本發(fā)明涉及琺瑯制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及的是一種琺瑯制作工藝。
背景技術(shù)：
琺瑯制作工序復(fù)雜，灌蠟就是其中一步。灌蠟過(guò)程中，需要不同的晃動(dòng)模具，以使蠟均勻粘附在模具內(nèi)壁，如操作不當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生氣孔，導(dǎo)致蠟?zāi)２环弦螅矔?huì)增大后期修蠟的工作量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中灌蠟工序容易產(chǎn)生氣孔的不足，提供了一種琺瑯制作工藝。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
一種琺瑯制作工藝，包括塑形、硅膠模制作、灌蠟、修蠟、沾漿、鑄造、修胎、掐絲、點(diǎn)瑯、燒瑯、磨瑯、鎏金工序；
其中所述灌蠟包括以下步驟：
1)將硅膠模灌入高溫蠟并晃蠟1～2分鐘，將多余的蠟倒回高溫蠟缸內(nèi)；
2)待蠟?zāi)１砻娓珊蠓湃脒m量高溫蠟，防止產(chǎn)品底部冷卻造成底部蠟厚產(chǎn)生不均勻；
3)在花紋和銜口處放入少量低溫蠟，再放入抽風(fēng)機(jī)內(nèi)真空3次；
4)真空后將多余的蠟倒回低溫蠟缸內(nèi)，將硅膠模冷卻2-5分鐘左右，待蠟?zāi)１砻娓珊笤傧群蠊嗳肴榈蜏叵灒?/p>
5)將蠟?zāi)＿B同硅膠模一起放入水池中冷卻；
6)將冷卻后的硅膠模取出脫模，脫模時(shí)要小心防止蠟型拆損；
優(yōu)選的，所述步驟1)中的高溫蠟溫度為160℃。
優(yōu)選的，所述步驟3)中的低溫蠟溫度為80℃。
優(yōu)選的，所述步驟3)中的真空壓力為0.1MPa。
優(yōu)選的，所述步驟4)中，將模具冷卻3分鐘。
本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：
通過(guò)本方法制得的蠟?zāi)＃ㄟ^(guò)多次交錯(cuò)灌入高、低溫蠟，以及多次真空，從而得到?jīng)]有氣孔，整體壁厚均勻的蠟?zāi)！?/p>
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。
一種琺瑯制作工藝，包括塑形、硅膠模制作、灌蠟、修蠟、沾漿、鑄造、修胎、掐絲、點(diǎn)瑯、燒瑯、磨瑯、鎏金工序；
其中灌蠟包括以下步驟：
步驟1.將硅膠模灌入160℃的高溫蠟并晃蠟1～2分鐘，將多余的蠟倒回高溫蠟缸內(nèi)；
步驟2.待蠟?zāi)１砻娓珊蠓湃脒m量高溫蠟，防止產(chǎn)品底部冷卻造成底部蠟厚產(chǎn)生不均勻；
步驟3.在花紋和銜口處放入少量80℃的低溫蠟，再放入抽風(fēng)機(jī)內(nèi)真空3次；真空壓力為0.1MPa；
步驟4.真空后將多余的蠟倒回低溫蠟缸內(nèi)，將硅膠模冷卻2-5分鐘左右，一般為3分鐘，待蠟?zāi)１砻娓珊笤傧群蠊嗳肴榈蜏叵灒?/p>
步驟5.將蠟?zāi)＿B同硅膠模一起放入水池中冷卻；
步驟6.將冷卻后的硅膠模取出脫模，脫模時(shí)要小心防止蠟型拆損。
具體操作中，先將模具灌入高溫蠟(160℃)1～2分鐘(防止產(chǎn)生氣泡)，將蠟倒回高溫蠟缸內(nèi)；待蠟?zāi)１砻娓珊蠓湃脒m量高溫蠟，防止產(chǎn)品底部冷卻造成底部蠟厚產(chǎn)生不均勻；灌入低溫蠟(80℃)，有花紋和銜口處放入少量低溫蠟，再放入抽風(fēng)機(jī)內(nèi)真空3次(真空壓力0.1MPa)；真空后將蠟倒回低溫蠟缸內(nèi)，將模具冷卻3分鐘左右，待蠟?zāi)１砻娓珊笤傧群蠊嗳肴榈蜏叵?；將灌好蠟的模具連同硅膠模一起放入水池中冷卻，適當(dāng)時(shí)取出脫模，脫模時(shí)要小心防止蠟型拆損。
灌蠟過(guò)程，要掌握好晃蠟的“度”，這種技能是經(jīng)驗(yàn)和手法相結(jié)合的，必須要細(xì)心細(xì)致，方能做到產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定和可靠。灌蠟時(shí)注意氣孔的產(chǎn)生；真空要使產(chǎn)品每個(gè)細(xì)節(jié)完整；拆模時(shí)要小心翼翼防止拆碎蠟?zāi)?；蠟?zāi)１M量避免在高溫處存放，以免變型。
以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。