本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種磁控濺射設(shè)備及磁控濺射系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

物理氣相沉積(PVD)技術(shù)應(yīng)用于很多領(lǐng)域，其利用濺射靶材組件可提供帶有原子級(jí)光滑表面的具有精確厚度的薄膜材料沉積物。靶材組件是由符合濺射性能的靶材和適于與靶材結(jié)合并具有一定強(qiáng)度的背板構(gòu)成。

在濺射過程中，靶材組件裝配在濺射基臺(tái)上，位于充滿惰性氣體的腔室里的靶材暴露于電場(chǎng)中，從而產(chǎn)生等離子區(qū)。等離子區(qū)的等離子與濺射靶材表面發(fā)生碰撞，從而從靶材表面逸出原子。靶材與待涂布基材之間的電壓差使得逸出原子在基材表面上形成預(yù)期的薄膜。

目前，鋯靶材組件中含有高純度的鋯靶材。在濺射過程中，鋯靶材的濺射面濺射出的鋯原子除了會(huì)沉積于待涂布基材表面，也可能會(huì)沉積于腔室內(nèi)的其他表面上，包括靶材濺射面邊緣、靶材側(cè)面及部分背板的表面。在濺射一段時(shí)間后，上述表面會(huì)出現(xiàn)一些堆積物,即反濺射物，這些反濺射物的附著力不大，容易在濺射的過程中脫落下來，形成異常放電，影響濺射環(huán)境。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一目的在于提供一種磁控濺射設(shè)備，以解決傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備在長時(shí)間使用后反濺射物脫落而影響濺射環(huán)境的缺陷。

本發(fā)明的第二目的在于提供一種磁控濺射系統(tǒng)，這種磁控濺射系統(tǒng)包括上述磁控濺射設(shè)備和相應(yīng)的控制系統(tǒng)，自動(dòng)化程度高，有利于工業(yè)大生產(chǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，特采用以下技術(shù)方案：

一種磁控濺射設(shè)備，包括殼體、磁靶、鋯靶材組件、遮擋部以及用于安裝基材的爐盤。殼體具有第一內(nèi)壁、第二內(nèi)壁和第三內(nèi)壁，第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁相對(duì)間隔設(shè)置。第一內(nèi)壁、第二內(nèi)壁和第三內(nèi)壁共同圍合成反應(yīng)腔體，磁靶、鋯靶材組件、遮擋部和爐盤設(shè)置于反應(yīng)腔體內(nèi)。爐盤安裝于第一內(nèi)壁，磁靶安裝于第二內(nèi)壁，鋯靶材組件設(shè)置于磁靶遠(yuǎn)離第二內(nèi)壁的一側(cè)。遮擋部設(shè)置于第三內(nèi)壁，遮擋部具有第一凹槽，第一凹槽的開口朝向遠(yuǎn)離第三內(nèi)壁的一側(cè)，且第一凹槽的開口覆蓋有篩網(wǎng)。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述篩網(wǎng)的目數(shù)為200-400目。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述篩網(wǎng)由絕緣材料制成。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述鋯靶材組件包括固定連接的鋯靶材和背板，背板可拆卸連接于磁靶，鋯靶材靠近基材的一面為濺射面。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述鋯靶材包括一體成型的基底和凸臺(tái)，基底具有上表面和下表面，背板設(shè)有第二凹槽，第二凹槽由底面和周面圍合而成，基底的下表面焊接于第二凹槽的底面，基底的上表面設(shè)有鋸齒狀凸起，上表面與背板的靠近凸臺(tái)的一面位于同一平面。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述第二凹槽的周面與基底的側(cè)壁間隙配合，第二凹槽的周面與基底的側(cè)壁之間的間隙小于0.1mm。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述凸起為錐形，相鄰兩個(gè)凸起的側(cè)壁之間的夾角為45°-75°，凸起的高度小于凸臺(tái)的高度。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述背板遠(yuǎn)離凸臺(tái)的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)散熱通道，多個(gè)散熱通道間隔均勻分布。

進(jìn)一步的，在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述磁靶與鋯靶材組件之間設(shè)置有緩沖板并用于調(diào)整鋯靶材組件與基材之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度，緩沖板包括至少兩個(gè)依次疊放的調(diào)整板。

一種磁控濺射系統(tǒng)，包括上述磁控濺射設(shè)備，以及與磁控濺射設(shè)備相匹配的控制系統(tǒng)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

