本發(fā)明為涉及一種附載體銅箔，尤指一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步以及市場(chǎng)需求的導(dǎo)向，使電子技術(shù)朝著微小化、反應(yīng)快、傳遞信息多等方向發(fā)展，故現(xiàn)今的集成電路都為利用立體封裝的技術(shù)來(lái)將多個(gè)芯片或系統(tǒng)等整合在同一個(gè)整合型基板內(nèi)，而連接各芯片或系統(tǒng)的導(dǎo)線的線路間距也須要朝著微細(xì)化發(fā)展，因此，遂發(fā)展出了附載體銅箔的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示，其為先在一基板1上形成一膠黏層2，在于該膠黏層2上形成銅層3，最后再利用該膠黏層2的膠黏特性，將該銅層3撕下，然而，膠黏層2通常為使用變溫膠，并可以容忍一定范圍內(nèi)的溫度，然而，在進(jìn)行相關(guān)作業(yè)程序時(shí)的操作溫度容易超過(guò)其容忍范圍，而導(dǎo)致變質(zhì)，使得該銅層3無(wú)法順利的剝除。

此外，如美國(guó)專利公告第us7175920號(hào)的「copperfoilforhigh-densityultra-fineprintedwiringboard」，其為于一載體的一側(cè)依序形成一防止擴(kuò)散層、一剝離層以及一銅層，該銅層遠(yuǎn)離該載體的一面為一粗糙面，將該粗糙面與一基板接觸并利用熱壓結(jié)合，最后使該銅層與該剝離層剝離。其中，該剝離層的材質(zhì)為鉻，并利用濕式電鍍的方式而形成于該載體之上，然而，利用濕式電鍍的方式容易在過(guò)程中產(chǎn)生附加產(chǎn)物進(jìn)而影響該剝離層的致密性，進(jìn)而影響該剝離層與該銅層之間的附著能力，導(dǎo)致該銅層難以從該剝離層上進(jìn)行剝離動(dòng)作，因而容易造成該銅層的損傷，實(shí)有改進(jìn)的必要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔及其制備方法，解決附載體銅箔與載體之間剝離困難的問(wèn)題。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔，其包含有一基板，一設(shè)置于該基板的無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜以及一設(shè)置于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜遠(yuǎn)離該基板的一側(cè)的金屬電鍍層。

其中，更包含有一設(shè)置于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜與該金屬電鍍層之間的種子金屬濺鍍層。

其中，該種子金屬濺鍍層的厚度介于20納米至2000納米之間，該金屬電鍍層的厚度介于0.5微米至20微米之間，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的厚度介于50納米至1000納米之間。

其中,該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的材質(zhì)為選自于由氧化銦錫、氧化硅、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎢、氧化鉻、氧化鋁及其組合所組成的群組，該基板的材質(zhì)為選自于由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、玻璃及其組合所組成的群組，該金屬電鍍層的材質(zhì)為銅，該種子金屬濺鍍層的材質(zhì)為摻雜有錫、銀、鎳的銅合金。

其中,該金屬電鍍層更包含有一縷空區(qū)，并依序設(shè)置一剝離層與一樹(shù)脂于該縷空區(qū)之中，該剝離層設(shè)置于該樹(shù)脂與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜之間。

除此之外，本發(fā)明更提供一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔的制備方法，包含有以下步驟：

s1：濺鍍一無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜于一基板上；

s2：利用電鍍方式于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜遠(yuǎn)離該基板的一側(cè)形成一金屬電鍍層；以及

s3：利用該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜與該金屬電鍍層晶格不匹配的特性，將該金屬電鍍層從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜上進(jìn)行剝離。

其中，于步驟s2中，更包含有以下步驟：

s2a：利用濺鍍方式于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜遠(yuǎn)離該基板的一側(cè)形成一種子金屬濺鍍層；以及

s2b：以該種子金屬濺鍍層作為電鍍基材，電鍍形成該金屬電鍍層于該種子金屬濺鍍層遠(yuǎn)離該基板的一側(cè)。

其中，于步驟s1中，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的材質(zhì)為選自于由氧化銦錫、氧化硅、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎢、氧化鉻、氧化鋁及其組合所組成的群組，該基板的材質(zhì)為選自于由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰 亞胺、玻璃及其組合所組成的群組，于步驟s2中，該金屬電鍍層的材質(zhì)為銅，于步驟s2a中，該種子金屬濺鍍層的材質(zhì)為摻雜有錫、銀、鎳的銅合金。

