本發(fā)明涉及一種鍍膜設(shè)備，尤指一種鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)。

背景技術(shù)：

真空鍍膜技術(shù)是利用物理或化學(xué)手段，于一抽真空的環(huán)境中，將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、導(dǎo)電和絕緣等許多優(yōu)于固體材料本身的優(yōu)越性能，達到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長產(chǎn)品壽命等作用，并已應(yīng)用于航空、電子、機械、化工、軍事等領(lǐng)域。

如中國臺灣公告第i503434號專利“濺鍍鍍膜裝置”，為了讓多個鍍膜基板有較好的鍍膜質(zhì)量，該些鍍膜基板之間為陣列排列且相隔一定的間隙，又如中國臺灣公開第201418499a號專利“用于濺鍍工藝之夾具與濺鍍半導(dǎo)體封裝件之方法”，其公開可于半導(dǎo)體封裝件(即晶粒)的頂表面與側(cè)表面上濺鍍金屬，借以抵抗外界的電磁干擾，避免導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件的電性運作功能不正常。

對于已經(jīng)切割并已完成顯影蝕刻而具有功能性設(shè)計的多個晶粒來說，要于頂表面與側(cè)表面上濺鍍金屬，必須要讓該些晶粒彼此之間保持一定的間隙，因此要進行濺鍍金屬之前，必須將多個晶粒借由一晶粒取放頭移載到一濺鍍機載盤上，并陣列排列且相隔一定的間隙，才開始進行濺鍍。

然而，現(xiàn)有借由該晶粒取放頭將晶圓上細小的該些晶粒一一移載到該濺鍍機載盤上，由于每次取放該些晶粒時的位置皆不相同，其需要重新計算位置并利用影像擷取位置進行位置確認，因此為相當(dāng)耗時的作業(yè)程序，其為一瓶頸工藝。

又當(dāng)該濺鍍機載盤滿載該些晶粒后，該晶粒取放頭必須等待新的該濺鍍機載盤才能繼續(xù)移載該些晶粒，而造成該晶粒取放頭必須停擺一段時間，其顯然會增加移載該多個晶粒所需的時間。另如中國臺灣公開第201418499a號專利所述，為了達到更佳的鍍膜效果，治具的使用與擺放時保持間隙是相當(dāng)重要的，由于該些晶粒相當(dāng)?shù)奈⑿。虼艘戚d晶圓上的該些晶粒時，為了擺放位置定位 的精密度的考慮，其取放的速度必須放慢，否則過快的取放位移速度會導(dǎo)致取放該些晶粒時的偏移會加大，因而限制了取放的位移速度，然而放慢的取放速度，代表需要更多時間才能完成該些晶粒的取放作業(yè)，其顯然無法滿足使用上的需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的，在于提供一種鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)，解決晶粒鍍膜取放速度緩慢而成為瓶頸工藝的問題。

為達上述目的，本發(fā)明提供一種鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)，將一晶圓所包含的多個晶粒，移載到一濺鍍機載盤上進行鍍膜，其中該些晶粒位于一原始狀態(tài)，而使該些晶粒之間彼此間隔一晶圓間隙，該鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)包含一取晶乘載臺、一運送裝置、一晶粒取放頭與一取放位移裝置，其中該取晶乘載臺用以水平調(diào)整位置，該運送裝置乘載該晶圓移動至該取晶乘載臺，該晶粒取放頭取放該些晶粒，該取放位移裝置連接該晶粒取放頭并于該濺鍍機載盤與該取晶乘載臺之間往復(fù)移動，該晶粒取放頭于固定位置抓取該取晶乘載臺上的該些晶粒并移至該濺鍍機載盤擺放為一鍍膜擺放狀態(tài)，且該些晶粒彼此間隔一工藝間隙而陣列擺放，其中該工藝間隙大于該晶圓間隙，以利進行晶粒鍍膜。

