所揭示的實(shí)施方式涉及一種靶材、靶材的制造方法及平板狀靶。

背景技術(shù)：

已知有一種濺鍍裝置，通過令氬離子(argon ion)沖撞平板狀靶材的主面(濺鍍面)使靶材成分飛行，而于面向與該靶材的主面配置的基板表面形成薄膜。

作為這樣的靶材，習(xí)知有金屬制及陶瓷(ceramics)制者。其中，陶瓷制的靶材，是例如將含有金屬氧化物等陶瓷成分的粉末或粒子予以成形、燒制而成的燒制體，通過切削及研磨等機(jī)械加工成既定的大小而制得。

在濺鍍裝置中，靶材的加工精密度對形成于基板表面的薄模(濺鍍膜)的品質(zhì)造成影響。因此，關(guān)于陶瓷制的靶材的加工，已開始檢討使薄膜的品質(zhì)提升的對策(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。

(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))

(專利文獻(xiàn))

專利文獻(xiàn)1：日本特開2000-135663號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2007-231392號公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(發(fā)明所欲解決的課題)

然而，在前述的習(xí)知技術(shù)中，依然未能獲得同時(shí)抑制濺鍍中瘤狀物(nodule)的產(chǎn)生及附著于濺鍍膜的顆粒(particle)的靶材，而有進(jìn)一步改善的空間。瘤狀物指出現(xiàn)于靶材表面的源自靶材的異物而言，而顆粒指附著于濺鍍膜表面的粒子狀異物而言。

實(shí)施方式的一形式為有鑒于前述的問題點(diǎn)所開發(fā)，目的在于提供一種靶材、靶材的制造方法及平板狀靶，能夠同時(shí)抑制濺鍍中瘤狀物的產(chǎn)生及對濺鍍膜的顆粒附著。

(解決課題的手段)

實(shí)施方式的靶材為平板狀陶瓷，其中，供濺鍍的濺鍍面的表面粗糙度Ra為0.5μm以上1.5μm以下，且形成于前述濺鍍面的裂隙的最大深度為15μm以下。

(發(fā)明的功效)

根據(jù)實(shí)施方式的一形式，能夠提供一種靶材、靶材的制造方法及平板狀靶，可同時(shí)抑制濺鍍中的瘤狀物產(chǎn)生及對濺鍍膜的顆粒附著。

附圖說明

圖1A是顯示實(shí)施方式的平板狀靶的構(gòu)成的概要示意圖。

圖1B為圖1A的A-A’剖面圖。

圖2A為顯示實(shí)施方式的靶材的構(gòu)成的概要示意圖。

圖2B為圖2A的B-B’剖面的擴(kuò)大檢視圖。

圖3A為顯示實(shí)施方式的靶材的制造方法的概要說明圖。

圖3B為顯示實(shí)施方式的靶材的制造方法的概要說明圖。

圖4為顯示實(shí)施方式的靶材的制造方法的一例的流程圖。

符號說明

1 靶材 2 底板

3 接合材 4 濺鍍面

5 裂隙 6 背面

11 陶瓷 12 切線

13 載置臺 14 導(dǎo)引滑輪

15 驅(qū)動滑輪 16 制造裝置。

具體實(shí)施方式

以下，參照檢附附圖，詳細(xì)說明本案所揭示的靶材、靶材的制造方法及平板狀靶的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不受以下所示的實(shí)施方式所限定。

首先，使用圖1A、圖1B針對能夠適用于實(shí)施方式的靶材的平板狀靶說明如下。

圖1A為顯示實(shí)施方式的平板狀靶的構(gòu)成的概要示意圖，圖1B為圖1A的A-A’剖面圖。此外，為使說明容易明了，在圖1A及圖1B中，圖示包含有Z軸的3維直角座標(biāo)系，該Z軸設(shè)定垂直向上為正方向、垂直向下為負(fù)方向。前述的直角座標(biāo)系，也有顯示在使用于后述說明的其他附圖中的情形。