這種磁控濺射設(shè)備的殼體內(nèi)為反應(yīng)腔體，濺射反應(yīng)就發(fā)生在這一相對(duì)密閉的反應(yīng)腔體中。反應(yīng)腔體內(nèi)的第一內(nèi)壁上安裝有爐盤，在濺射反應(yīng)時(shí)，爐盤上設(shè)置有待涂布的基材，爐盤用于將基材加熱至預(yù)設(shè)溫度，便于薄膜的形成。在與第一內(nèi)壁相對(duì)的第二內(nèi)壁上安裝的磁靶為濺射反應(yīng)提供磁場(chǎng)。鋯靶材組件安裝于磁靶上，并于上述基材相對(duì)設(shè)置。

同時(shí)，在殼體的內(nèi)壁中除第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁以外的第三內(nèi)壁上設(shè)置有遮擋部，遮擋部上具有第一凹槽，用于接收在濺射反應(yīng)時(shí)射向反應(yīng)腔體內(nèi)壁的鋯原子，并對(duì)鋯原子進(jìn)行沉積，即形成反濺射物。在第一凹槽開口處設(shè)置的篩網(wǎng)，能夠?qū)γ撀涞纳鲜龇礊R射物進(jìn)行有效截留，防止其掉落在反應(yīng)腔體內(nèi)形成異常放電，影響濺射環(huán)境。

這種磁控濺射設(shè)備，能夠有效的避免反濺射物脫落對(duì)濺射環(huán)境的影響，有效提高反應(yīng)腔體內(nèi)鋯金屬薄膜的質(zhì)量，從而提高半導(dǎo)體器件的性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施方式的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種磁控濺射裝置的殼體的剖面示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1提供的磁控濺射裝置中鋯靶材組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例2提供的一種磁控濺射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標(biāo)記分別為：

標(biāo)號(hào)：100-磁控濺射設(shè)備；200-磁控濺射設(shè)備；110-殼體；111-第一內(nèi)壁；112-第二內(nèi)壁；113-第三內(nèi)壁；114-反應(yīng)腔體；120-磁靶；130-鋯靶材組件；131-鋯靶材；1311-基底；1312-凸臺(tái)；1313-濺射面；132-背板；1321-第二凹槽；133-凸起；134-散熱通道；235-緩沖板；236-調(diào)整板；140-遮擋部；141-第一凹槽；142-篩網(wǎng)；150-爐盤；151-基材。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施方式的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式是本發(fā)明一部分實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式?；诒景l(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施方式的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施方式。基于本發(fā)明中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的設(shè)備或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”和“第三”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

實(shí)施例1如圖1-圖3所示，

本實(shí)施例提供一種磁控濺射設(shè)備100，如圖1所示，這種磁控濺射設(shè)備100包括殼體110、爐盤150、磁靶120、鋯靶材組件130和遮擋部140。

本實(shí)施例中，這種磁控濺射設(shè)備100的殼體110為四邊體，在其他實(shí)施例中殼體110也可以為圓柱形、棱柱形或不規(guī)則形等其他形狀。殼體110具有第一內(nèi)壁111、第二內(nèi)壁112和第三內(nèi)壁113，第一內(nèi)壁111和第二內(nèi)壁112相對(duì)間隔設(shè)置，在本實(shí)施例中，第一內(nèi)壁111位于殼體110的頂壁，可以為殼體110的整個(gè)頂壁，也可以為頂壁的其中一部分；第二內(nèi)壁112位于殼體110的底壁，可以為殼體110的整個(gè)底壁，也可以為底壁的其中一部分。在殼體110的內(nèi)壁中除第一內(nèi)壁111和第二內(nèi)壁112以外的其余部分均為第三內(nèi)壁113。第一內(nèi)壁111、第二內(nèi)壁112和第三內(nèi)壁113共同圍合成反應(yīng)腔體114，磁控濺射反應(yīng)發(fā)生于反應(yīng)腔體114中。

爐盤150，安裝于反應(yīng)腔體114的第一內(nèi)壁111上。在濺射反應(yīng)時(shí)，爐盤150上設(shè)置有待涂布的基材151。爐盤150用于將基材151加熱至預(yù)設(shè)溫度，便于鋯原子在基材151表面沉積形成薄膜。

磁靶120，安裝于反應(yīng)腔體114的第二內(nèi)壁112上。磁靶120為濺射反應(yīng)提供磁場(chǎng)，通過該磁場(chǎng)能夠改變?yōu)R射反應(yīng)中離子的運(yùn)動(dòng)方向。鋯靶材組件130安裝于磁靶120上，并于上述基材151相對(duì)設(shè)置。

傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備中，第三內(nèi)壁與濺射環(huán)境是直接接觸的。因此，在濺射反應(yīng)中，鋯原子除了沉積到待涂布的基材表面形成薄膜外，還有相當(dāng)一部分散射到第三內(nèi)壁上并沉積下來，形成反濺射物。通常，第三內(nèi)壁為金屬材質(zhì)，由于鋯原子與第三內(nèi)壁之間的結(jié)合力弱，當(dāng)鋯原子持續(xù)轟擊第三內(nèi)壁時(shí)，在重力及鋯原子轟擊力作用下，沉積于第三內(nèi)壁的反濺射物容易脫落下來，掉落在反應(yīng)腔體內(nèi)形成碎渣，甚至有些碎渣會(huì)直接掉落在靶材表面，這些碎渣容易在濺射的過程中形成異常放電，影響濺射環(huán)境，最終導(dǎo)致制備的薄膜質(zhì)量不達(dá)標(biāo)。

鑒于此，本實(shí)施例提供的磁控濺射設(shè)備100為了避免上述反濺射物脫落的現(xiàn)象，在第三內(nèi)壁113上設(shè)置了遮擋部140。遮擋部140具有第一凹槽141，第一凹槽141的開口朝向遠(yuǎn)離第三內(nèi)壁113的一側(cè)，即第一凹槽141的開口朝向?yàn)R射反應(yīng)發(fā)生的一側(cè)。第一凹槽141用于接收在濺射反應(yīng)時(shí)射向反應(yīng)腔體114內(nèi)壁的鋯原子，并對(duì)鋯原子進(jìn)行沉積。在本實(shí)施例中第一凹槽141的形狀為矩形槽，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第一凹槽141的形狀可以為T型槽、燕尾槽或者其他能滿足實(shí)際需求的凹槽。

如圖2所示，第一凹槽141的開口覆蓋有篩網(wǎng)142，篩網(wǎng)142能夠?qū)γ撀涞纳鲜龇礊R射物進(jìn)行有效截留，防止其掉落在反應(yīng)腔體114內(nèi)形成異常放電，影響濺射環(huán)境。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，篩網(wǎng)142的目數(shù)在200-400目之間。發(fā)明人經(jīng)過數(shù)次試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)設(shè)置的篩網(wǎng)142為200-400目時(shí)，篩網(wǎng)142的孔徑略小于脫落下來的反濺射物的碎渣，能夠?qū)λ樵M(jìn)行很好的截留。而當(dāng)篩網(wǎng)142的目數(shù)大于400目時(shí)，篩網(wǎng)142的孔徑小，經(jīng)過長時(shí)間的濺射反應(yīng)后，鋯原子極易沉積在篩網(wǎng)142上，阻塞篩網(wǎng)142上的篩孔，使反濺射物沉積在篩網(wǎng)142的表面，進(jìn)而不但不能防止反濺射物掉落在反應(yīng)腔體114內(nèi)，甚至?xí)铀俜礊R射物的脫落。

發(fā)明人經(jīng)過多次試驗(yàn)證實(shí)，篩網(wǎng)142的目數(shù)最佳為300目，這種篩網(wǎng)142的截留效果與鋯原子透過效果均較佳，二者之間能夠達(dá)到有效平衡，更加有利于避免反濺射物脫落至反應(yīng)腔體114內(nèi)影響薄膜的制備。在本實(shí)施例中，篩網(wǎng)142由絕緣材料制成，從而避免在濺射反應(yīng)中由于篩網(wǎng)142的原因而出現(xiàn)的電磁干擾現(xiàn)象。

如圖3所示，鋯靶材組件130包括固定連接的鋯靶材131和背板132，背板132可拆卸連接于磁靶120上。這種可拆卸連接方式可以為卡接、磁吸和粘接等。在本實(shí)施例中，背板132通過卡接的方式連接于磁靶120上。鋯靶材組件130中背板132一方面起到支撐鋯靶材131的作用，另一方面具有傳導(dǎo)熱量的作用。

鋯靶材131靠近基材151的一面為濺射面1313，濺射面1313與基材151相對(duì)設(shè)置。在濺射過程中，真空的反應(yīng)腔體114內(nèi)產(chǎn)生氬離子，并向具有負(fù)電勢(shì)的鋯靶材131加速運(yùn)動(dòng)，在加速過程中氬離子獲得動(dòng)量，并轟擊鋯靶材131的濺射面1313，撞擊出鋯原子，隨后鋯原子遷移到基材151表面沉積并形成薄膜，完成濺射過程。

