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      一種外加變化磁場輔助激光沖擊強(qiáng)化的方法與流程

      文檔序號(hào):11854946閱讀:1032來源:國知局
      一種外加變化磁場輔助激光沖擊強(qiáng)化的方法與流程
      本發(fā)明涉及激光加工領(lǐng)域,具體涉及一種改變輔助磁場強(qiáng)度,得出最佳外加輔助磁場范圍,并明顯提高沖擊強(qiáng)化效果的激光沖擊強(qiáng)化方法。
      背景技術(shù)
      :激光沖擊強(qiáng)化(lasershockpeening/processing,LSP)是一種新型的表面強(qiáng)化技術(shù),主要是采用短脈沖(幾十納秒)、高峰值功率密度(>109W/cm2)的激光輻照在金屬表面,激光束通過約束層之后被吸收層吸收,吸收層從而獲得能量形成爆炸性氣化蒸發(fā),產(chǎn)生高溫高壓的等離子體,由于外層約束層的約束,等離子體形成高壓沖擊波從而向材料內(nèi)部傳播,利用沖擊波的力效應(yīng)在材料表層發(fā)生塑性變形,使得表層材料微觀組織發(fā)生變化,同時(shí)在沖擊區(qū)域產(chǎn)生殘余壓應(yīng)力,提高材料的強(qiáng)度、硬度、耐磨性和耐應(yīng)力腐蝕性能,尤其能有效改善材料的抗疲勞斷裂性能。在激光沖擊強(qiáng)化過程中施加磁場是增強(qiáng)激光沖擊力效果的有效方法之一。發(fā)明專利CN104004901A中公開了一種以磁場作為約束層的激光沖擊強(qiáng)化裝置和方法,是通過圓柱形放電管通電產(chǎn)生與試樣表面垂直方向的磁場,這些磁場會(huì)對(duì)激光沖擊過程中產(chǎn)生的高溫高壓等離子體進(jìn)行壓縮,使得等離子體體積收縮,從而增強(qiáng)激光沖擊力的效果,其主要優(yōu)點(diǎn)是解決實(shí)體約束層所存在飛濺安全隱患、效率低下、沖擊力增效受局限、均勻性不足、裝置復(fù)雜、操作繁雜等缺點(diǎn)。而本方法主要是外加變化磁場輔助激光沖擊強(qiáng)化,獲取磁場輔助的最佳磁場強(qiáng)度范圍,從而明顯提高沖擊強(qiáng)化的作用效果。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明提出了一種外加變化磁場輔助激光沖擊強(qiáng)化的方法。本方法主要是通過改變電流大小,獲得不同的磁場強(qiáng)度,并在相應(yīng)磁場強(qiáng)度的輔助作用下,利用激光器對(duì)試樣需要強(qiáng)化的區(qū)域進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,最后對(duì)各個(gè)試樣進(jìn)行相關(guān)處理并對(duì)比得出外加變化磁場輔助激光沖擊強(qiáng)化處理的最佳磁場強(qiáng)度范圍,從而明顯提高外加磁場對(duì)激光沖擊強(qiáng)化的作用效果,增強(qiáng)其對(duì)試樣的處理效果。其具體實(shí)施步驟如下:(1)選取N個(gè)需要沖擊強(qiáng)化的試樣,置于磁場發(fā)生裝置下方,且其中N≥10。(2)通過控制電路調(diào)節(jié)電流大小,使變化磁場發(fā)生裝置的磁場強(qiáng)度為A1,其中磁場強(qiáng)度A1為初始值,即磁場強(qiáng)度為0mT,在此磁場強(qiáng)度下,對(duì)需要強(qiáng)化的部位進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,激光光斑為圓形,激光沖擊強(qiáng)化參數(shù)如下:光斑直徑為3mm,脈寬為8-30ns,脈沖能量3-15J,橫向和縱向搭接率均為50%。(3)改變電流大小,使磁場強(qiáng)度為A2,其中A2=A1+5mT,并對(duì)需要強(qiáng)化的部位進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,激光光斑為圓形,激光沖擊參數(shù)與步驟(2)相同。(4)依照步驟(3),改變電流大小,使磁場強(qiáng)度為Ai,其中Ai=Ai-1+5mT,i的初始值為3,且3≤i≤N,進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,激光光斑為圓形,激光沖擊參數(shù)與步驟(2)相同。(5)每次使i增加1,循環(huán)進(jìn)行步驟(4)。(6)對(duì)沖擊后的N個(gè)試樣進(jìn)行殘余壓應(yīng)力測試。附圖說明圖1為變化磁場發(fā)生裝置以及試樣放置位置。圖2為本文具體實(shí)施案例試樣示意圖。圖中:1.試樣,2.工作臺(tái)。具體實(shí)施方式為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明,但本發(fā)明不應(yīng)僅限于實(shí)施例。本實(shí)施例所采用的試樣,具體尺寸如圖2所示,試樣基體材料為AM50鎂合金。一種使用上述強(qiáng)化處理方法進(jìn)行處理的試樣的實(shí)例,其步驟為:(1)選取13個(gè)需要沖擊強(qiáng)化的試樣,置于磁場發(fā)生裝置下方,磁場發(fā)生裝置以及試樣放置位置如圖1所示,磁場發(fā)生裝置位于試樣正上方,試樣位于工作臺(tái)上,試樣、試樣尺寸以及沖擊區(qū)域如圖2所示,沖擊區(qū)域?yàn)橹虚g區(qū)域20×10mm。(2)首先在磁場強(qiáng)度初始值0mT下,對(duì)需要強(qiáng)化的部位進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,其中激光沖擊強(qiáng)化用的脈沖激光束為圓形光斑,光斑直徑為3mm,脈寬為10ns,脈沖能量5J,橫向縱向搭接率均為50%。(3)改變電流大小,使磁場強(qiáng)度為5mT,并對(duì)需要強(qiáng)化的部位進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,其激光沖擊參數(shù)同步驟(2)一致:脈沖激光束為圓形光斑,光斑直徑為3mm,脈寬為10ns,脈沖能量5J,橫向縱向搭接率均為50%。(4)依照步驟(3),改變電流大小,使磁場強(qiáng)度分別為10mT,15mT,20mT,25mT,30mT,35mT,40mT,45mT,50mT,55mT,60mT,并分別進(jìn)行激光沖擊強(qiáng)化處理,其激光沖擊參數(shù)同步驟(2)一致:脈沖激光束為圓形光斑,光斑直徑為3mm,脈寬為10ns,脈沖能量5J,橫向縱向搭接率均為50%。(5)將沖擊后的13個(gè)試樣進(jìn)行處理,分別進(jìn)行殘余壓應(yīng)力測試。如表1所示,0mT~20mT的殘余壓應(yīng)力范圍為-64Mpa~-193Mpa,25mT~35mT的殘余壓應(yīng)力范圍為-211Mpa~-257Mpa,40mT~60mT的殘余壓應(yīng)力范圍為-73Mpa~-182Mpa,由此可得出最佳磁場強(qiáng)度輔助范圍為25mT到35mT。表1為本文具體實(shí)施案例不同磁場強(qiáng)度輔助沖擊后的殘余壓應(yīng)力表。0mT~20mT-64Mpa~-193Mpa25mT~35mT-211Mpa~-257Mpa40mT~60mT-73Mpa~-182Mpa當(dāng)前第1頁1 2 3 
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