本發(fā)明屬于機械技術領域，涉及一種晶圓片的加工方法及其該加工方法所使用的拋光夾具。

背景技術：

在封裝領域，一種叫做晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)的技術正在徹底改變著整個封裝世界，由于它具有尺寸小、成本低、成效高等特點，現(xiàn)今已有近50％的影像傳感器芯片使用此項技術，并廣泛應用于智能手機、平板電腦、可穿戴電子、游戲機、安防、精準醫(yī)療等各大電子產(chǎn)品領域。

對于打底的晶圓片的需求迅速增加,同時對晶圓片的精度有了更高的要求。傳統(tǒng)的加工方法已經(jīng)不能滿足產(chǎn)量及質量的要求.本專利的加工方法,可以使產(chǎn)品精度的達到國際領先水平,并可穩(wěn)定的量產(chǎn),解決了國內對高精度大口徑晶圓片加工的空白。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一個目的是針對現(xiàn)有技術存在的上述問題，提供一種加工精度高的晶圓片加工方法。

本發(fā)明的第一個目的可通過下列技術方案來實現(xiàn)：

一種晶圓片的加工方法，該方法包括以下步驟：

A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；

B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；

C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進行拋光；

D、參數(shù)調整：對二次拋光后的晶圓片進行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達到要求，如果未達到要求重新調整二次拋光的拋光作業(yè)時間。

備用好拋光材料后，一次拋光能快速完成拋光作業(yè)但是在晶圓片毛坯上還留有拋光余量。

二次拋光的拋光作業(yè)時間稍長，它能提高晶圓片表面的拋光精度和質量。

由于上述的拋光作業(yè)應用于工業(yè)生產(chǎn)中，因此，通過參數(shù)調整能及時修正拋光時間以及拋光進給量。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。它主要能提高拋光速率。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。它主要能提高拋光后晶圓片的光潔度。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為2—4毫米。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述一次拋光的拋光量為0.035～0.045mm。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述一次拋光的拋光時間為120—150分鐘。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述二次拋光的拋光量為0.005—0.02mm。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述二次拋光的拋光時間為60—90分鐘。

在上述的晶圓片的加工方法中，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液。

二次拋光中采用拋光液能明顯提高其拋光質量，也就是說，晶圓片表面的光潔度。

本發(fā)明的第二個目的是提供上述加工方法中所使用的拋光夾具，本發(fā)明的第二個目的可通過下列技術方案來實現(xiàn)：

一種晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，其特征在于，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。

本拋光夾具安裝在對應的機架上后，定位孔內穿設有定位桿，保證整個盤體能繞定位孔轉動。

需要拋光作業(yè)的晶圓片放置在拋光孔內，盤體轉動過程中就能進行拋光作業(yè)。在校正孔內放置的小型晶圓片用于起到定位的作用，保證被拋光晶圓片伸出盤體的厚度是相同的，最終達到了控制拋光厚度的目的。

在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。

該數(shù)量的拋光孔能盡量多的一次性的處理多個晶圓片。

在上述的晶圓片的拋光夾具中，上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。

這樣的設置能使盤體各處的高度均相等。

在上述的晶圓片的拋光夾具中，相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。

在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/3—1/5。

在上述的晶圓片的拋光夾具中，所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。

與現(xiàn)有技術相比，本晶圓片的加工方法使用的拋光皮是專門定制的3mm拋光皮,拋光效率高。

同時，采用兩步拋光的方式,第一步保證加工效率,第二步保證產(chǎn)品精度及表面光潔度，具有很高的實用價值。

另外，通過平面度測量儀(MSP)進行測量并進行數(shù)據(jù)分析,根據(jù)精確的測量結果來進行工藝參數(shù)調整,從而得到穩(wěn)定的量產(chǎn)條件。

本晶圓片的拋光夾具由于在定位孔處安裝有與其相匹配的小型晶圓片，因此，能保證被拋光作業(yè)晶圓片伸出盤體的高度，因此，其拋光質量能得到保證。

附圖說明

圖1是本晶圓片的拋光夾具的結構示意圖。

圖中，1、盤體；2、齒牙；3、定位孔；4、拋光孔；5、校正孔。

具體實施方式

實施例一

本一種晶圓片的加工方法包括以下步驟：

A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；

B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；

C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進行拋光；

D、參數(shù)調整：對二次拋光后的晶圓片進行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達到要求，如果未達到要求重新調整二次拋光的拋光作業(yè)時間。

所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高拋光速率

所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高光潔度

所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為3毫米。

所述一次拋光的拋光量為0.035mm。

所述一次拋光的拋光時間為120分鐘。

所述二次拋光的拋光量為0.01mm。

所述二次拋光的拋光時間為60分鐘。

所述步驟C中的拋光液為氧化硅拋光液。根據(jù)實際情況，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液也是可行的。

如圖1所示，本晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。

所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。

上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。

相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。

所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/3。

所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。

實施例二

實施例一

本一種晶圓片的加工方法包括以下步驟：

A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；

B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；

C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進行拋光；

D、參數(shù)調整：對二次拋光后的晶圓片進行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達到要求，如果未達到要求重新調整二次拋光的拋光作業(yè)時間。

所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高拋光速率

所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高光潔度

所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為3毫米。

所述一次拋光的拋光量為0.045mm

所述一次拋光的拋光時間為150分鐘。

所述二次拋光的拋光量為0.02mm。

所述二次拋光的拋光時間為90分鐘。

所述步驟C中的拋光液為氧化硅拋光液，根據(jù)實際情況，所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液也是可行的。

如圖1所示，本晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。

所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。

上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。

相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。

所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/5。

所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。

實施例三

實施例一

本一種晶圓片的加工方法包括以下步驟：

A、拋光材料備用：備用拋光作業(yè)時使用的紅皮拋光皮和白皮拋光皮；

B、一次拋光：采用紅皮拋光皮配合氧化鈰拋光粉對晶圓片毛坯快速拋光，得到半產(chǎn)品；

C、二次拋光：將上述的半成品采用白皮拋光皮配合拋光液對其進行拋光；

D、參數(shù)調整：對二次拋光后的晶圓片進行檢測、分析，查看晶圓片拋光后的表面光潔度是否達到要求，如果未達到要求重新調整二次拋光的拋光作業(yè)時間。

所述的紅皮拋光皮為含有氧化鈰的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高拋光速率

所述的白皮拋光皮為含有氧化鋯的拋光皮。主要表現(xiàn)為提高光潔度

所述的紅皮拋光皮和白皮拋光皮的厚度均為3毫米。

所述一次拋光的拋光量為0.04mm

所述一次拋光的拋光時間為130分鐘。

所述二次拋光的拋光量為0.005mm。

所述二次拋光的拋光時間為70分鐘。

所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液。

所述步驟C中的拋光液為氧化鈰拋光液。

如圖1所示，本晶圓片的拋光夾具，包括呈圓盤狀的盤體，所述盤體邊沿處具有若干均布的齒牙，所述盤體中心具有定位孔，所述盤體上還具有貫穿的且用于放置晶圓片的拋光孔，所述拋光孔的數(shù)量至少為兩個，相鄰兩拋光孔之間的盤體上還具有貫穿的校正孔。

所述拋光孔的數(shù)量為三個且周向均布在上述盤體上。

上述校正孔位于相鄰兩拋光孔之間。

相鄰兩拋光孔之間具有至少三個校正孔且該三個校正孔形成一校正單元。

所述校正孔的孔徑為拋光孔孔徑的1/4。

所述每個校正單元與定位孔之間的距離均相等且上述的校正單元均布在盤體上。