本發(fā)明涉及表面功能化圖案領(lǐng)域，尤其涉及一種制備銀導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的方法。

背景技術(shù)：

導(dǎo)電圖案可以被應(yīng)用于現(xiàn)代各種電子產(chǎn)品的導(dǎo)電系統(tǒng)中，因此在印制電路板行業(yè)具有非常巨大的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)的印制電路板導(dǎo)電線路制造工藝是先在銅板上覆光固化成型膠，通過(guò)掩膜曝光顯影制備圖案，然后刻蝕制備銅質(zhì)電路，在此過(guò)程中需要涂布、曝光、顯影等多個(gè)步驟，并產(chǎn)生大量的溶劑排放及污染液，并且制備工藝復(fù)雜、生產(chǎn)周期長(zhǎng)、投資大。隨著社會(huì)的進(jìn)步和電子信息技術(shù)的發(fā)展，突破傳統(tǒng)的印制電路板制備技術(shù)，尋求更加簡(jiǎn)單、環(huán)保、能夠有效降低成本的制備方法是該領(lǐng)域的一項(xiàng)核心問(wèn)題。

利用磁場(chǎng)制作圖案的方法，在科學(xué)研究中已經(jīng)被廣泛的使用。磁場(chǎng)作為一種清潔、高效的工具可以在磁場(chǎng)調(diào)制器的作用下，誘導(dǎo)磁性粒子在磁場(chǎng)中形成圖案。磁場(chǎng)調(diào)制器由高磁導(dǎo)率材料和低磁導(dǎo)率材料組成。如圖1所示，當(dāng)磁場(chǎng)沿豎直方向通過(guò)高磁導(dǎo)率材料時(shí)，磁場(chǎng)傾向于從材料的內(nèi)部穿過(guò)，導(dǎo)致了豎直方向上高磁導(dǎo)率材料表面附近區(qū)域的磁通密度增大，而在水平方向上高磁導(dǎo)率材料表面附近區(qū)域的磁通密度減小。同樣的，當(dāng)磁場(chǎng)沿著豎直方向通過(guò)低磁導(dǎo)率材料時(shí)，磁場(chǎng)傾向于繞過(guò)材料從材料的外部穿過(guò)，導(dǎo)致了豎直方向上低磁導(dǎo)率材料表面附近區(qū)域的磁通密度減小，而在水平方向上低磁導(dǎo)率材料表面附近區(qū)域的磁通密度增大。

將高磁導(dǎo)率材料和低磁導(dǎo)率材料簡(jiǎn)單地交替排列，放入磁場(chǎng)中就可以使磁場(chǎng)的磁通密度梯度變化。由高磁導(dǎo)率材料鐵箔片(300μm厚)和低磁導(dǎo)率材料鋁箔片(300μm厚)交替排列組成的磁場(chǎng)調(diào)制器放入一個(gè)磁通密度為20mT的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，其在磁場(chǎng)調(diào)制器表面豎直方向100μm平面的磁通密度分布如圖2所示。若將磁場(chǎng)調(diào)制器表面設(shè)計(jì)特定的圖案，圖案使用高磁導(dǎo)率的材料制作而成。磁場(chǎng)調(diào)制器放入豎直方向磁場(chǎng)中后，將在磁場(chǎng)中出現(xiàn)一個(gè)與所設(shè)計(jì)圖案相同的磁通密度梯度變化的區(qū)域，如圖3所示。若圖案使用低磁導(dǎo)率材料制作而成，磁場(chǎng)調(diào)制器放入豎直方向的磁場(chǎng)中后，將在磁場(chǎng)中出現(xiàn)一個(gè)與所設(shè)計(jì)圖案互補(bǔ)的磁通密度梯度變化的區(qū)域，如圖4所示。

