本發(fā)明涉及研磨墊修整方法、研磨墊修整裝置及化學機械研磨設(shè)備，屬于研磨墊修整技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在化學機械研磨制程(chemical mechanical polishing；CMP)中，通常會利用研磨墊配合研磨漿料來平坦化晶圓表面。研磨墊系為一由高分子聚合而成的軟墊。在微觀下，研磨墊的結(jié)構(gòu)體內(nèi)是一種多孔性的微結(jié)構(gòu)，而研磨墊表面具有許多絨毛。當研磨墊連續(xù)研磨數(shù)片晶圓之后，在化學機械研磨制程中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物將會附著于研磨墊的表面，甚至嵌入其表面的微孔洞內(nèi)，造成孔洞填塞，或者是黏附于絨毛中，而使絨毛傾倒，進而造成研磨墊的拋光能力大幅下降。因此，當研磨墊使用一段時間之后，須利用研磨墊修整器于研磨墊上沿著徑向(Radial)來回的擺動，并配合研磨墊自身的旋轉(zhuǎn)，以產(chǎn)生新的絨毛結(jié)構(gòu)，并清除化學機械研磨制程中所附著的殘留物。

另外，隨著芯片尺寸縮小，對晶圓表面平坦度的要求也越來越高。若是位于研磨墊表面的絨毛高低落差太大，突起的絨毛極有可能會刮傷晶圓表面，而被稱為殺手纖毛(killer Asperities)。因此，這些殺手纖毛也必須通過研磨墊修整器去除。

請參照圖1，在已知的技術(shù)中，修整器10的工作表面100上會設(shè)有多個刃部100a，以切除在研磨墊11表面上的過長的絨毛11s，即殺手纖毛。然而，當研磨墊修整器10的刃部100a接觸到這些絨毛11s時，由于絨毛11s的材質(zhì)較軟且易彎曲，導致絨毛11s不易被刃部100a切除，而仍殘留于研磨墊11的表面。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種研磨墊修整方法、研磨墊修整裝置及使用其的化學機械研磨設(shè)備。

一種研磨墊修整方法，其包括：

先硬化位于一研磨墊的一拋光面上的一待修整區(qū)內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)；以及

利用一修整器切削位于所述待修整區(qū)內(nèi)的被硬化的多個所述軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，以修整所述研磨墊的所述拋光面。

其中，硬化位于所述待修整區(qū)內(nèi)的多個所述軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)的步驟是通過急速冷凍來完成；所述急速冷凍是在所述待修整區(qū)內(nèi)噴灑一冷凍劑；所述冷凍劑為液態(tài)氮、液態(tài)氧、干冰或是冷媒。

其中，利用所述修整器修整所述研磨墊的所述拋光面時，所述研磨墊通過一轉(zhuǎn)軸以產(chǎn)生自轉(zhuǎn)，且噴灑所述冷凍劑的步驟與利用所述修整器修整所述拋光面的步驟是沿著同一方向同步進行。

其中，在噴灑所述冷凍劑的步驟中，還進一步包括：沿著所述研磨墊的一徑向方向移動，并且連續(xù)地或間歇地噴灑所述冷凍劑在所述研磨墊的所述拋光面上，在噴灑所述冷凍劑的步驟中，還進一步包括：在所述研磨墊的一徑向方向上連續(xù)地或間歇地噴灑所述冷凍劑于所述研磨墊的所述拋光面上。

一種研磨墊修整裝置，其包括：

一修整器，其用以修整一研磨墊的一拋光面；以及

一拋光面處理單元，其設(shè)置于所述研磨墊的上方，其中，在所述修整器修整所述拋光面上的一待修整區(qū)之前，先利用所述拋光面處理單元硬化位于所述待修整區(qū)內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

其中，所述拋光面處理單元包括一用于供應(yīng)一冷凍劑的供應(yīng)單元以及一與所述供應(yīng)單元互相連通的噴嘴，且所述供應(yīng)單元所供應(yīng)的所述冷凍劑通過所述噴嘴以噴灑在所述待修整區(qū)；還包括一移動臂及一能自轉(zhuǎn)地連接于所述移動臂的自轉(zhuǎn)軸；所述拋光面處理單元設(shè)置于所述移動臂上，且所述修整器通過所述自轉(zhuǎn)軸以設(shè)置于移動臂上，以使得所述拋光面處理單元與所述修整器兩者通過所述移動臂以同步移動；所述拋光面處理單元與所述修整器相鄰，當所述研磨墊通過一轉(zhuǎn)軸以朝一自轉(zhuǎn)方向自轉(zhuǎn)時，所述拋光面處理單元與所述修整器沿著所述自轉(zhuǎn)方向依序設(shè)置。