其中，更包含一設(shè)置于該濺鍍機載盤與該取晶乘載臺之間用以暫存該晶粒的緩沖載盤，以及一將該緩沖載盤移至該濺鍍機載盤的載盤移載裝置，該晶粒取放頭優(yōu)先抓取該晶粒移至該濺鍍機載盤，并于該濺鍍機載盤滿載時，該晶粒取放頭為抓取該晶粒暫存于該緩沖載盤。

其中，該晶粒取放頭掛設(shè)一取物攝影機。

其中，該工藝間隙大于1微米。

其中，該運送裝置設(shè)置一夾取該晶圓進入該取晶乘載臺的夾爪。

其中，該取晶乘載臺設(shè)置于一乘載平面位移裝置上，該乘載平面位移裝置包含一x方向乘載位移元件與一y方向乘載位移元件。

其中，該晶粒取放頭與該取晶乘載臺為設(shè)置多組。

其中，更包含一拍攝該晶粒的輪廓而得知精確位置的定位攝影機，且該定位攝影機位于該晶粒取放頭的位移路徑上。

其中，該取放位移裝置包含一x方向取放位移元件與一y方向取放位移元件。

其中，該濺鍍機載盤上設(shè)置一濺鍍治具。

綜上所述，本發(fā)明的特色在于，本發(fā)明借由先讓該晶圓移動至該取晶乘載臺，再借該取晶乘載臺的位移，讓該晶粒取放頭可以于固定位置抓取該些晶粒，換句話說，本發(fā)明可以節(jié)省該取放位移裝置抓取該些晶粒的定位時間，借以有效縮短移載該多個晶粒所需的時間。

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)上視示意圖。

圖2為本發(fā)明結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖。

圖3a～圖3f為本發(fā)明動作示意圖。

其中，附圖標記：

10：晶圓

20：晶粒

30：濺鍍機載盤

31：濺鍍治具

32：傳送帶

40：晶粒取放頭

41：取物攝影機

42：取放位移裝置

43：x方向取放位移元件

44：y方向取放位移元件

50：緩沖載盤

60：載盤移載裝置

70：取晶乘載臺

71：乘載平面位移裝置

72：x方向乘載位移元件

73：y方向乘載位移元件

80：運送裝置

81：夾爪

82：平移裝置

90：定位攝影機

100：濺鍍系統(tǒng)

a：晶圓架

具體實施方式

有關(guān)本發(fā)明的詳細說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說明如下：

請參閱圖1與圖2所示，本發(fā)明提供一種鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)，將一晶圓10所包含的多個晶粒20，移載到至少一濺鍍機載盤30上進行鍍膜，其中該些晶粒20位于一原始狀態(tài)，而使該些晶粒20之間彼此間隔一晶圓間隙，該鍍膜設(shè)備的自動取放機構(gòu)包含一取晶乘載臺70、一運送裝置80、一晶粒取放頭40與一取放位移裝置42，其中該取晶乘載臺70用以水平調(diào)整位置，該運送裝置80乘載該晶圓10移動至該取晶乘載臺70，該晶粒取放頭40取放該些晶粒20，該取放位移裝置42連接該晶粒取放頭40并于該濺鍍機載盤30與該取晶乘載臺70之間往復(fù)移動，該晶粒取放頭40于固定位置抓取該取晶乘載臺70上的該些晶粒20并移至該濺鍍機載盤30擺放為一鍍膜擺放狀態(tài)，且該些晶粒20彼此間隔一工藝間隙而陣列擺放，其中該工藝間隙大于該晶圓間隙，以利進行晶粒鍍膜，其中該工藝間隙的較佳值為大于1微米。