如圖1A及圖1B所示，平板狀靶具備靶材1及底板2。此外，靶材1及底板2透過接合材3接合。

靶材1由加工成平板狀的陶瓷所構(gòu)成，以使供濺鍍的濺鍍面4及與濺鍍面4相反的背面6大致呈平行。就該等陶瓷而言，可例示例如ITO(In₂O₃-SnO₂)、IGZO(In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO)及AZO(Al₂O₃-ZnO)等，但未局限于這些。

此外，就底板2而言，可適當(dāng)選擇使用習(xí)知所用者。例如，可適用不銹鋼、鈦、鈦合金、銅等，但未局限于這些。

此外，就接合材3而言，可適當(dāng)選擇使用習(xí)知所用者。例如，可例舉銦金屬等，但未局限于這些。

以下，使用圖2A、圖2B進(jìn)一步針對實(shí)施方式的靶材1加以說明。圖2A為顯示實(shí)施方式的靶材1的構(gòu)成的概要示意圖，圖2B為圖2A所示的B-B’剖面的擴(kuò)大檢視圖。

如圖2A所示，有時(shí)在靶材1的濺鍍面4形成裂隙(crack)5。在這里，裂隙5指例如在加工時(shí)等產(chǎn)生在濺鍍面4的微小裂隙，也稱為“微裂隙(microcrack)”。

此外，如圖2B所示，裂隙5于濺鍍面4具有某寬度及長度，并且在與該濺鍍面4呈垂直的厚度方向具有深度d。裂隙5的寬度及長度，能夠通過SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)等自外部加以觀察。另一方面，深度d則難以自外部加以觀察。因此，深度d的量測，通過例如以包含裂隙5的方式，優(yōu)選為以沿著裂隙5的方式，依Z軸方向裁斷靶材1使剖面露出，再以SEM進(jìn)行觀察。

在實(shí)施方式的靶材1中，形成于濺鍍面4的裂隙5的最大的深度(以下也稱“最大深度”)d_max為15μm以下，優(yōu)選為10μm以下。當(dāng)裂隙5的最大的深度d_max超過15μm時(shí)，在濺鍍中容易產(chǎn)生瘤狀物，且也有對靶材1的機(jī)械強(qiáng)度產(chǎn)生影響的情形。在這里，“裂隙5的最大的深度d_max”是就如上述的方式所量測的裂隙5的深度d中為最大的值而言。

此外，靶材1的濺鍍面4，表面粗糙度Ra為0.5μm以上1.5μm以下，優(yōu)選為0.5μm以上1.0μm以下。若濺鍍面4的表面粗糙度Ra未滿0.5μm時(shí)，于濺鍍中由靶材1產(chǎn)生的瘤狀物未停留于靶材1而成為顆粒附著在濺鍍膜，易使濺鍍膜品質(zhì)降低。此外，當(dāng)濺鍍面4的表面粗糙度Ra超過1.5μm時(shí)，因?yàn)R鍍時(shí)的初期電弧(arcing)增加使得瘤狀物增多，故難以形成均勻的濺鍍膜。在這里，表面粗糙度Ra指相當(dāng)于JIS(Japanese Industrial Standard，日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))B0601：2013的“算術(shù)平均粗糙度Ra”的值。

此外，陶瓷采用ITO的情形，靶材1的抗彎強(qiáng)度優(yōu)選為16kgf/mm²以上，更優(yōu)選為17kgf/mm²以上。若抗彎強(qiáng)度未滿16kgf/mm²時(shí)，會有例如存在于靶材1內(nèi)部的微小龜裂(內(nèi)在裂隙)較多的疑慮。若靶材1具有多數(shù)內(nèi)在裂隙時(shí)，在濺鍍中會產(chǎn)生起因于該內(nèi)在裂隙的瘤狀物。因此，內(nèi)在裂隙愈多瘤狀物的產(chǎn)生率愈增多，會有導(dǎo)致濺鍍膜的品質(zhì)降低的疑慮。在這里，抗彎強(qiáng)度是依據(jù)JIS R1601：2008所量測的值。此外，1kgf約為9.8N。

此外，陶瓷采用IGZO的情形，靶材1的抗彎強(qiáng)度優(yōu)選為6kgf/mm²以上，更優(yōu)選為7kgf/mm²以上。若抗彎強(qiáng)度未滿6kgf/mm²時(shí)，例如會有靶材1具有內(nèi)在裂隙的疑慮。