磁性粒子在磁場(chǎng)中主要受到磁場(chǎng)力的作用。"V、Δχ、"μ_0都是常數(shù)，可以用(B·▽B)來(lái)反應(yīng)磁場(chǎng)力，磁場(chǎng)力的大小主要和磁場(chǎng)磁通密度的梯度有關(guān)。所以磁場(chǎng)中加入的磁性粒子最終都會(huì)在磁場(chǎng)力的作用下，沉積到存在磁通密度梯度變化的區(qū)域。若圖案部分是高磁導(dǎo)率材料，則磁性粒子形成的圖案和磁場(chǎng)調(diào)制器表面的圖案一致；若圖案部分是低磁導(dǎo)率材料，則磁性粒子形成的圖案和磁場(chǎng)調(diào)制器表面的圖案為互補(bǔ)圖案，如圖5所示。在圖5中，可見(jiàn)磁通密度分布呈現(xiàn)梯度變化，在高磁導(dǎo)率材料的上表面一定高度范圍磁通密度增大，低磁導(dǎo)率材料上表面一定高度范圍磁通密度減小。從磁場(chǎng)中不同位置磁性粒子所受到的磁力的分布圖可見(jiàn)，在磁通密度的梯度變化大的區(qū)域磁力較大，而在磁通密度梯度變化小的區(qū)域磁力較小。即在高磁導(dǎo)率材料的上表面一定高度范圍內(nèi)磁性粒子收到的磁場(chǎng)力較小，而在低磁導(dǎo)率材料的上表面一定高度范圍內(nèi)磁性粒子收到的磁場(chǎng)力較大。所以在低磁導(dǎo)率材料表面一定高度范圍內(nèi)的磁性粒子將在磁場(chǎng)力的驅(qū)動(dòng)下向著兩邊的高磁導(dǎo)率材料區(qū)域移動(dòng)，最終磁性粒子都會(huì)沉積在高磁導(dǎo)率材料的表面。

在磁場(chǎng)中得到的磁性粒子的圖案，是通過(guò)磁性粒子在磁場(chǎng)的誘導(dǎo)下沉積到基材上制得的，在圖案的內(nèi)部有很多的空隙，整個(gè)圖案是疏松多孔的結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)原位置換反應(yīng)之后，磁性粒子的圖案置換出的金屬銅或銀的體積要原圖案中磁性粒子的體積大，這些被置換出的金屬會(huì)填補(bǔ)圖案內(nèi)部的空隙，使整個(gè)圖案變得更加密實(shí)，這樣的結(jié)構(gòu)更有利于導(dǎo)電導(dǎo)熱。

磁場(chǎng)圖案化技術(shù)已經(jīng)作為一種簡(jiǎn)單、環(huán)保、高效的圖案化方法已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于科研領(lǐng)域，而原位電化學(xué)工藝在日常的生產(chǎn)中應(yīng)用非常廣泛，本專利將兩者結(jié)合發(fā)明了一種基于磁性粒子的導(dǎo)電、導(dǎo)熱圖案的制備方法，與傳統(tǒng)導(dǎo)電圖案制備工藝相比，本發(fā)明無(wú)需預(yù)先制備覆銅膜的基材，大大減少了污染和生產(chǎn)步驟，同時(shí)操作簡(jiǎn)單、環(huán)保、能夠有效降低成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)存的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種操作簡(jiǎn)單、環(huán)保而且可以有效降低成本的一種制備銀導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的方法，包括以下步驟：

步驟S1，將表面帶有圖案的磁場(chǎng)調(diào)制器放入磁場(chǎng)中，基材放置在調(diào)制器表面，在基材的表面加入磁性粒子的分散體系，磁性粒子在磁場(chǎng)的誘導(dǎo)下形成與磁場(chǎng)調(diào)制器表面圖案相對(duì)應(yīng)的圖案；磁場(chǎng)調(diào)制器，其特征在于：包括上表面具有圖案凹槽或孔道的主體和填充在圖案凹槽或孔道里的填充物質(zhì)組成；

當(dāng)主體為低磁導(dǎo)率材料時(shí)，填充物質(zhì)為高磁導(dǎo)率材料；當(dāng)主體為高磁導(dǎo)率材料時(shí)，填充物質(zhì)為低磁導(dǎo)率材料；這里的高低是相對(duì)的，即主體和填充物質(zhì)具有不同的磁導(dǎo)率即可。