在濺射過程中，鋯原子除了會(huì)沉積在基材151表面和第三內(nèi)壁113上，鋯原子也會(huì)沉積在鋯靶材131的濺射面1313邊緣、背板132表面等位置。在濺射一段時(shí)間后，鋯靶材131和背板132的部分表面上會(huì)出現(xiàn)與鋯靶材131成分相同的堆積物，即反濺射物。由于這些反濺射物與鋯靶材131和/或背板132之間的附著力小，堆積到一定程度后會(huì)在重力和氬離子的轟擊力作用下脫落，形成異常放電，對(duì)鋯金屬薄膜的質(zhì)量造成一定的影響。

鑒于此，為了克服鋯靶材131和背板132的部分表面上的反濺射物脫落影響薄膜的質(zhì)量，發(fā)明人對(duì)上述磁控濺射設(shè)備100進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)。

鋯靶材131包括一體成型的基底1311和凸臺(tái)1312，基底1311和凸臺(tái)1312都是由鋯金屬材料制成?；?311和凸臺(tái)1312可以有多種形狀，比如長方體形、圓柱形、棱柱形等，在本實(shí)施例中基底1311和凸臺(tái)1312均為圓柱狀。凸臺(tái)1312遠(yuǎn)離基底1311的表面為濺射面1313。在濺射反應(yīng)中，氬離子轟擊凸臺(tái)1312的濺射面1313，產(chǎn)生用于制備薄膜的鋯原子。

由于在實(shí)際生產(chǎn)中，常常會(huì)出現(xiàn)遠(yuǎn)離鋯靶材131的濺射面1313中心的磁場(chǎng)較弱，而使得轟擊鋯靶材131邊緣處的鋯原子的動(dòng)量不夠大，所以從鋯靶材131上轟擊出的鋯原子的動(dòng)量也不大。這些鋯原子由于動(dòng)量不足，很難遷移至位于鋯靶材131相對(duì)面的基材151上形成薄膜，因而會(huì)沉積在反應(yīng)腔體114內(nèi)的其他表面。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，凸臺(tái)1312的直徑是基底1311的一半。這樣設(shè)置的好處在于，能夠減少濺射面1313邊緣磁場(chǎng)較弱區(qū)域的面積，從而減少由鋯靶材131的濺射面1313邊緣因磁場(chǎng)較弱而產(chǎn)生的動(dòng)量不足的鋯原子，使得反濺射物的量進(jìn)一步減少，從根本上解決反濺射物對(duì)薄膜質(zhì)量的影響。

基底1311具有相對(duì)設(shè)置的上表面(圖未示)和下表面(圖未示)，上表面與凸臺(tái)1312相鄰，下表面與背板132連接?；?311也是由鋯金屬加工而成，用于使凸臺(tái)1312與背板132連接。

背板132設(shè)有第二凹槽1321，第二凹槽1321的形狀和大小與基底1311相匹配。背板132具有底面(圖未示)和周面(圖未示)，底面和周面共同圍合成第二凹槽1321?；?311的下表面焊接于第二凹槽1321的底面，這種焊接的方式有多種，本實(shí)施例中采用擴(kuò)散焊接的方式，精確實(shí)現(xiàn)基底1311與第二凹槽1321之間的致密擴(kuò)散連接，而無需整體進(jìn)行包裝或真空保護(hù)。這種結(jié)構(gòu)在焊接時(shí)，不需要采取繁瑣的包套處理工序，也無需在擴(kuò)散焊接后進(jìn)行復(fù)雜的去包套工序，具有加工工序少、成本低的優(yōu)點(diǎn)。

基底1311的上表面與背板132的靠近凸臺(tái)1312的一面位于同一平面，即在鋯靶材組件130安裝完成后，基底1311全部位于第二凹槽1321內(nèi)，基底1311的厚度與第二凹槽1321的深度一致。這樣設(shè)置的好處在于，使得濺射面1313高于背板132且使得濺射面1313的表面積小于第二凹槽1321的表面積，有助于使薄膜表面平整，提高薄膜的成品率。