一種化學機械研磨設(shè)備，其包括：

一載臺，其連接于一轉(zhuǎn)軸以產(chǎn)生自轉(zhuǎn)；

一研磨墊，其設(shè)置于所述載臺上，所述研磨墊具有一拋光面；以及

一研磨墊修整裝置，其包括：

一修整器，其設(shè)置于所述研磨墊上，用以修整所述拋光面；以及

一拋光面處理單元，其設(shè)置于所述研磨墊的上方，其中，在所述修整器通過所述拋光面上的一待修整區(qū)之前，先利用所述拋光面處理單元硬化位于所述待修整區(qū)內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

其中，所述拋光面處理單元包括一用于供應(yīng)一冷凍劑的供應(yīng)單元以及一與所述供應(yīng)單元互相連通的噴嘴，且所述供應(yīng)單元所供應(yīng)的所述冷凍劑通過所述噴嘴以噴灑在所述待修整區(qū)；還包括一清潔單元，其通過噴灑一清潔液，以清洗所述研磨墊并使所述研磨墊的所述待修整區(qū)內(nèi)被硬化的多個所述軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)解凍。

其中，所述研磨墊修整裝置還包括一移動臂以及一能自轉(zhuǎn)地連接于所述移動臂的自轉(zhuǎn)軸；所述拋光面處理單元設(shè)置于所述移動臂上，且所述修整器通過所述自轉(zhuǎn)軸以設(shè)置于移動臂上，以使得所述拋光面處理單元與所述修整器兩者通過所述移動臂而同步移動。

其中，所述拋光面處理單元與所述修整器彼此相鄰，當所述研磨墊通過所述轉(zhuǎn)軸以朝一自轉(zhuǎn)方向自轉(zhuǎn)時，所述拋光面處理單元與所述修整器沿著所述自轉(zhuǎn)方向依序設(shè)置。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種研磨墊修整方法。先硬化位于研磨墊的拋光面上的待修整區(qū)內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，再利用修整器切削位于待修整區(qū)內(nèi)的被硬化的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，以修整研磨墊的拋光面。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的另外一技術(shù)方案是，提供一種研磨墊修整裝置包括修整器以及拋光面處理單元。修整器是用以修整一研磨墊的一拋光面，拋光面處理單元設(shè)置于研磨墊的上方，以在修整器修整拋光面上的一待修整區(qū)之前，先利用拋光面處理單元硬化位于待修整區(qū)內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的另外再一技術(shù)方案是，提供一種化學機械研磨設(shè)備，其包括一載臺、一研磨墊以及上述的研磨墊修整裝置。

本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明技術(shù)方案所提供的研磨墊修整方法、研磨墊修整裝置及使用其的化學機械研磨設(shè)備，其可通過在利用修整器對待修整區(qū)進行修整前，先硬化待修整區(qū)內(nèi)的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，而使修整器可更容易地切削軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

綜上所述，本發(fā)明的有益效果在于，本發(fā)明實施例所提供的化學機械研磨設(shè)備、研磨墊修整裝置以及方法，可通過“在利用修整器修整待修整區(qū)之前，先硬化位于待修整區(qū)內(nèi)的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)”的技術(shù)特征，可使修整器可更容易地切削被硬化的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，可提升修整器修整拋光面的效率，并降低修整后的拋光面的不平整度。在利用研磨墊對晶圓拋光或研磨時，可進一步避免研磨墊的拋光面不平整而對晶圓表面造成損傷。

另外，由于研磨墊僅有表層被冷凍硬化，因此在經(jīng)過修整器修整之后，被冷凍而硬化的區(qū)域可迅速被解凍而恢復原本的材料特性，并可繼續(xù)用于拋光或研磨晶圓。

