子％、P含量為1原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P基燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為60μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合(也可以是In接合)，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-2)

將含有18原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-18原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為30原子％、P含量為1原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為100個。

(實施例2-3)

將含有19原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-19原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為10原子％、P含量為2原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為65μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-4)

將含有20原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-20原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為20原子％、P含量為2原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-5)

將含有21原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-21原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為20原子％、P含量為5原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為80μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-6)

將含有22原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-22原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為30原子％、P含量為5原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為75μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為100個。

(實施例2-7)

將含有23原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-23原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此得到了Pt含量為10原子％、P含量為10原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-8)

將含有24原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-24原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為20原子％、P含量為10原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-9)

將含有25原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-25原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為5原子％、P含量為1原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。檢測所得到的薄膜的粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-10)

將含有26原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-26原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此，得到了Pt含量為5原子％、P含量為2原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P合金燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(實施例2-11)

將含有27原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-27原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此得到了Pt含量為5原子％、P含量為5原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均晶粒尺寸為65μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為100個。

(實施例2-12)

將含有28原子％P的Ni-P合金錠感應(yīng)加熱熔化，使用氣霧化法得到了Ni-28原子％P合金霧化加工粉。霧化加工粉為近似球形。接著，將Ni霧化粉、Pt粉與該Ni-P合金霧化加工粉混合。在830℃、300kgf/cm²的條件下對該混合粉進(jìn)行熱壓，由此得到了Pt含量為5原子％、P含量為10原子％、并且剩余部分包含Ni和不可避免的雜質(zhì)的Ni-Pt-P燒結(jié)體。另外，此時燒結(jié)體的密度為80％。接著，將該燒結(jié)體密封到SUS罐內(nèi)，在830℃、1500kgf/cm²的條件下進(jìn)行HIP(熱等靜壓)。由此，燒結(jié)體密度達(dá)到95％。

對通過以上方式得到的Ni-Pt-P合金燒結(jié)體進(jìn)行切削、拋光等機(jī)械加工，從而制造了直徑440mmφ、厚3mmt的圓盤狀濺射靶。檢測了該濺射靶中的組成偏差。其結(jié)果是組成偏差為4％以內(nèi)。接著，通過根據(jù)JIS H0501的劃格法檢測該濺射靶的平均晶粒尺寸。其結(jié)果是平均粒徑為70μm。然后，將該濺射靶與包含銅合金的背襯板擴(kuò)散接合(也可以是In接合)，從而制造了Ni-Pt-P濺射靶與銅合金背襯板的組件。然后，使用該組件進(jìn)行濺射，形成了Ni-Pt-P薄膜。對于所得到的薄膜，檢測粉粒產(chǎn)生量和組成變動。其結(jié)果為50個。

(比較例2-1)

以得到Ni-20原子％Pt-1原子％P的方式將Ni微粒、Pt粉和P塊感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-20原子％Pt-0.8原子％P霧化加工粉?？梢姡琍在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。另外，產(chǎn)生了由霧化處理造成的過程損失，產(chǎn)生了以重量計為0.2％的Pt損失。

(比較例2-2)

以形成Ni-20原子％Pt-1原子％P的方式將Ni微粒、Pt粉和Ni-17重量％P合金錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-20原子％Pt-0.9原子％P霧化加工粉?？梢姡琍在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。另外，產(chǎn)生了由霧化處理造成的過程損失，產(chǎn)生了以重量計為0.2％的Pt損失。

(比較例2-3)

以形成Ni-10原子％Pt-2原子％P的方式將Ni微粒、Ni-20原子％Pt合金錠和P塊感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-10原子％Pt-1.6原子％P霧化加工粉?？梢?，P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。另外，產(chǎn)生了由霧化處理造成的過程損失，產(chǎn)生了以重量計為0.2％的Pt損失。

(比較例2-4)

以形成Ni-10原子％Pt-2原子％P的方式將Ni微粒、Ni-20原子％Pt合金錠和Ni-17重量％P合金錠感應(yīng)加熱熔化，并使用氣霧化法制造粉末，結(jié)果得到了Ni-10原子％Pt-1.7原子％P霧化加工粉?？梢?，P在裝置內(nèi)部蒸發(fā)，產(chǎn)生了與目標(biāo)組成的偏離。另外，產(chǎn)生了由霧化處理造成的過程損失，產(chǎn)生了以重量計為0.2％的Pt損失。

表2

產(chǎn)業(yè)實用性

本發(fā)明涉及Ni-P合金濺射靶，通過嚴(yán)格地控制P的含量，可以抑制存在安全問題的P的蒸發(fā)，并且可以提供組成偏差小、高密度的靶。由此，具有可以形成具有良好特性的薄膜的優(yōu)良效果。另外，本發(fā)明涉及Ni-Pt-P合金濺射靶，可以通過粉末冶金法提供高密度的靶，而無需用于熔煉鑄造或軋制加工的大型設(shè)備。由此，具有可以抑制濺射時的粉粒產(chǎn)生的優(yōu)良效果。本發(fā)明的濺射靶在硬盤等磁記錄介質(zhì)用的薄膜形成中有用。