其中，于步驟s1中，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的厚度介于50納米至1000納米之間，于步驟s2中，該金屬電鍍層的厚度介于0.5微米至20微米之間，于步驟s2a中，該種子金屬濺鍍層的厚度介于20納米至2000納米之間。

其中，于步驟s3中，更包含有以下步驟：

s3a：對(duì)該金屬電鍍層進(jìn)行蝕刻，使該金屬電鍍層具有一縷空區(qū)；

s3b：將一脫模劑填入該縷空區(qū)中，于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜上形成一剝離層，再將一樹(shù)脂填入于該縷空區(qū)中，使該樹(shù)脂黏合該金屬電鍍層并固定形成一圖騰電路層；以及

s3c：將該圖騰電路層從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜上進(jìn)行剝離。

綜上所述，本發(fā)明具有以下特點(diǎn)：

一、借由利用濺鍍的方式來(lái)形成該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜，而可以提高該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的致密性與結(jié)晶性，以及利用該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜與該金屬電鍍層晶格不匹配的特性，而可以輕易的剝離該金屬電鍍層。

二、借由控制該金屬電鍍層的電鍍時(shí)間與電流大小，而可以控制其厚度與晶粒大小，且利用電鍍來(lái)形成的晶粒大小均勻，進(jìn)行后續(xù)作業(yè)時(shí)可以達(dá)到更微細(xì)化的線路。

三、該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜于高溫的環(huán)境下亦可以保持與該金屬電鍍層的低結(jié)合強(qiáng)度，而可輕易的剝離。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖

圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的流程示意圖。

圖4a～4g為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的制作流程結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

涉及本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說(shuō)明如下：

請(qǐng)參閱圖2所示，本發(fā)明為一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔， 其包含有一基板10、一無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20以及一金屬電鍍層30，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20設(shè)置于該基板10上，而該金屬電鍍層30設(shè)置于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20遠(yuǎn)離該基板10的一側(cè)。其中，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20為利用濺鍍的方式所形成，該金屬電鍍層30為利用電鍍的方式所形成，由于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20為利用濺鍍的方式而形成，使其致密性與結(jié)晶性較好，且該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20與該金屬電鍍層30彼此的晶格不匹配，而可以輕易的使該金屬電鍍層30與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20剝離。

而該基板10的材質(zhì)可以為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，簡(jiǎn)稱pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，簡(jiǎn)稱pen)、聚酰亞胺(polyimide，簡(jiǎn)稱pi)、玻璃等等，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20的材質(zhì)為陶瓷材料，并可以為氧化銦錫(ito)、氧化硅(siox)、氧化錫(sno)、氧化鈦(tiox)、氧化鋅(zno)、氧化鎢(wox)、氧化鉻(crxoy)、氧化鋁(alxoy)或其組合等，且該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20于高溫的環(huán)境下依舊可以保持低結(jié)合強(qiáng)度，以利于后續(xù)工藝進(jìn)行，該金屬電鍍層30的材質(zhì)為銅。

于本實(shí)施例中，更包含有一設(shè)置于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20與該金屬電鍍層30之間的種子金屬濺鍍層40，借由濺鍍?cè)摲N子金屬濺鍍層40可以提高導(dǎo)電度，并將該種子金屬濺鍍層40作為電鍍基材，可以使該金屬電鍍層30更容易的電鍍于該種子金屬濺鍍層40之上。且利用濺鍍的方式會(huì)產(chǎn)生大量的殘留薄膜應(yīng)力于該種子金屬濺鍍層40上，導(dǎo)致附著力不好，進(jìn)而容易進(jìn)行剝離。

而該種子金屬濺鍍層40的材質(zhì)可以為銅或是摻雜有錫、銀、鎳的銅合金等等，且額外添加的金屬需考慮是否利于后續(xù)進(jìn)行蝕刻出極細(xì)的電路。而該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20的厚度介于50納米至1000納米之間，該種子金屬濺鍍層40的厚度介于20納米至2000納米之間，該金屬電鍍層30的厚度介于0.5微米至20微米之間。其中，該種子金屬濺鍍層40的厚度越厚，越容易累積殘留薄膜應(yīng)力，使該種子金屬濺鍍層40、該金屬電鍍層30更容易與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20剝離。