步驟S2，利用磁性粒子圖案和銅鹽溶液發(fā)生原位置換反應(yīng)，在其表面形銅的圖案層；

步驟S3，銅的圖案與銀鹽溶液發(fā)生原位置換反應(yīng)，形成銀的導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案。

進(jìn)一步,高磁導(dǎo)率材料為鐵、鈷、鎳、低碳鋼、鐵系合金、鈷系合金、鎳系合金、軟磁鐵氧體、各類軟磁合金、各類軟磁復(fù)合材料或其一種或幾種的混合物。

進(jìn)一步,低磁導(dǎo)率物質(zhì)為低磁導(dǎo)率金屬、陶瓷、熱固型高分子材料、或(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯類樹(shù)脂或單體中一種或幾種的混合物。

優(yōu)選的，所述的一種基于磁性粒子的導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的制備方法，其特征在于，所述的磁性粒子為Fe基磁性粒子、Co基磁性粒子、Ni基磁性粒子、合金磁性粒子和鐵氧體磁性粒子、四氧化三鐵包覆的或包覆四氧化三鐵的具有核殼結(jié)構(gòu)磁性的粒子或其混合體系。

優(yōu)選的，磁場(chǎng)調(diào)制器放在在磁場(chǎng)中磁通密度介于0.5mT-5T(5Gs)的位置。

優(yōu)選的，磁性粒子的分散體系為磁性粒子分散在液體或氣體中而成的分散體系。

優(yōu)選的，所述的金屬鹽種類為銅鹽，其特征在于，銅鹽可以為硝酸銅、硫酸銅、氯化銅等中任意一種或幾種。

優(yōu)選的，所述的金屬鹽種類為銀鹽，其特征銀鹽可以為硝酸銀、銀氨溶液等中任意一種或幾種。

優(yōu)選的，磁性粒子圖案與銅鹽溶液原位置換反應(yīng)的條件為：銅鹽濃度大于0.0001mol/L，溶液pH＝1～8，反應(yīng)時(shí)間大于2min。

優(yōu)選的，其特征在于，銅的圖案與銀鹽溶液原位置換反應(yīng)的條件為：銀鹽濃度大于0.0001mol/L，溶液pH＝1～8，反應(yīng)時(shí)間大于2min。

所制備的銀導(dǎo)電、導(dǎo)熱圖案在制備導(dǎo)熱圖案、導(dǎo)熱板、硬質(zhì)電路板、柔性電路板或電磁屏蔽電路板上的應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1是高磁導(dǎo)率物質(zhì)和低磁導(dǎo)率物質(zhì)對(duì)磁場(chǎng)的作用示意圖；

圖2是20mT的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中厚度為300μm的鐵箔片和鋁箔片交替組成的磁場(chǎng)調(diào)制器表面上方100μm的磁通密度分布圖；

圖3是在20mT豎直方向勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，表面印制電路板圖案是高磁導(dǎo)率物質(zhì)的磁場(chǎng)調(diào)制器上方100μm處的磁通密度分布圖。

圖4是在20mT豎直方向勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，表面印制電路板圖案是低磁導(dǎo)率物質(zhì)的磁場(chǎng)調(diào)制器上方100μm處的磁通密度分布圖。

圖5是磁通密度梯度捕獲磁性粒子形成圖案的機(jī)理圖；

圖6(a)-(f)是本發(fā)明中一種制備銀導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的方法的實(shí)施實(shí)例示意圖。

圖7是本發(fā)明一種制備銀導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的方法所用的表面帶有不同圖案的磁場(chǎng)調(diào)制器。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用。

上述及其它技術(shù)特征和有益效果，將結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明的一種基于磁性粒子的導(dǎo)電、導(dǎo)熱圖案的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例一