此外，陶瓷采用AZO的情形，靶材1的抗彎強(qiáng)度優(yōu)選為15kgf/mm²以上，更優(yōu)選為16kgf/mm²以上。若抗彎強(qiáng)度未滿15kgf/mm²時(shí)，例如會有靶材1具有內(nèi)在裂隙的疑慮。

另外，在前述中，就平板狀的靶材1而言，雖針對供濺鍍的濺鍍面4分別在X軸方向具有短邊、在Y軸方向具有長邊的長方形，在Z軸方向具有厚度的長方體形狀者加以說明，但形狀并不局限于此。因應(yīng)供成膜的基板的形狀，例如濺鍍面4也可為正方形、圓形或橢圓形者，也可采用三角形、平行四邊形、梯型、五角形或六角形等的多角形者作為靶材1。

以下，針對實(shí)施方式的靶材1的制造方法的一例加以說明。靶材1經(jīng)由下述步驟制作：造粒步驟，將含有陶瓷原料粉末及有機(jī)添加物的漿料予以造粒，以制作顆粒體；成形步驟，將前述顆粒體予以成形，以制作成形體；燒制步驟，將前述成形體予以燒制，以制作燒制體。另外，燒制體的制作方法，并未局限于上述者，也可為任何方法。

然而，為了加工成既定的厚度并且形成具有既定的表面粗糙度的濺鍍面4，已知有采用稱為平面研磨機(jī)的加工機(jī)對燒制體進(jìn)行加工者。在平面研磨機(jī)中，以欲加工面(濺鍍面4的對應(yīng)面)為上面的方式將燒制體放置于承載臺上，使用研磨石進(jìn)行表面加工。

在如前述的平面研磨機(jī)中，因研磨石以固定的切入深度將燒制體的平面按壓同時(shí)進(jìn)行加工，故使用平面研磨機(jī)所獲得的靶材1，容易在加工時(shí)因受損而于濺鍍面4形成最大深度d_max超過15μm的裂隙5。特別是對正在燒制時(shí)產(chǎn)生翹曲的燒制體進(jìn)行加工時(shí)，當(dāng)將該燒制體載置于平面研磨機(jī)的承載臺上時(shí)，因產(chǎn)生自該承載臺浮起的部分，故以研磨石按壓其上會使燒制體承受較大負(fù)載。

該加工中的負(fù)載，與濺鍍面4的面積成比例增大，但近年來有要求濺鍍面4的面積較大的靶材1的傾向，故于使用研磨石的加工中產(chǎn)生的裂隙5也有最大深度d_max變大的趨勢。

使形成于濺鍍面4的裂隙5的最大深度d_max減少的方法，可考慮通過孔眼較細(xì)的研磨紙等逐次少量研磨表面，但該情形下，容易使研磨后的濺鍍面4的表面粗糙度Ra未滿0.5μm。即，在習(xí)知的加工法中，無法個(gè)別控制形成于濺鍍面4的裂隙5的深度d以及濺鍍面4的表面粗糙度Ra，難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)抑制瘤狀物的產(chǎn)生以及抑制對濺鍍膜的顆粒附著。

實(shí)施方式的靶材1的制造方法，包含將陶瓷予以支持的支持步驟以及將該陶瓷予以裁斷的裁斷步驟。以下，使用圖3A、圖3B針對支持步驟及裁斷步驟的一例加以詳細(xì)說明。

圖3A、圖3B為顯示實(shí)施方式的靶材1的制造方法的概要說明圖。另外，圖3A是可適用該制造方法的靶材1的制造裝置的上視圖，而圖3B是圖3A的前視圖。此外，圖3A、圖3B中為便于說明將部分的形狀簡化顯示。

如圖3A、圖3B所示，靶材1的制造裝置16具備切線(wire)12及載置臺13。陶瓷11載置于載置臺13，由未圖示的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)或者搬運(yùn)治具以預(yù)先設(shè)定的速度進(jìn)行搬運(yùn)，且以切線12加以裁斷。以下，將陶瓷11的搬運(yùn)速度稱為裁斷速度v_c。

