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      一種蒸鍍坩堝及蒸發(fā)源裝置的制作方法

      文檔序號(hào):11811031閱讀:196來源:國(guó)知局
      一種蒸鍍坩堝及蒸發(fā)源裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蒸鍍坩堝及蒸發(fā)源裝置。



      背景技術(shù):

      有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱OLED)器件具有制作工藝簡(jiǎn)單、顏色可調(diào)、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn),在顯示和照明領(lǐng)域都是開發(fā)與投資的熱點(diǎn)。隨著OLED顯示器件的用途愈加廣泛,其制作工藝也日趨成熟。當(dāng)前,OLED器件常用的制作方法包括蒸鍍、噴墨打印、熱傳印等多種方式。在這些制作方法中,蒸鍍方式是一種比較成熟的方法,且已經(jīng)運(yùn)用于量產(chǎn)。

      如圖1所示,傳統(tǒng)蒸鍍坩堝包括坩堝主體10和蓋在坩堝主體10的開口處的上蓋20;坩堝主體10用于盛放待蒸鍍材料30;上蓋20設(shè)有出射孔。其蒸鍍?cè)頌椋和ㄟ^對(duì)蒸鍍坩堝進(jìn)行加熱使待蒸鍍材料30加熱到一定溫度發(fā)生蒸發(fā)或升華,從出射孔射出,從而凝聚沉積在待鍍膜的基板表面形成薄膜。

      然而,在生產(chǎn)過程中,一方面,為了提高生產(chǎn)效率,通常會(huì)在坩堝主體10內(nèi)加入較滿的待蒸鍍材料30,因而容易出現(xiàn)蒸鍍材料30從出射孔向外噴濺的現(xiàn)象;另一方面,如圖2所示,為了保證待蒸鍍材料30量不多時(shí)也能維持穩(wěn)定的蒸發(fā)速率,通常會(huì)選擇在坩堝主體10的底部余留約10%的待蒸鍍材料30,而再次填料時(shí),若不廢棄這些殘余材料,這些殘余材料就會(huì)沉積在坩堝主體10的底部經(jīng)多次循環(huán)加熱而劣化變質(zhì),若在再次填料前廢棄這些殘余材料,不僅會(huì)提高生產(chǎn)成本,而且會(huì)降低生產(chǎn)效率。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的實(shí)施例提供一種蒸鍍坩堝及蒸發(fā)源裝置,相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)既可避免蒸鍍過程中余留在坩堝主體底部的待蒸鍍材料因多次循環(huán)加熱而劣化變質(zhì),又可以避免蒸鍍過程中出現(xiàn)噴濺現(xiàn)象。

      為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:

      一方面,提供一種蒸鍍坩堝,包括外坩堝和內(nèi)坩堝,所述內(nèi)坩堝嵌于所述外坩堝內(nèi);所述外坩堝包括外坩堝主體和蓋在所述外坩堝主體的開口處的第一上蓋;所述第一上蓋設(shè)有出射孔;所述內(nèi)坩堝包括內(nèi)坩堝主體和蓋在所述內(nèi)坩堝主體的開口處的第二上蓋;所述內(nèi)坩堝主體的側(cè)壁底部設(shè)置有多個(gè)第一通孔;其中,所述內(nèi)坩堝主體和所述外坩堝主體的側(cè)壁之間具有間隙。

      優(yōu)選的,所述內(nèi)坩堝主體和所述外坩堝主體的側(cè)壁之間還設(shè)置有導(dǎo)熱板,所述導(dǎo)熱板與所述內(nèi)坩堝和所述外坩堝接觸;其中,所述導(dǎo)熱板上設(shè)置有多個(gè)第二通孔。