本實(shí)施例中，磁場(chǎng)調(diào)制器采用圖7所示的表面帶有直線條紋圖案的磁場(chǎng)調(diào)制器。磁場(chǎng)調(diào)制器主體的上表面設(shè)置了直線條紋的凹槽圖案，凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm。磁場(chǎng)調(diào)制器的主體采用塑料制作而成，凹槽中填充的物質(zhì)為鐵納米粉末。

如圖6(a)所示，磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，將基材2置于磁場(chǎng)調(diào)制器設(shè)置有圖案的表面上，本實(shí)施例中，基材為聚酰亞胺薄膜，厚度為100μm。如圖6(b)所示，接著將磁性粒子和乙醇的懸浮液，采用滴加的方式，加入到基材的表面，磁性粒子將在磁場(chǎng)的誘導(dǎo)下沉積到基材上形成磁性粒子的圖案3，形成的圖案和磁場(chǎng)調(diào)制器表面設(shè)置的直線條紋圖案一致。在本實(shí)施例中，磁性粒子為鐵納米粒子粉末，磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3‰。如圖6(c)所示，將磁性粒子的圖案浸泡進(jìn)銅鹽溶液4中，進(jìn)行原位置換反應(yīng)，同時(shí)發(fā)生體積加成效應(yīng)。通過(guò)置換反應(yīng)得到銅圖案5，如圖6(d)所示。在本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min。如圖6(e)所示，將銅的圖案浸泡進(jìn)銀鹽溶液6中，再次發(fā)生原位置換反應(yīng)。在本實(shí)施例中銀鹽溶液為硝酸銀溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min。最終的到銀的導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案如圖6(f)所示。