陶瓷11具有高度α、長度β、寬度γ的長方體形狀。該陶瓷11也可直接使用在前述的燒制步驟所獲得的燒制體，也可將燒制體的1或2面以上加工后使用。也可例如通過裁斷或研磨將與載置臺13接觸的燒制體表面加工成平坦，以修正燒制體的翹曲。

此外，切線12卷繞支持在驅(qū)動滑輪15及多個(gè)導(dǎo)引滑輪14。切線12通過驅(qū)動滑輪15的旋轉(zhuǎn)以預(yù)先設(shè)定的切線12送出速度旋轉(zhuǎn)，將以裁斷速度v_c進(jìn)入的陶瓷11予以裁斷。以下，將切線12的送出速度稱為切線速度v_w。

接著，針對陶瓷11的支持方法加以說明。以裁斷速度v_c使切線12通過陶瓷11的部位，由切線12使陶瓷11以剝離的方式裁斷。因此，使相鄰的陶瓷11間形成對應(yīng)于切線12寬度L的間隙。

若對該間隙從面方向施力時(shí)，則撓曲力集中在切線12還尚未通過的部分(利用切線12裁斷中的部分)，使微裂隙進(jìn)入裁斷面。因此，若將此裁斷面設(shè)為濺鍍面4時(shí)，會使濺鍍中瘤狀物的產(chǎn)生量增加。

因此，如圖3A、圖3B所示，以裁斷面相對于水平方向呈垂直的方式通過切線12裁斷陶瓷11時(shí)，則不會朝相對于裁斷方向呈垂直的方向?qū)μ沾?1施加隨陶瓷11的自重而生的壓力。因此，可抑制微裂隙進(jìn)入裁斷面，將該裁斷面設(shè)為濺鍍面能夠使濺鍍中瘤狀物的產(chǎn)生量降低。

在此，通過切線12裁斷陶瓷11的速度v_c以0.5mm/分以上3.0mm/分以下為優(yōu)選。若裁斷速度v_c未滿0.5mm/分，使加工所需的時(shí)間延長，生產(chǎn)效率顯著降低。此外，若裁斷速度v_c超過3.0mm/分，則使以研磨粒剝離陶瓷11時(shí)的沖擊變強(qiáng)，易使微裂隙進(jìn)入裁斷面。

此外，切線12被送出的切線速度v_w以900m/分以上為優(yōu)選。若切線速度v_w未滿900m/分，會使裁斷面的表面粗糙度Ra有變大的傾向，也使濺鍍中瘤狀物的產(chǎn)生有變多的傾向。切線速度v_w的上限根據(jù)裝置的規(guī)格及切線12的強(qiáng)度等決定。

此外，切線12以使寬度L為0.25mm以上0.32mm以下的金剛石(diamond)等研磨粒電附著的固定研磨粒方式的線鋸(wire saw)為優(yōu)選。若寬度L未滿0.25mm，切線12強(qiáng)度不足，易使切線12在加工中斷線。此外，寬度L超過0.32mm時(shí)，使良率降低。例如，當(dāng)欲制作預(yù)先設(shè)定尺寸及數(shù)量的靶材1時(shí)，必需將陶瓷11的規(guī)格放大。

另外，在上述的實(shí)施方式中，雖然制造裝置16僅設(shè)置1條切線12，但也可設(shè)置2條以上。關(guān)于該情形，多條切線12以彼此呈平行的方式配置。

此外，在上述的實(shí)施方式中，雖然制造裝置16設(shè)置有載置臺13，但也可不設(shè)置載置臺13。關(guān)于該情形，陶瓷11以與圖3A、圖3B同樣的姿勢，通過未圖示的支持治具等加以支持。

此外，在上述的實(shí)施方式中，雖然陶瓷11的裁斷通過陶瓷11的朝水平方向的移動加以進(jìn)行，但未局限于此。例如，也可通過使陶瓷11朝垂直上升或下降移動使其裁斷。