      進(jìn)一步優(yōu)選的,所述導(dǎo)熱板和所述外坩堝主體、所述內(nèi)坩堝主體的材料相同。

      基于上述,優(yōu)選的,所述內(nèi)坩堝主體的底部設(shè)置為內(nèi)凸型。

      進(jìn)一步優(yōu)選的,所述內(nèi)坩堝主體的底部形狀為倒V型。

      優(yōu)選的,所述內(nèi)坩堝主體的底部與所述外坩堝主體的底部接觸。

      優(yōu)選的,所述第一上蓋通過外密封的方式與所述外坩堝主體接觸,所述第二上蓋通過內(nèi)密封的方式與所述內(nèi)坩堝主體接觸。

      另一方面,提供一種蒸發(fā)源裝置,包括上述第一方面所述的蒸鍍坩堝,還包括外坩堝主體外側(cè)的加熱源。

      優(yōu)選的,所述加熱源為兩個(gè),分別與所述內(nèi)坩堝主體的上部和下部對(duì)應(yīng)。

      進(jìn)一步優(yōu)選的,導(dǎo)熱板為兩個(gè),所述導(dǎo)熱板分別與所述加熱源對(duì)應(yīng)設(shè)置。

      本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍坩堝及蒸發(fā)源裝置,通過將蒸鍍坩堝設(shè)置為外坩堝嵌套內(nèi)坩堝的結(jié)構(gòu),并且在內(nèi)坩堝主體的側(cè)壁的底部設(shè)置第一通孔,可以使待蒸鍍材料受熱蒸發(fā)后從內(nèi)坩堝主體側(cè)壁底部的第一通孔導(dǎo)出后,沿著內(nèi)坩堝主體和外坩堝主體的側(cè)壁之間的間隙從下到上移動(dòng),最終從第一上蓋上的出射孔射出。這種嵌套式的結(jié)構(gòu)使位于內(nèi)坩堝主體底部的待蒸鍍材料先被蒸發(fā),位于內(nèi)坩堝主體頂部的待蒸鍍材料逐漸下沉到底部后被蒸發(fā),這樣相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),既可以避免為了保證穩(wěn)定的蒸發(fā)速率而余留在坩堝主體底部的蒸鍍材料被多次循環(huán)加熱而劣化變質(zhì),又可以避免因在坩堝主體內(nèi)加入較滿的待蒸鍍材料而導(dǎo)致蒸鍍過程中出現(xiàn)噴濺現(xiàn)象。

      附圖說明

      為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖一;

      圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖二;

      圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖一;

      圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種點(diǎn)源蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種線源蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖5(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖二;

      圖5(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖三;

      圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖一;

      圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖二。

      附圖說明

      10-坩堝主體;20-上蓋;30-待蒸鍍材料;40-導(dǎo)熱板;41-第二通孔;50-加熱源;100-外坩堝;110-外坩堝主體;120-第一上蓋;130-出射孔;200-內(nèi)坩堝;210-內(nèi)坩堝主體;220-第二上蓋;230-第一通孔。

      具體實(shí)施方式

      下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

      本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍坩堝,如圖3所示,包括外坩堝100和內(nèi)坩堝200,內(nèi)坩堝200嵌于外坩堝100內(nèi);具體的,外坩堝100包括外坩堝主體110和蓋在外坩堝主體110的開口處的第一上蓋120;第一上蓋120上設(shè)有出射孔130;內(nèi)坩堝200包括內(nèi)坩堝主體210和蓋在內(nèi)坩堝主體210的開口處的第二上蓋220;內(nèi)坩堝主體210的側(cè)壁底部設(shè)置有多個(gè)第一通孔230;其中,內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間具有間隙。

      需要說明的是,第一,不對(duì)內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的形狀進(jìn)行限定。優(yōu)選內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的形狀相同,且內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間間隙的寬度一致。

      其中,對(duì)于內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間間隙的寬度,能使蒸發(fā)為氣態(tài)的蒸鍍材料順暢通過,且使第二坩堝主體210的容積盡量大為準(zhǔn),例如間隙可以為1~5mm。

      此外,不對(duì)內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的材料進(jìn)行限定,滿足耐高溫、導(dǎo)熱性能好且不易形變即可。例如:內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的材料可選用鈦、銅、鋁等金屬,也可以選用石英、陶瓷等材料。

      第二,不對(duì)外坩堝主體110和第一上蓋120的蓋合方式進(jìn)行限定,能夠蓋緊外坩堝主體110的開口即可。

      例如,可以在第一坩堝主體110的開口處的外表面設(shè)有外螺紋,在第一上蓋120內(nèi)表面設(shè)有與所述外螺紋相匹配的內(nèi)螺紋,第一上蓋120與第一坩堝主體110的蓋合方式為螺紋擰合。當(dāng)然,第一上蓋120的材料不能與待蒸鍍材料30發(fā)生反應(yīng)。

      此外,不對(duì)內(nèi)坩堝主體210和第二上蓋220的蓋合方式進(jìn)行限定,能實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)坩堝主體210的開口進(jìn)行蓋合即可,優(yōu)選蓋合后能實(shí)現(xiàn)密封。

      例如,可以在第二坩堝主體210的開口處的內(nèi)表面設(shè)有內(nèi)螺紋,在第二上蓋220外表面設(shè)有與所述內(nèi)螺紋相匹配的外螺紋,第二上蓋220與第二坩堝主體210的蓋合方式為螺紋擰合。當(dāng)然,第二上蓋220的材料不能與待蒸鍍材料30發(fā)生反應(yīng)。

      在上述基礎(chǔ)上,對(duì)于第一上蓋120和第二上蓋220之間的距離,以能使蒸發(fā)為氣態(tài)的蒸鍍材料從第一上蓋120的出射孔130出射即可。