附圖說明

當結(jié)合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，能夠更完整更好地理解本發(fā)明以及容易得知其中許多伴隨的優(yōu)點，但此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定，如圖其中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的研磨墊修整器修整研磨墊的局部放大圖。

圖2為本發(fā)明實施例的研磨墊修整方法的流程圖。

圖3為本發(fā)明其中一實施例的化學機械研磨設(shè)備的立體示意圖。

圖4為圖3的化學機械研磨設(shè)備的俯視示意圖。

圖5為圖3的化學機械研磨設(shè)備的側(cè)視示意圖。

圖6為利用本發(fā)明實施例的研磨墊修整裝置修整研磨墊的局部放大圖。

圖7為本發(fā)明另一實施例的化學機械研磨設(shè)備的俯視示意圖。

圖8為圖7的化學機械研磨設(shè)備的側(cè)視示意圖。

【符號說明】

修整器10；工作表面100；刃部100a；研磨墊11；絨毛11s；化學機械研磨設(shè)備2；載臺20；研磨墊21；拋光面210；軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s；冰晶層3；晶圓座22；旋轉(zhuǎn)軸22s；漿料配送單元23；研磨墊修整裝置24；修整器240；工作面240a；移動臂242；自轉(zhuǎn)軸243；拋光面處理單元241、拋光面處理單元241’；供應(yīng)單元241p；噴嘴241s、噴嘴241S；懸臂241h；支架241L；轉(zhuǎn)軸25；清潔單元26；晶圓W1；待修整區(qū)R1；被硬化的待修整區(qū)R1’；徑向方向D1；自轉(zhuǎn)方向D2；流程步驟S100～S200。

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

具體實施方式

顯然，本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本發(fā)明的宗旨所做的許多修改和變化屬于本發(fā)明的保護范圍。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個”、“所述”和“該”也可包括復數(shù)形式。應(yīng)該進一步理解的是，本說明書中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、組件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、組件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當稱組件、組件被“連接”到另一組件、組件時，它可以直接連接到其它組件或者組件，或者也可以存在中間組件或者組件。這里使用的措辭“和/或”包括一個或更多個相關(guān)聯(lián)的列出項的任一單元和全部組合。

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的一般理解相同的意義。還應(yīng)該理解的是，諸如通用字典中定義的那些術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與現(xiàn)有技術(shù)的上下文中的意義一致的意義，并且除非像這里一樣定義，不會用理想化或過于正式的含義來解釋。

為便于對本發(fā)明實施例的理解，下面將做進一步的解釋說明，且各個實施例并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限定。

實施例1：以下是通過特定的具體實施例來說明本發(fā)明所公開有關(guān)“研磨墊修整方法、研磨墊修整裝置以及化學機械研磨設(shè)備”的實施方式。通常研磨墊具有一拋光面，且拋光面具有多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。研磨墊被多次使用之后，可通過本發(fā)明實施例的研磨墊修整裝置執(zhí)行研磨墊修整方法，以去除在化學機械研磨制程中所產(chǎn)生的殘余物，并修整研磨墊的拋光面，以減少軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)的高低落差。前述的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)例如是絨毛或是其它軟質(zhì)突起物。

請參照圖2。圖2為本發(fā)明實施例的研磨墊修整方法的流程圖。如圖2所示，在步驟S100中，硬化研磨墊的拋光面上的一待修整區(qū)中的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。接著，在步驟S200中，通過修整器修整待修整區(qū)。前述的待修整區(qū)可以指整個拋光面或者是局部的拋光面。也就是說，可以先將拋光面局部或全部硬化，從而硬化多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。之后，再利用修整器切削待修整區(qū)內(nèi)的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)，以修整研磨墊的拋光面。

在本發(fā)明實施例中，是通過急速冷凍來硬化研磨墊的拋光面。詳細而言，可先將冷凍劑噴灑在拋光面上的待修整區(qū)，以使研磨墊的局部表層被急速冷凍而硬化。

實施例2：在一實施例中，冷凍劑可以是液態(tài)氮、液態(tài)氧、干冰或是冷媒。冷媒例如是液態(tài)氯乙烷或是由二氟甲烷(R-32)和五氟乙烷(R-125)混合而成的近共沸制冷劑。冷凍劑可以使拋光面降溫至最大冰結(jié)晶生成帶(zone of maximum crystallization of ice)，大約介于0℃至-5℃之間，以使拋光面因結(jié)凍而硬化。