此外，該金屬電鍍層30更包含有一經(jīng)蝕刻而形成的縷空區(qū)31(示于圖4d)，并填入一樹(shù)脂50于該縷空區(qū)31之中，使該樹(shù)脂50黏合該金屬電鍍層30而固定形成一圖騰電路層70，借此，可以防止該金屬電鍍層30于剝離時(shí)破損，于本實(shí)施例中，由于更具有該種子金屬濺鍍層40，因此，該種子金屬濺鍍層40與該金屬電鍍層30會(huì)一并進(jìn)行蝕刻。除此之外，且更可以于該樹(shù)脂50與該無(wú) 機(jī)復(fù)合薄膜20之間設(shè)置一剝離層60，該剝離層60可以防止該樹(shù)脂50黏合該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20，而造成不易剝離的問(wèn)題，而該剝離層60的材質(zhì)可以為脫模劑，而脫模劑可以為硅油系列、氟系列以及聚醚系列，其中，硅油系列可以為硅氧烷化合物、硅油、硅樹(shù)脂甲基支鏈硅油、甲基硅油、乳化甲基硅油、含氫甲基硅油、硅脂、硅樹(shù)脂、硅橡膠、硅橡膠甲苯溶液等等，氟系列可以為聚四氟乙烯、氟樹(shù)脂粉末、氟樹(shù)脂涂料等，聚醚系列可以為聚醚和脂油混合物。

續(xù)搭配參閱圖3及圖4a至圖4g所示，為一種具有濺鍍式無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜的附載體銅箔的制備方法，包含有以下步驟：

s1：濺鍍一無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20于該一基板10上，如圖4a所示，利用濺鍍的方式于該基板10上形成該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20，其中，該基板10的材質(zhì)可以為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，簡(jiǎn)稱pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，簡(jiǎn)稱pen)、聚酰亞胺(polyimide，簡(jiǎn)稱pi)、玻璃等或其組合，該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20的材質(zhì)為陶瓷材料，并可以為氧化銦錫(ito)、氧化硅(siox)、氧化錫(sno)、氧化鈦(tiox)、氧化鋅(zno)、氧化鎢(wox)、氧化鉻(crxoy)、氧化鋁(alxoy)或其組合等，且厚度為介于50納米至1000納米之間。

s2：形成一金屬電鍍層30，利用電鍍方式于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20遠(yuǎn)離該基板10的一側(cè)形成該金屬電鍍層30，通過(guò)控制電鍍的時(shí)間與電流大小，可以控制該金屬電鍍層30的厚度與晶粒大小，而利用電鍍所形成的晶粒大小均勻，于后續(xù)蝕刻時(shí)可以達(dá)到更微細(xì)化的線路。而于本實(shí)施例中，更包含有以下步驟：

s2a：形成一種子金屬濺鍍層40，如圖4b所示，由于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20的材質(zhì)若導(dǎo)電性較差，則電鍍形成該金屬電鍍層30的效果就會(huì)不好，為了提高進(jìn)行該金屬電鍍層30的電鍍效果，于本實(shí)施例中會(huì)先利用濺鍍的方式于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20遠(yuǎn)離該基板10的一側(cè)形成該種子金屬濺鍍層40，該種子金屬濺鍍層40的材質(zhì)可以為銅或是摻雜有錫、銀、鎳的銅合金等材料，且其厚度介于20納米至2000納米之間。

s2b：如圖4c所示，再以該種子金屬濺鍍層40作為電鍍基材，電鍍形成該金屬電鍍層30于該種子金屬濺鍍層40遠(yuǎn)離該基板10的一側(cè)，該金屬電鍍層30的材質(zhì)于本實(shí)施例中為銅，且厚度為介于0.5微米至20微米之間。

s3：進(jìn)行剝離，利用該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20與該金屬電鍍層30晶格不匹配的 特性，可以輕易的將該金屬電鍍層30從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20上進(jìn)行剝離，剝離下來(lái)的該金屬電鍍層30可以直接進(jìn)行后續(xù)加工，于本實(shí)施例中，由于更具有該種子金屬濺鍍層40，因此，于剝離時(shí)，會(huì)將該種子金屬濺鍍層40與該金屬電鍍層30一并從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20上剝離，且該種子金屬濺鍍層40與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20亦具有晶格不匹配的特性，因此，亦可以輕易的剝離。而本實(shí)施例中，更可以包含有以下步驟：

