1.一種用于處理在基板處理系統(tǒng)的管道中的氣體的設(shè)備，所述設(shè)備包含：
介電管，所述介電管被耦接至基板處理系統(tǒng)的管道以允許氣體流動(dòng)經(jīng)過(guò)所述介電管，其中所述介電管具有圓錐形的側(cè)壁；以及
RF線圈，所述RF線圈被纏繞在所述介電管的所述圓錐形的側(cè)壁的外表面的周圍，所述RF線圈具有用以提供RF輸入至所述RF線圈的第一端部，所述RF線圈的所述第一端部被設(shè)置在所述介電管的第一端部附近，以及具有被設(shè)置在所述介電管的第二端部附近的第二端部。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述RF線圈為中空的并包含被耦接至所述RF線圈的第一端部的第一冷卻劑配件和被耦接至所述RF線圈的第二端部的第二冷卻劑配件。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含：
RF電源，所述RF電源被耦接至所述RF線圈的第一端部以提供RF功率至所述RF線圈。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述介電管是由氧化鋁、藍(lán)寶石或石英制造的。
5.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含：
第一端部凸緣，所述第一端部凸緣被耦接至所述介電管的第一端部；以及
第二端部凸緣，所述第二端部凸緣被耦接至所述介電管的第二端部，其中所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣的每一個(gè)經(jīng)配置以利用同軸的方式將所述介電管耦接在管道中。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述介電管的所述圓錐形的側(cè)壁以直的端部部分終止于所述介電管的所述第一端部處和以直的端部部分終止于所述介電管的所述第二端部處，且其中所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣被耦接至所述介電管于所述直的端部部分。
7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣中的至少一個(gè)進(jìn)一步包含冷卻劑通道以促進(jìn)循環(huán)冷卻劑通過(guò)所述第一端部凸緣和所述第二端部凸緣的至少一個(gè)。
8.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含：
可變形的層，所述可變形的層被設(shè)置在所述RF線圈與所述介電管之間以增進(jìn)所述RF線圈與所述介電管之間的接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述可變形的層包含硅橡膠或?qū)嵊椭?/p>
10.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述RF線圈具有扁平的圓形的截面，且其中所述RF線圈的扁平的部分被設(shè)置為面向所述介電管。
11.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含：
被設(shè)置在所述RF線圈的第一端部處的一個(gè)或多個(gè)第一端點(diǎn)和被設(shè)置在所述RF線圈的第二端部處的一個(gè)或多個(gè)第二端點(diǎn)以促進(jìn)將RF功率耦合至所述RF線圈。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述一個(gè)或多個(gè)第一端點(diǎn)包含多個(gè)第一端點(diǎn)，其中所述一個(gè)或多個(gè)第二端點(diǎn)包含多個(gè)第二端點(diǎn)，且其中所述多個(gè)第一端點(diǎn)和所述多個(gè)第二端點(diǎn)中的一些第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)位于沿著所述RF線圈的不同的位置處促進(jìn)將RF能量耦合通過(guò)具有不同數(shù)目的線匝的所述RF線圈。
13.一種基板處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含：
處理腔室；
排氣管道，所述排氣管道被耦接至所述處理腔室以允許排放氣體從所述處理腔室流動(dòng)；
真空泵，所述真空泵被耦接至所述排氣管道以將排放氣體從所述處理腔室經(jīng)由所述排氣管道排出；以及
如在權(quán)利要求1-4中和權(quán)利要求1-4描述的用于處理在基板處理系統(tǒng)的管道中的氣體的設(shè)備，其中所述介電管被耦接至所述排氣管道以允許所述排放氣體流動(dòng)經(jīng)過(guò)所述介電管。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述排氣管道為前級(jí)管道。
15.如權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述介電管被設(shè)置在所述處理腔室與所述真空泵之間。