又本發(fā)明更可包含一緩沖載盤50與一載盤移載裝置60，該緩沖載盤50設(shè)置于該濺鍍機載盤30與該取晶乘載臺70之間用以暫存該些晶粒20，該載盤移載裝置60將該緩沖載盤50移至該濺鍍機載盤30，其中該晶粒取放頭40抓取該些晶粒20移至該濺鍍機載盤30，且為了抓取該些晶粒20，該晶粒取放頭40可以掛設(shè)一取物攝影機41，以借由該取物攝影機41確認該些晶粒20的位置，并該晶粒取放頭40優(yōu)先抓取該些晶粒20移至該濺鍍機載盤30，并當(dāng)該濺鍍機載盤30滿載時，會借由一傳送帶32將該濺鍍機載盤30送入一濺鍍系統(tǒng)100內(nèi)進行濺鍍作業(yè)，接著更換新的該濺鍍機載盤30，而由于在這段時間會有空檔，該晶粒取放頭40便抓取該些晶粒20暫存于該緩沖載盤50中以避免空轉(zhuǎn)等待的 問題，又當(dāng)換入新的濺鍍機載盤30后，該載盤移載裝置60為將該緩沖載盤50整個移至該濺鍍機載盤30上，借以讓該晶粒取放頭40不間斷的抓取該些晶粒20。

另該運送裝置80可以借由一夾爪81夾取該晶圓10進入該取晶乘載臺70。而為了取放不同位置的該晶圓10，該運送裝置80可以設(shè)置于一平移裝置82上，借以取放不同位置的該晶圓10。另，該取晶乘載臺70可以設(shè)置于一乘載平面位移裝置71上，該乘載平面位移裝置71包含疊置在一起的一x方向乘載位移元件72與一y方向乘載位移元件73，亦即該取晶乘載臺70可以借由該x方向乘載位移元件72與該y方向乘載位移元件73的幫助而改變該取晶乘載臺70的位置以水平調(diào)整位置，讓該晶粒取放頭40可以于固定位置抓取該些晶粒20。而為了加快該些晶粒20擺放到該濺鍍機載盤30的作業(yè)，該晶粒取放頭40與該取晶乘載臺70可以設(shè)置多組，借由增加該晶粒取放頭40的數(shù)量，來增加移載該些晶粒20的速度，又當(dāng)該取晶乘載臺70設(shè)置多組時，本發(fā)明可以借由同一個該運送裝置80與該夾爪81來夾取不同位置的該晶圓10，依序進入該些取晶乘載臺70，可以節(jié)省該運送裝置80與該夾爪81的設(shè)置成本。

此外，本發(fā)明更可以包含一拍攝該些晶粒20的輪廓而得知精確位置的定位攝影機90，且該定位攝影機90位于該晶粒取放頭40的位移路徑上，該晶粒取放頭40抓取該些晶粒20之后，為先通過該定位攝影機90，讓該定位攝影機90取得該晶粒取放頭40與該些晶粒20的一相對位置信息，如此即可依據(jù)該相對位置信息，修正該晶粒20即將要的擺放位置，借此可以精準的擺放該些晶粒20于該濺鍍機載盤30上，借此該晶粒取放頭40抓取該些晶粒20的速度可以加快，而該晶粒取放頭40抓取該些晶粒20時所產(chǎn)生的偏移誤差，可以借由補償而修正，借以增加該晶粒取放頭40的作業(yè)速度，并該定位攝影機90的數(shù)量為對應(yīng)該晶粒取放頭40。

而該晶粒取放頭40可以設(shè)置于一取放位移裝置42上，該取放位移裝置42包含疊置在一起的一x方向取放位移元件43與一y方向取放位移元件44，借由該x方向取放位移元件43與該y方向取放位移元件44的輔助，該晶粒取放頭40即具有平面位移自由度，而可移載該些晶粒20。

此外，本發(fā)明的該些濺鍍機載盤30在滿載該些晶粒20后，即可送入該濺鍍系統(tǒng)100進行濺鍍作業(yè)，而為了增加濺鍍時的質(zhì)量，該些濺鍍機載盤30上分 別設(shè)置一濺鍍治具31，且該濺鍍治具31可以充作為該緩沖載盤50使用，以降低額外設(shè)置該緩沖載盤50所需的成本。