      第三,不對(duì)出射孔130的具體位置限定,例如,如圖4(a)所示,若本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸鍍坩堝為點(diǎn)源蒸鍍坩堝,則出射孔130可以設(shè)置在第一上蓋120的中心;如圖4(b)所示,若本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸鍍坩堝為線源蒸鍍坩堝,則出射孔130可以沿著第一上蓋120延X方向的中心軸線均勻排布。

      考慮到如果出射孔130的孔徑大于內(nèi)坩堝200的外徑,可能會(huì)出現(xiàn)蒸發(fā)為氣態(tài)的蒸鍍材料到達(dá)第一坩堝主體110頂端后直接從出射孔130的邊緣位置處噴出,而無法使蒸發(fā)為氣態(tài)的蒸鍍材料在第一坩堝主體110頂端匯聚后從出射孔130中心處均勻噴出,而影響蒸鍍的均勻性。因此,優(yōu)選出射孔130的孔徑應(yīng)小于內(nèi)坩堝200的外徑。

      第四,不對(duì)內(nèi)坩堝主體210側(cè)壁底部的第一通孔230的孔徑和孔的個(gè)數(shù)進(jìn)行限定,能夠使蒸發(fā)后的氣體導(dǎo)出且不易堵塞即可。例如孔徑可以為0.5mm-1mm。

      此外,不對(duì)第一通孔230位于內(nèi)坩堝主體210側(cè)壁底部的具體位置進(jìn)行,例如,可以設(shè)置在內(nèi)坩堝主體210側(cè)壁底部的1/10高度處。

      本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍坩堝,通過將蒸鍍坩堝設(shè)置為外坩堝100嵌套內(nèi)坩堝200的結(jié)構(gòu),并且在內(nèi)坩堝主體210的側(cè)壁的底部設(shè)置第一通孔230,可以使待蒸鍍材料30受熱蒸發(fā)后從內(nèi)坩堝主體210側(cè)壁底部的第一通孔230導(dǎo)出后,沿著內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間的間隙從下到上移動(dòng),最終從第一上蓋120上的出射孔130射出。這種嵌套式的結(jié)構(gòu)使位于內(nèi)坩堝主體210底部的待蒸鍍材料30先被蒸發(fā),位于內(nèi)坩堝主體210頂部的待蒸鍍材料30逐漸下沉到底部后被蒸發(fā),這樣相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),既可以避免為了保證穩(wěn)定的蒸發(fā)速率而余留在坩堝主體10底部的蒸鍍材料30被多次循環(huán)加熱而劣化變質(zhì),又可以避免因在坩堝主體10內(nèi)加入較滿的待蒸鍍材料30而導(dǎo)致蒸鍍過程中出現(xiàn)噴濺現(xiàn)象。

      優(yōu)選的,如圖5(a)所示,內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間還設(shè)置有導(dǎo)熱板40,導(dǎo)熱板40與內(nèi)坩堝200和外坩堝100接觸;其中,如圖5(b)所示,導(dǎo)熱板40上設(shè)置有多個(gè)第二通孔41。

      此處,優(yōu)選導(dǎo)熱板40可以環(huán)繞內(nèi)坩堝主體210的側(cè)壁環(huán)繞一圈設(shè)置。

      需要說明的是,不對(duì)導(dǎo)熱板40的材料進(jìn)行限定,能實(shí)現(xiàn)內(nèi)坩堝200和外坩堝100之間的熱量傳導(dǎo)即可。且不對(duì)導(dǎo)熱板40上設(shè)置的第二通孔41的個(gè)數(shù)和孔徑做限定,能使蒸發(fā)后的氣體穿過且不易堵塞即可。例如,孔徑可以為0.5mm-1mm。

      本發(fā)明實(shí)施例通過在內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間設(shè)置導(dǎo)熱板40,使得內(nèi)坩堝200和外坩堝100對(duì)應(yīng)位置處保持相同的溫度,從而提高加熱效率。

      進(jìn)一步優(yōu)選的,導(dǎo)熱板40和外坩堝主體110、內(nèi)坩堝主體210的材料相同,這樣可以簡(jiǎn)化制造工藝,降低生產(chǎn)成本。

      基于上述,優(yōu)選的,內(nèi)坩堝主體210的底部設(shè)置為內(nèi)凸型。例如,坩堝主體210的底部形狀可以為向第二上蓋220方向凸出的弧形形狀;或者,如圖6所示,內(nèi)坩堝主體210的底部可以設(shè)置為倒V型。

      本發(fā)明實(shí)施例通過將內(nèi)坩堝主體210的底部設(shè)置為內(nèi)凸型,可以改善待蒸鍍材料30余留在內(nèi)坩堝主體210的底部中心位置而無法被加熱蒸發(fā)的問題,從而可提高待蒸鍍材料30的利用率。

      其中,考慮到將內(nèi)坩堝主體210的底部設(shè)置為倒V型,可完全避免待蒸鍍材料30余留在內(nèi)坩堝主體210的底部中心位置而無法被加熱蒸發(fā),因此,本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選內(nèi)坩堝主體210的底部為倒V型。