s3a：對(duì)該金屬電鍍層30與該種子金屬濺鍍層40進(jìn)行蝕刻，如圖4d所示，對(duì)該金屬電鍍層30與該種子金屬濺鍍層40進(jìn)行蝕刻，使該金屬電鍍層30與該種子金屬濺鍍層40具有一因蝕刻而產(chǎn)生的縷空區(qū)31，并可使該金屬電鍍層30與該種子金屬濺鍍層40根據(jù)后續(xù)電路設(shè)計(jì)所需形成對(duì)應(yīng)的圖騰。

s3b：形成一圖騰電路層70，如圖4e至圖4f所示，將一脫模劑填入該縷空區(qū)31中，而于該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20上形成一剝離層60，再將一樹(shù)脂50填入于該縷空區(qū)31中，且可利用加熱或照射紫外光等方式使該樹(shù)脂50固化并黏合該金屬電鍍層30、該種子金屬濺鍍層40與該剝離層60而固定形成一圖騰電路層70，其中，該剝離層60的作用為防止該樹(shù)脂50與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20黏合，而導(dǎo)致該圖騰電路層70不易從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20上剝離以及防止該圖騰電路層70損壞的問(wèn)題。

s3c：剝離該圖騰電路層70，最后如圖4g所示，將該圖騰電路層70從該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20上進(jìn)行剝離，并進(jìn)行后續(xù)的工藝，而可應(yīng)用于高密度及精細(xì)線路的印刷電路板、多層印刷電路板、覆晶薄膜與軟性高階電子封裝等等。

此外，于步驟s3b之中，也可以不添加該脫模劑，如此一來(lái)，可以降低工藝復(fù)雜度，且可以選用低黏度的該樹(shù)脂50，以避免該樹(shù)脂50黏合住該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20，導(dǎo)致進(jìn)行剝離時(shí)，該圖騰電路層70破損的問(wèn)題。

剝離完畢之后，若該圖騰電路層70上有殘留該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜20，可以通過(guò)選擇性蝕刻的方式來(lái)蝕刻掉，而不會(huì)傷害到該圖騰電路層70。

除此之外，本發(fā)明也可以先不進(jìn)行蝕刻，而先進(jìn)行該基板10與該金屬電鍍層30的剝離后(若工藝包含該種子金屬濺鍍層40，則連同該種子金屬濺鍍層40一起進(jìn)行剝離)，將該金屬電鍍層30貼合于一絕緣基材(未圖示)之上，如紙基材酚樹(shù)脂等等，再接著進(jìn)行微影蝕刻等工藝，而可進(jìn)行后續(xù)的應(yīng)用。

綜上所述，本發(fā)明具有以下特點(diǎn)：

一、利用濺鍍的方式形成該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜，使其致密性與結(jié)晶性較好，且該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜與該金屬電鍍層的晶格不匹配，而可以輕易的使該金屬電鍍層與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜剝離。

二、利用濺鍍的方式形成該種子金屬濺鍍層，會(huì)產(chǎn)生大量的殘留薄膜應(yīng)力于該種子金屬濺鍍層上，導(dǎo)致附著力不好，進(jìn)而容易進(jìn)行與該基板之間的剝離。

三、借由濺鍍?cè)摲N子金屬濺鍍層可以代替導(dǎo)電性較差的該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜作為電鍍的基材，并可以使該金屬電鍍層更容易的電鍍于該種子金屬濺鍍層之上。

四、先利用該種子金屬濺鍍層形成電鍍的基材，接著利用沉積速度較快的電鍍方式形成該金屬電鍍層，借此兼顧金屬晶格成形的穩(wěn)定性與鍍膜速度，以符合量產(chǎn)所需的成本效益。

五、借由填入該樹(shù)脂于該縷空區(qū)之中，使該樹(shù)脂黏合該金屬電鍍層，而可以防止該金屬電鍍層于剝離時(shí)破損。

六、借由設(shè)置該剝離層，可以防止該樹(shù)脂與該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜黏合，而造成不易剝離的問(wèn)題。

七、該無(wú)機(jī)復(fù)合薄膜于高溫的環(huán)境下亦可以保持與該金屬電鍍層、該種子金屬濺鍍層的低結(jié)合強(qiáng)度，而可輕易的剝離。

八、該金屬電鍍層可以通過(guò)控制電鍍的時(shí)間與電流大小，而控制其厚度與晶粒大小，且利用電鍍所形成的晶粒大小均勻，于后續(xù)蝕刻時(shí)可以達(dá)到更微細(xì)化的線路。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。