此外，在上述實(shí)施方式中，雖然陶瓷11的裁斷通過陶瓷11自身的移動進(jìn)行，但也可為通過相對于固定的陶瓷11使切線12移動而裁斷的構(gòu)成，或者也可為使陶瓷11及切線12雙方都移動的構(gòu)成。

接著，使用圖4針對制造實(shí)施方式的靶材1的方法加以詳細(xì)說明。圖4為顯示制造實(shí)施方式的靶材1的處理順序的流程圖。

如圖4所示，首先，支持陶瓷11(步驟S11)。陶瓷11是以在陶瓷11的裁斷中，不會朝相對于裁斷方向呈垂直的方向被施加壓力的方式被加以支持。

接著，將切線12的寬度L及裁斷速度v_c設(shè)定于既定的范圍后裁斷陶瓷11(步驟S12)。使陶瓷11的長度及寬度成為既定尺寸的加工，可在通過線鋸裁斷前或裁斷后實(shí)施。通過以上各步驟，完成實(shí)施方式的一系列的靶材1的制造。

如此，根據(jù)實(shí)施方式的靶材1的制造方法，能夠?qū)R鍍面4的表面粗糙度Ra以及形成于濺鍍面4的裂隙5的最大深度，分別控制于既定的范圍。因此，能夠同時(shí)抑制濺鍍中瘤狀物的產(chǎn)生以及顆粒對濺鍍膜的附著。

[實(shí)施例]

[實(shí)施例1]

將高度α為500mm、長度β為300mm、寬度γ為32mm的平板狀I(lǐng)TO(In₂O₃：SnO₂＝9：1(質(zhì)量比))的陶瓷11設(shè)置如圖3A、圖3B所示。此時(shí)，使由切線進(jìn)行裁切的部分，以在陶瓷11的裁斷中不會朝相對于陶瓷11的裁斷方向呈垂直的方向施加壓力的方式支持陶瓷11。將該陶瓷11通過以5.3mm的間隔并列配置5條的切線12進(jìn)行裁斷，制成6片厚度為5mm的靶材1。切線12為使用經(jīng)電附著金剛石后的寬度L(研磨粒+切線12的直徑)為0.25mm者。切線速度v_w設(shè)定為900m/分，裁斷速度v_c設(shè)定為2.0mm/分。

量測經(jīng)加工的靶材1的抗彎強(qiáng)度、裁斷面(濺鍍面4)的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max，再使用銦金屬為接合材3使接合在銅制的底板2，制成以裁斷面為濺鍍面4的平板狀靶。使用該平板狀靶進(jìn)行濺鍍，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)。此外，針對附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。

另外，濺鍍使用DC磁控濺鍍。條件如下：背壓：7.0×10^-5Pa、氬分壓：4.0×10^-1Pa、氧分壓：4.0×10^-5Pa、輸出：300W(1.6W/cm2)、靶尺寸：外徑203.2mm×厚度6mm。此外，拍攝濺鍍后的靶材1的表面照片，使用影像分析軟件(粒子分析Ver.3日鐵住金科技株式會社制作)從拍攝所得的影像求出瘤狀物的面積。從獲得的瘤狀物的面積，求得瘤狀物的面積相對于靶材1的表面面積的比率(％)，以評價(jià)瘤狀物的產(chǎn)生量。瘤狀物的評價(jià)基準(zhǔn)如以下所示。相對于供為濺鍍靶的靶材1的面積的瘤狀物所占面積的比率極少：0至未達(dá)0.3％、少：0.3至未達(dá)1.0％、中：1.0至未達(dá)2.0％、多：2.0％以上。

[實(shí)施例2]

除將陶瓷11的裁斷速度v_c設(shè)3.0mm/分之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[實(shí)施例3]

除將陶瓷11的裁斷速度v_c設(shè)0.5mm/分之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[實(shí)施例4]

除將γ設(shè)為32.5mm、切線12的寬度L設(shè)為0.32mm、切線12間的間隔設(shè)為5.4mm之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[實(shí)施例5]

除采用IGZO(In₂O₃：Ga₂O₃：ZnO＝1：1：2(莫爾比))作為陶瓷11之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[實(shí)施例6]

除采用AZO(ZnO：Al₂O₃＝98：2(質(zhì)量比))作為陶瓷11之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例1]