實(shí)施例二：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器的主體采用陶瓷制作而成代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器采用塑料制作而成，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器的主體采用鋁制作而成代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器采用塑料制作而成，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器的主體采用銅制作而成代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器采用塑料制作而成，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為低碳鋼粉代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鐵納米粉末，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例六：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為軟磁性復(fù)合材料粉末代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鐵納米粉末，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例七：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鈷納米粉末代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鐵納米粉末，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例八：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鎳納米粉末代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽中填充物質(zhì)為鐵納米粉末，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例九：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為100μm，凹槽之間的間隔為100μm，凹槽的深度為500μm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為500μm，凹槽之間的間隔為500μm，凹槽的深度為500μm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十一：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為1mm，凹槽之間的間隔為1mm，凹槽的深度為1mm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十二：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為2mm，凹槽之間的間隔為2mm，凹槽的深度為1mm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十三：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為100μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十四：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器凹槽的寬度為100μm，凹槽之間的間隔為500μm，凹槽的深度為500μm，代替實(shí)施例一中凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十五：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器表面帶有曲線圖案，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器表面帶有直線條紋圖案，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十六：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器表面帶有印制電路板線路圖案，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器表面帶有直線條紋圖案，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十七：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器采用圖7所示的表面帶有印制電路板線路圖案的磁場(chǎng)調(diào)制器。磁場(chǎng)調(diào)制器主體的上表面設(shè)置了印制電路板線路圖案的孔道圖案，孔道設(shè)置在主體的內(nèi)部，孔道距離上表面的距離為100μm，孔道的寬度為300μm，孔道之間的間隔為300μm，孔道的深度為500μm。代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器采用圖7所示的表面帶有直線條紋圖案的磁場(chǎng)調(diào)制器。磁場(chǎng)調(diào)制器主體的上表面設(shè)置了直線條紋的凹槽圖案，凹槽的寬度為300μm，凹槽之間的間隔為300μm，凹槽的深度為500μm，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十八：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為10mT的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例十九：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為5mT的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為1mT的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十一：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為0.5mT的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十二：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為50mT的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十三：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為0.1T的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十四：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為1T的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十五：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為3T的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十六：本實(shí)施例中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為5T的磁場(chǎng)中，代替實(shí)施例一中磁場(chǎng)調(diào)制器1置于磁場(chǎng)方向豎直向上，磁通密度為20mT的磁場(chǎng)中，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十七：本實(shí)施例中磁性粒子為鐵納米粒子粉末和鈷納米粒子粉末質(zhì)量比1:1的混合物，代替實(shí)施例一中磁性粒子為鐵納米粒子，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十八：本實(shí)施例中磁性粒子為鐵納米粒子粉末和鎳納米粒子粉末質(zhì)量比1:1的混合物，代替實(shí)施例一中磁性粒子為鐵納米粒子，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例二十九：本實(shí)施例中磁性粒子為鐵納米粒子粉末和四氧化三鐵納米粒子粉末質(zhì)量比1:1的混合物，代替實(shí)施例一中磁性粒子為鐵納米粒子，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十：本實(shí)施例中磁性粒子為鐵納米粒子粉末和四氧化三鐵納米粒子粉末質(zhì)量比1:3的混合物，代替實(shí)施例一中磁性粒子為鐵納米粒子，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十一：本實(shí)施例中磁性粒子為鐵納米粒子粉末和四氧化三鐵納米粒子粉末質(zhì)量比1:5的混合物，代替實(shí)施例一中磁性粒子為鐵納米粒子，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十二：本實(shí)施例中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5‰，代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3‰，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十三：本實(shí)施例中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3％，代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3‰，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十四：本實(shí)施例中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％，代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3‰，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十五：本實(shí)施例中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％，代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液中磁性粒子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3‰，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十六：本實(shí)施例中將磁性粒子和乙醇的懸浮液，采用直接向基材上傾倒懸浮液的方式，加入到基材的表面，代替實(shí)施例一中將磁性粒子和乙醇的懸浮液，采用滴加的方式，加入到基材的表面，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十七：本實(shí)施例中采用磁性粒子和丙酮的懸浮液代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十八：本實(shí)施例中采用磁性粒子和二氯甲烷的懸浮液代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例三十九：本實(shí)施例中采用磁性粒子和水的懸浮液代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十：本實(shí)施例中采用磁性粒子和甘油的懸浮液代替實(shí)施例一中磁性粒子和乙醇的懸浮液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十一：本實(shí)施例中將磁性粒子混入空氣中，通過(guò)向基材表面鼓吹混有磁性粒子的空氣的方法，將磁性粒子加入到基材的表面代替實(shí)施例一中將磁性粒子和乙醇的懸浮液，采用滴加的方式，加入到基材的表面，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十二：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硫酸銅溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十三：本實(shí)施例中銅鹽溶液為氯化銅溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十四：本實(shí)施例中銅鹽溶液為溴化銅溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十五：本實(shí)施例中銅鹽溶液為氯化亞銅溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十六：本實(shí)施例中銅鹽溶液為溴化亞銅溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十七：本實(shí)施例中銀鹽溶液為銀氨溶液代替實(shí)施例一中銀鹽溶液為硝酸銀溶液，其實(shí)和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十八：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅和氯化銅摩爾比1:1的混合溶液代替實(shí)施例一中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例四十九：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.001mol/L代替實(shí)施例一中本銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.0001mol/L代替實(shí)施例一中本銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十一：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.1mol/L代替實(shí)施例一中本銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十二：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為1mol/L代替實(shí)施例一中本銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十三：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為2mol/L代替實(shí)施例一中本銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十四：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝3代替本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十五：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝1代替本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十六：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝8代替本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十七：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為2min代替實(shí)施例一中本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十八：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為10min代替實(shí)施例一中本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例五十九：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的PH＝4，反應(yīng)時(shí)間為1h代替實(shí)施例一中本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min，其余和實(shí)施例一相同。

實(shí)施例六十：本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為2h代替實(shí)施例一中本實(shí)施例中銅鹽溶液為硝酸銅溶液，其濃度為0.01mol/L，溶液的pH＝4，反應(yīng)時(shí)間為20min，其余和實(shí)施例一相同。

本專利所列實(shí)施例制備所得導(dǎo)電導(dǎo)熱圖案的電阻率在5×10^-5-1.58×10^-8Ω·m，導(dǎo)電率在10-429W/(m·K)。