此外，由于研磨墊上通常會附著水氣，因此在噴灑冷凍劑之后，會使水氣瞬間結(jié)冰而形成覆蓋拋光面的冰晶層。冰晶層會包覆并固定軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

因此，以修整器修整研磨墊時，拋光面的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)因被硬化且被冰晶層固定，而可以保持直立而不會傾倒或彎曲，進而使修整器更容易切削軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。須說明的是，只要研磨墊被硬化的深度略大于修整器切削的深度即可達成本發(fā)明之目的。在一實施例中，研磨墊被硬化的深度，大約是介于0.01mm至0.2mm之間。換言之，研磨墊的底層并未被冷凍硬化，而仍保持初始的材料特性。

須說明的是，經(jīng)過修整器修整之后，修整器和研磨墊接觸摩擦會產(chǎn)生熱能，又可使因冷凍而硬化的拋光面以及冰晶層解凍及融化，而使研磨墊在修整后即可恢復原本的材料特性。在一實施例中，在修整器修整研磨墊的過程中，會同步地在研磨墊上噴灑清潔液，如:水。如此，除了可清洗在修整過程中所產(chǎn)生的殘留物之外，也可以促使冷凍硬化的拋光面被迅速解凍。

須說明的是，只要能夠在修整器修整拋光面之前，先將拋光面冷凍硬化，本發(fā)明并不限制冷凍劑被噴灑的時間點、每次的噴灑范圍以及噴灑的路徑。

舉例而言，在硬化研磨墊的拋光面上的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)的步驟中，可以先對整個研磨墊噴灑冷凍劑，以使整個研磨墊的拋光面被硬化，之后再利用修整器修整研磨墊。也就是說，噴灑冷凍劑的步驟以及修整步驟并不是同步進行。

在這種情況下，冷凍劑的每次噴灑范圍可以涵蓋整個或局部研磨墊的拋光面。另外，在噴灑冷凍劑時，研磨墊可以靜止或者通過轉(zhuǎn)軸產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。

實施例3：但是，在另一實施例中，噴灑冷凍劑的步驟與利用修整器修整研磨墊的步驟可同步進行。詳細而言，當利用修整器修整拋光面時，研磨墊會通過一轉(zhuǎn)軸產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。因此，拋光面可沿著研磨墊的一自轉(zhuǎn)方向依序區(qū)分為多個待修整區(qū)。噴灑冷凍劑的步驟與利用修整器修整研磨墊的步驟是沿著同一方向同步進行。

進一步而言，在研磨墊自轉(zhuǎn)時，修整器是沿著研磨墊的一徑向方向移動并依序?qū)Χ鄠€待修整區(qū)進行修整。在一實施例中，冷凍劑也會沿著徑向方向，被噴灑在修整器即將通過的區(qū)域，以先硬化拋光面的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

冷凍劑可以是連續(xù)地或間歇地噴灑于拋光面上，基于噴灑范圍的大小而定。當拋光面在每次噴灑冷凍劑之后被硬化的范圍遠大于修整器的工作表面時，可以間歇地噴灑冷凍劑。而當拋光面在每次噴灑冷凍劑之后被硬化的范圍接近或小于修整器的工作表面時，可以連續(xù)地噴灑冷凍劑。

實施例4：在另一實施例中，在研磨墊自轉(zhuǎn)時，是在研磨墊的徑向方向上連續(xù)地或間歇地噴灑冷凍劑于每一個待修整區(qū)。在本實施例中，冷凍劑的每次噴灑范圍僅涵蓋其中一個待修整區(qū)，其中待修整區(qū)是由研磨墊的中心延伸到研磨墊的邊緣。

請配合參照圖3，顯示本發(fā)明實施例的化學機械研磨設(shè)備的立體示意圖。圖3的化學機械研磨設(shè)備可用來對晶圓執(zhí)行化學機械研磨制程，也可以在化學機械研磨制程之后，執(zhí)行圖2所示的研磨墊修整方法。

如圖3所示，化學機械研磨設(shè)備2包括載臺20、研磨墊21、晶圓座22、漿料配送單元23以及研磨墊修整裝置24。載臺20用以承載研磨墊21并連接一轉(zhuǎn)軸25以產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。