除γ為6.5mm之外，將與使用在實(shí)施例1者相同的陶瓷11設(shè)置于平面研磨機(jī)，進(jìn)行研磨加工使γ成為5.0mm以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#170的研磨石，且一次的切入深度設(shè)為10μm。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例2]

除γ為6.5mm之外，將與實(shí)施例5相同的陶瓷11設(shè)置于平面研磨機(jī)，進(jìn)行研磨加工使γ成為5.0mm，以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#170的研磨石，且一次的切入深度設(shè)為10μm。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例3]

除γ為6.5mm之外，將與實(shí)施例6相同的陶瓷11設(shè)置于平面研磨機(jī)，進(jìn)行研磨加工使γ成為5.0mm，以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。研磨中，采用以瓷器質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#170的研磨石，且一次的切入深度設(shè)為10μm。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例4]

除將陶瓷11的裁斷速度v_c設(shè)5.0mm/分之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例5]

除了以朝陶瓷11的厚度方向按壓并加以保持以使朝相對于陶瓷11的裁斷方向呈垂直方向?qū)Σ脭嘀械奶沾?1施加壓力之外，以和實(shí)施例1同樣的方式制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例6]

將與使用在比較例1者相同的陶瓷11設(shè)置于平面研磨機(jī)，進(jìn)行研磨加工使γ成為5.1mm為止。研磨中，采用以瓷器質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#170的研磨石，且一次的切入深度設(shè)為10μm。接著，采用以樹脂質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#1000的研磨石，一次的切入深度設(shè)為2μm，進(jìn)行研磨使γ成為5.0mm以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例7]

以和比較例6同樣的方式對與使用在比較例2者相同的陶瓷11進(jìn)行研磨以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例8]

以和比較例6同樣的方式對與使用在比較例3者相同的陶瓷11進(jìn)行研磨以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例9]

除采用以瓷器質(zhì)作為結(jié)合劑的研磨粒粒度為#80的研磨石之外，以和比較例1同樣的方式進(jìn)行研磨以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例10]

以和比較例9同樣的方式對與使用在比較例2者相同的陶瓷11進(jìn)行研磨以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

[比較例11]

以和比較例9同樣的方式對與使用在比較例3者相同的陶瓷11進(jìn)行研磨以制作靶材1，量測抗彎強(qiáng)度、裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max。此外，采用該靶材1以和實(shí)施例1同樣的方式制作平板狀靶，進(jìn)而使用該平板狀靶以與實(shí)施例1同樣的方式進(jìn)行濺鍍。接著，針對附著于靶材1的瘤狀物的程度加以評價(jià)，并且計(jì)數(shù)附著于濺鍍膜的顆粒個(gè)數(shù)。

表1至表3顯示根據(jù)實(shí)施例1至比較例11所獲得的結(jié)果。另外，分別在表1中使用ITO、在表2中使用IGZO、在表3中使用AZO作為陶瓷11。

此外，各表中，靶材1的抗彎強(qiáng)度為測量由切線12所裁斷的6片靶材1中除兩端外的4片靶材1的平均值。此外，裁斷面的表面粗糙度Ra及裂隙5的最大深度d_max，是通過裁斷所形成的10面裁斷面的平均值。此外，平板狀靶，采用6片靶材1中的兩端者制作2個(gè)，瘤狀物及顆粒的個(gè)數(shù)為由該2個(gè)平板狀靶的結(jié)果的平均值。另外，針對進(jìn)行由研磨石的研磨加工取代由切線12的裁斷的比較例，也制作4個(gè)靶材1及2個(gè)平板狀靶，量測結(jié)果使用平均值。

[表1]

[表2]

[表3]

進(jìn)一步的效果及變形例，可由本發(fā)明領(lǐng)域技術(shù)人員容易導(dǎo)出。故此，本發(fā)明的更廣泛形式，并不限定為如上所示及記載的特定的詳細(xì)及代表性實(shí)施方式。故此，不脫離根據(jù)檢附的權(quán)利要求書及其均等物所定義的概括的發(fā)明概念精神或范圍，能夠進(jìn)行各種的變更。