      為了避免蒸發(fā)為氣態(tài)的蒸鍍材料在內(nèi)坩堝主體210的底部和外坩堝主體110的底部之間的間隙處停留從而影響蒸鍍效率,優(yōu)選的,如圖3、圖4(b)、圖5(a)以及圖6所示,內(nèi)坩堝主體210的底部與外坩堝主體110的底部接觸。

      優(yōu)選的,如圖3、圖4(b)、圖5(a)以及圖6所示,第一上蓋120通過外密封的方式與外坩堝主體110接觸,第二上蓋220通過內(nèi)密封的方式與內(nèi)坩堝主體210接觸。

      本發(fā)明實(shí)施例通過將外坩堝100設(shè)置為外密封,內(nèi)坩堝200設(shè)置為內(nèi)密封,可以避免氣體因第一上蓋120和第二上蓋220的阻擋而影響移動(dòng)速率,從而影響蒸鍍效果。

      本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸發(fā)源裝置,如圖7所示,包括上述的蒸鍍坩堝和設(shè)置在外坩堝主體110外側(cè)的加熱源50。

      其中,不對(duì)加熱源50的設(shè)置方式做限定,可以是圍繞外坩堝100一圈設(shè)置,也可以間斷式的設(shè)置,且不對(duì)加熱源50的高度進(jìn)行限定,可以是與內(nèi)坩堝主體210等高,也可以只是內(nèi)坩堝主體210高度的一半,此時(shí),加熱源50靠近外坩堝主體110的底部。圖7僅以加熱源50為間斷式設(shè)置,高度為內(nèi)坩堝主體210高度的一半進(jìn)行示例。

      本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸發(fā)源裝置,通過將蒸鍍坩堝設(shè)置為外坩堝100嵌套內(nèi)坩堝200的結(jié)構(gòu),并且在內(nèi)坩堝主體210的側(cè)壁的底部設(shè)置第一通孔230,可以使待蒸鍍材料30受熱蒸發(fā)后從內(nèi)坩堝主體210側(cè)壁底部的第一通孔230導(dǎo)出后,沿著內(nèi)坩堝主體210和外坩堝主體110的側(cè)壁之間的間隙從下到上移動(dòng),最終從第一上蓋120上的出射孔130射出。這種嵌套式的結(jié)構(gòu)使位于內(nèi)坩堝主體210底部的待蒸鍍材料30先被蒸發(fā),位于內(nèi)坩堝主體210頂部的待蒸鍍材料30逐漸下沉到底部后被蒸發(fā),這樣相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),既可以避免為了保證穩(wěn)定的蒸發(fā)速率而余留在坩堝主體10底部的蒸鍍材料30被多次循環(huán)加熱而劣化變質(zhì),又可以避免因在坩堝主體10內(nèi)加入較滿的待蒸鍍材料30而導(dǎo)致蒸鍍過程中出現(xiàn)噴濺現(xiàn)象。

      優(yōu)選的,如圖8所述,加熱源50設(shè)置為兩個(gè),分別與內(nèi)坩堝主體210的上部和下部對(duì)應(yīng)。

      其中,設(shè)置在靠近內(nèi)坩堝主體210頂部的加熱源50對(duì)內(nèi)坩堝主體210中盛放的上半部分的待蒸鍍材料30進(jìn)行預(yù)加熱,設(shè)置在靠近內(nèi)坩堝主體210底部的加熱源50對(duì)內(nèi)坩堝主體201中盛放的下半部分的待蒸鍍材料30進(jìn)行加熱使其蒸發(fā)。

      本發(fā)明實(shí)施例通過將加熱源50設(shè)置為兩個(gè),使靠近內(nèi)坩堝主體210頂部的加熱源50對(duì)待蒸鍍材料30進(jìn)行預(yù)加熱,使待蒸鍍材料30下落到內(nèi)坩堝主體210底部時(shí)可以快速被蒸發(fā),減少待蒸鍍材料30在內(nèi)坩堝主體210底部的加熱時(shí)間,從而提高蒸鍍效率。

      進(jìn)一步優(yōu)選的,如圖8所示,導(dǎo)熱板40為兩個(gè),且導(dǎo)熱板40分別與加熱源50對(duì)應(yīng)設(shè)置。即,設(shè)置有加熱源50的位置處,相應(yīng)的設(shè)置有導(dǎo)熱板40。

      本發(fā)明實(shí)施例通過將導(dǎo)熱板40和加熱源50對(duì)應(yīng)設(shè)置,使得加熱源50所在位置處的溫度能夠快速的從外坩堝主體110上轉(zhuǎn)移到內(nèi)坩堝主體210上,提高加熱源50的加熱效率。

      以上所述,僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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