研磨墊21具有拋光面210，用以拋光或研磨晶圓。晶圓座22用以抓取晶圓W1，并將晶圓W1放置在研磨墊21上，并壓抵接觸拋光面210。晶圓座22并可通過一旋轉(zhuǎn)軸22s產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。當執(zhí)行化學機械研磨制程時，研磨墊21與晶圓W1可分別通過轉(zhuǎn)軸25以及旋轉(zhuǎn)軸22s相對轉(zhuǎn)動。

漿料配送單元23設(shè)置于研磨墊21上方，用以將研磨漿料(未標號)分布至研磨墊21的拋光面210。研磨漿料含有一蝕刻和/或研磨顆粒的溶液，而可與晶圓W1表面產(chǎn)生化學作用或者對晶圓W1表面進行機械研磨。

研磨墊修整裝置24用以使研磨墊21的拋光面210具有預定的粗糙度。然而，當化學機械研磨設(shè)備2運作時，拋光面210會逐漸變光滑。研磨墊修整裝置可用來使拋光面210維持預定的粗糙度，并移除拋光面210上的殘留物。在一實施例中，會在晶圓W1的表面被拋光時或拋光后，利用研磨墊修整裝置24對拋光面210進行修整。

研磨墊修整裝置24包括修整器240與拋光面處理單元241。修整器240設(shè)置于研磨墊21上，用以刮擦及修整拋光面210。進一步而言，研磨墊修整裝置24還包括一移動臂242以及能自轉(zhuǎn)地連接于移動臂242的自轉(zhuǎn)軸243，前述的修整器240是通過自轉(zhuǎn)軸243設(shè)置于移動臂242上，并可通過自轉(zhuǎn)軸243產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。

請參照圖4及圖5，分別為圖3的化學機械研磨設(shè)備的俯視示意圖及側(cè)視示意圖。移動臂242可帶動修整器240在拋光面210上，沿著研磨墊21的徑向方向移動。當修整器240在拋光面210上移動時，也會通過自轉(zhuǎn)軸243產(chǎn)生自轉(zhuǎn)，以修整拋光面210。

另外，拋光面處理單元241設(shè)置于研磨墊21的上方，以在修整器240修整拋光面210上的一待修整區(qū)R1之前，先硬化位于待修整區(qū)R1內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。在本實施例中，拋光面處理單元241是和修整器240共同設(shè)置在移動臂242上，以使拋光面處理單元241與修整器240兩者可通過移動臂242沿著研磨墊21的徑向方向D1同步移動。

如圖5所示，拋光面處理單元241包括可供應(yīng)冷凍劑的供應(yīng)單元241p以及和供應(yīng)單元241p相連通的噴嘴241s，且供應(yīng)單元241p所供應(yīng)的冷凍劑是通過噴嘴241s噴灑在待修整區(qū)R1。如前所述，冷凍劑可以是液態(tài)氮、液態(tài)氧、干冰或是冷媒。當冷凍劑為干冰時，是將極低溫的干冰通過噴嘴241s至研磨墊21，使拋光面210冷凍至硬化。另外，供應(yīng)單元241p與噴嘴241s之間的連通可通過管路或者是其它已知的方式達成，本發(fā)明并不限制。

在本實施例中，噴嘴241s是通過一懸臂241h固定于移動臂242上，并位于修整器240靠近研磨墊21中心的一側(cè)，以將冷凍劑噴灑在修整器240即將通過的待修整區(qū)R1。在待修整區(qū)R1被解凍之前，利用修整器240修整被硬化的待修整區(qū)R1，以使拋光面210回復原本的材料特性。在其它實施例中，只要可以在修整器240修整之前，對修整器240即將通過的區(qū)域噴灑冷凍劑，噴嘴241s和修整器240的相對位置并沒有限制。

請參照圖5及圖6，顯示圖5在區(qū)域A的局部放大圖。如圖6所示，由于拋光面210被噴灑冷凍劑，使拋光面210的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s被硬化。另外，拋光面210上的水氣也會瞬間結(jié)冰而形成覆蓋軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s的冰晶層3。