在濺射反應(yīng)中，基底1311靠近凸臺(tái)1312的一側(cè)也會(huì)被氬離子轟擊，而基底1311的上表面與濺射面1313中心的距離較遠(yuǎn)，此處所受的磁場(chǎng)強(qiáng)度較弱，所以被轟擊出的鋯原子的動(dòng)量也很小。為了解決這一問題，在這種鋯靶材組件130的基底1311的上表面設(shè)有鋸齒狀凸起133。這種鋸齒狀凸起133能夠增大基底1311表面的粗糙度，且能夠改變反濺射物的運(yùn)動(dòng)軌跡，使其容易呈鋸齒狀沉積在基底1311的凸起133之間，減少了在濺射反應(yīng)中反濺射物所受到的沖擊力，增加了反濺射物在鋯靶材組件130上的附著力，從而極大的減少了反濺射物脫落的情況發(fā)生，有效的提高了鋯金屬薄膜的質(zhì)量。

作為優(yōu)選的，如圖3所示，凸起133為錐形，相鄰兩個(gè)凸起133的側(cè)壁之間的夾角為45°-75°，本實(shí)施例中優(yōu)選為60°。凸起133的高度小于凸臺(tái)1312的高度。這種錐形的凸起133對(duì)反濺射物的防脫落作用好。當(dāng)相鄰兩個(gè)凸起133的側(cè)壁之間的夾角在45°-75°時(shí)，有利于增大反濺射物在凸起133上的附著力，使其不易脫落。

為了進(jìn)一步避免反濺射物在第二凹槽1321內(nèi)沉積，在本實(shí)施例中，第二凹槽1321的周面與基底1311的側(cè)壁間隙配合，在實(shí)際加工中，采用真空電子束封焊連接，實(shí)現(xiàn)鋯靶材131邊緣封焊，使得第二凹槽1321的周面與基底1311的側(cè)壁之間的間隙小于0.1mm。

為了進(jìn)一步提高該磁控濺射設(shè)備100的性能，本實(shí)施例在背板132遠(yuǎn)離凸臺(tái)1312的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)散熱通道134，多個(gè)散熱通道134間隔均勻分布。鋯靶材組件130中背板132一方面起到支撐鋯靶材131的作用，另一方面具有傳導(dǎo)熱量的作用。由于背板132與鋯靶材131通過焊接的方式連接在一起，為了防止在濺射中由于溫度升高，鋯會(huì)催化背板132與鋯靶材131之間的焊料融化，以至于影響濺射效果。因此，在本實(shí)施例提供的磁控濺射設(shè)備100中，通過上述散熱通道134的設(shè)置，能夠?qū)︿啺胁?31進(jìn)行充分冷卻，有利于防止上述情況發(fā)生。在實(shí)際生產(chǎn)中，這些散熱通道134可以通過機(jī)械加工的方式形成。

這種磁控濺射設(shè)備100，能夠有效的避免反濺射物脫落對(duì)濺射環(huán)境的影響，有效提高反應(yīng)腔體114內(nèi)鋯金屬薄膜的質(zhì)量，從而提高半導(dǎo)體器件的性能。

實(shí)施例2如圖4所示，

本實(shí)施例提供一種磁控濺射設(shè)備200，如圖4所示，其實(shí)現(xiàn)原理及產(chǎn)生的技術(shù)效果和實(shí)施例1相同，不同之處在于緩沖板235的設(shè)置。

磁靶120與鋯靶材組件130之間設(shè)置有緩沖板235，這種緩沖板235能夠調(diào)整鋯靶材組件130與基材151之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而增強(qiáng)磁場(chǎng)對(duì)氬離子的約束力，有利于形成高質(zhì)量的鋯金屬薄膜。緩沖板235包括至少兩個(gè)依次疊放的調(diào)整板136，調(diào)整板136的數(shù)量可以是2個(gè)、4個(gè)、6個(gè)或者更多，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)實(shí)際情況加以選用，在本實(shí)施例中調(diào)整板136的數(shù)量為3個(gè)。調(diào)整板236通過被移除或者移入工作區(qū)域，來調(diào)結(jié)鋯靶材131與基材151之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

這種磁控濺射設(shè)備200，能夠根據(jù)實(shí)際需要，調(diào)節(jié)鋯靶材組件130與基材151之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度，有利于提高鋯金屬薄膜的質(zhì)量和成品率。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種磁控濺射系統(tǒng)(圖未示)，這種磁控濺射系統(tǒng)包括上述磁控濺射設(shè)備和控制系統(tǒng)(圖未示)，該控制系統(tǒng)與上述磁控濺射設(shè)備相匹配，并能夠控制這種磁控濺射設(shè)備的運(yùn)行。使用這種磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜的制備，自動(dòng)化程度高，有利于工業(yè)大生產(chǎn)。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。