技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種過渡金屬硫族化合物二維材料—石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其原位生長方法。方法包括：步驟A：分別提供襯底、源物質(zhì)Ⅰ、源物質(zhì)Ⅱ、以及碳源，將襯底升溫，在保護氣氛下使碳源溶解到襯底的表面，源物質(zhì)Ⅰ與源物質(zhì)Ⅱ分別受熱揮發(fā)，進一步在溶解有碳的襯底的表面沉積并反應生成一種過渡金屬硫族化合物二維材料；步驟B：控制襯底以一定的降溫速率進行降溫，在過渡金屬硫族化合物二維材料與襯底的界面處析出石墨烯，從而獲得一種過渡金屬硫族化合物二維材料—石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)。本方法生長所需條件參數(shù)的窗口較寬、重復性好，為后期制備過渡金屬硫族化合物二維材—石墨烯相關(guān)的微電子器件奠定了良好的基礎(chǔ)。

技術(shù)研發(fā)人員：于廣輝;吳天如;謝曉明;時志遠;陳吉;張燕輝;隋妍萍;陳志鎣
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
文檔號碼：201611019332
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.14
技術(shù)公布日：2017.05.31