修整器240的工作面240a上分布多個鉆石顆粒(未標號)。因此，當修整器240的工作面240a接觸拋光面210以進行修整時，軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s可保持直立而不會被修整器240壓倒或彎曲，從而使修整器240更容易切削軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s。如此，經(jīng)過修整器240修整之后，可降低拋光面210的不平整度，以避免在化學機械研磨制程中，突起的殺手纖毛對晶圓W1表面造成損傷。

請再參照圖3，本發(fā)明實施例的化學機械研磨設(shè)備2還包括一清潔單元26，用以清洗經(jīng)修整后的研磨墊21。清潔單元26可噴灑清潔液，如:水至拋光面210，以去除修整后殘留于拋光面210上的殘渣，并有助于使研磨墊21的待修整區(qū)R1被結(jié)凍的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)210s解凍，以恢復研磨墊21表層原本的材料特性。

請參照圖7及圖8。圖7為本發(fā)明另一實施例的化學機械研磨設(shè)備的俯視示意圖。圖8為圖7的化學機械研磨設(shè)備的側(cè)視示意圖。和前一實施例不同的是，本實施例的拋光面處理單元241’并未設(shè)置在移動臂242上，而是和修整器240相鄰設(shè)置。并且，當研磨墊21通過轉(zhuǎn)軸25朝一自轉(zhuǎn)方向D2自轉(zhuǎn)時，拋光面處理單元241’與修整器240是沿著自轉(zhuǎn)方向D2依序設(shè)置在研磨墊21上。

如圖7所示，研磨墊21是朝逆時針方向轉(zhuǎn)動，因此拋光面處理單元241’與修整器240是沿著逆時針方向依序設(shè)置在拋光面210上，以使拋光面處理單元241可在利用修整器240修整之前，先將冷凍劑噴灑至一待修整區(qū)R1中，以硬化待修整區(qū)R1內(nèi)的多個軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。被硬化的待修整區(qū)R1’會因為研磨墊240的自轉(zhuǎn)而被轉(zhuǎn)動至修整器240所設(shè)置的位置。修整器240即可對硬化后的待修整區(qū)R1’進行修整。也就是說，噴灑冷凍劑的步驟與修整步驟是同步進行。

詳細而言，在本實施例中，拋光面處理單元241’包括設(shè)置在研磨墊21上的支架241L，以及設(shè)置于支架241L上的多個噴嘴241S。這些噴嘴241S是沿著研磨墊21的徑向方向排列，并連通于一供應(yīng)冷凍劑的供應(yīng)單元241p。在一實施例中，噴嘴241S噴灑冷凍劑的噴灑范圍可以由研磨墊21的中心延伸至邊緣，而涵蓋整個待修整區(qū)R1。

在利用本實施例的研磨墊修整裝置24修整拋光面210時，研磨墊21會通過轉(zhuǎn)軸25產(chǎn)生自轉(zhuǎn)。并且，通過噴嘴241s噴灑冷凍劑的步驟與利用修整器240修整拋光面210的步驟是同步進行，其中冷凍劑可以通過噴嘴241s被連續(xù)地或間歇地噴灑于待修整區(qū)R1，已硬化位于待修整區(qū)R1內(nèi)的軟質(zhì)微結(jié)構(gòu)。

實施例6：在另一實施例中，若研磨墊21是朝順時針方向轉(zhuǎn)動，則拋光面處理單元241’與修整器240可沿著順時針方向依序設(shè)置在拋光面210上。事實上，只要能夠在修整器240修整拋光面210上的待修整區(qū)R1之前，先硬化待修整區(qū)R1，本發(fā)明中并沒有限制拋光面處理單元241’與修整器240的相對位置。

在其它實施例中，噴灑冷凍劑的步驟與修整步驟不一定同步進行。詳細而言，可以先使研磨墊240自轉(zhuǎn)，并通過噴嘴241S將冷凍劑噴灑于整個拋光面210，使整個拋光面210被冷凍之后，停止噴灑冷凍劑。接著，再利用修整器240來修整被冷凍硬化的拋光面210。在這種情況下，修整器240與拋光面處理單元241’的相對位置并不特別限制。

以上所公開的內(nèi)容僅為本發(fā)明的優(yōu)選可行實施例，并非因此局限本發(fā)明的申請專利范圍，故凡運用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。