請再一并參閱圖3a～圖3f，為本發(fā)明動作示意圖，其以單一個晶圓10并配合一組該晶粒取放頭40與該取晶乘載臺70為例說明之，在實際實施時，可以多組該晶粒取放頭40與該取晶乘載臺70同時動作。首先如圖3a所示，為準備該晶圓10，該晶圓10具呈該原始狀態(tài)的多個晶粒20，且該晶圓10可以放置于一晶圓架a。接著，如圖3b所示，借由該運送裝置80及該夾爪81將該晶圓10移至該取晶乘載臺70。接著，如圖3c所示，借由該取放位移裝置42的位移，讓該晶粒取放頭40移動至固定位置抓取該些晶粒20。

接著，如圖3d所示，借由該取放位移裝置42的位移，讓該晶粒取放頭40移動至該定位攝影機90處，確認該晶粒取放頭40與抓取的該晶粒20的相對位置信息，以修正該晶粒20即將要的擺放位置。接著，如圖3e所示，借由該取放位移裝置42的位移，讓該晶粒取放頭40移動至該濺鍍機載盤30處，以讓抓取的該晶粒20擺放于該濺鍍機載盤30的特定位置(修正后的)上。

此外，如圖3f所示，當(dāng)該濺鍍機載盤30滿載該些晶粒20時，會借由該傳送帶32將該濺鍍機載盤30送入該濺鍍系統(tǒng)100內(nèi)進行濺鍍作業(yè)，并更換新的該濺鍍機載盤30，而由于在這段時間空檔，該晶粒取放頭40為抓取該晶粒20暫存于該緩沖載盤50，而當(dāng)該濺鍍機載盤30清出空間時(更換新的該濺鍍機載盤30后)，該載盤移載裝置60為將該緩沖載盤50整個移至該濺鍍機載盤30上，如此該晶粒取放頭40在更換新的該濺鍍機載盤30的過程中，仍可不間斷的抓取該些晶粒20。

綜上所述，本發(fā)明具有以下特點：

一、借由先讓該晶圓移動至該取晶乘載臺，再借該取晶乘載臺的位移，讓該晶粒取放頭可以于固定位置抓取該些晶粒，節(jié)省該取放位移裝置抓取該些晶粒的定位時間，借以有效縮短移載該多個晶粒所需的時間。

二、借由該緩沖載盤的設(shè)置，該濺鍍機載盤滿載時，該晶粒取放頭仍可以持續(xù)抓取該些晶粒至該緩沖載盤擺放，并在更換新的該濺鍍機載盤，直接借由該載盤移載裝置將該緩沖載盤移至該濺鍍機載盤上，借以讓該晶粒取放頭可以持續(xù)動作，借以避免該晶粒取放頭閑置，而有效縮短移載該多個晶粒所需的時間。

三、該運送裝置可以對應(yīng)多組的該晶粒取放頭與該取晶乘載臺，可以增加該晶粒取放頭的數(shù)量，避免取放該些晶粒至該濺鍍機載盤的作業(yè)形成瓶頸工藝。

四、設(shè)置該定位攝影機，且該定位攝影機位于該晶粒取放頭的位移路徑上，并通過該定位攝影機拍攝該些晶粒的輪廓而得知精確位置，借由補償修正該晶粒取放頭快速抓取該些晶粒所產(chǎn)生的偏移誤差，讓該晶粒取放頭可以增加抓取該些晶粒的速度，增加該晶粒取放頭的作業(yè)速度。

五、借由該些濺鍍治具的設(shè)置，增加濺鍍的質(zhì)量，同時讓該濺鍍治具充作為該緩沖載盤使用，借以降低額外設(shè)置該緩沖載盤所需的成本。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。