本發(fā)明涉及真空蒸鍍領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍用材料、制備方法和蒸鍍方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)不僅具有自發(fā)光特性，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輕薄、響應(yīng)速度快、可視角度大、發(fā)光效率高以及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示，是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術(shù)。

在OLED中，陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)過電子注入層注入到電子傳輸層，然后經(jīng)過電子傳輸層傳輸?shù)竭_(dá)有機(jī)發(fā)光層，陽(yáng)極產(chǎn)生的空穴經(jīng)過空穴注入層注入空穴傳輸層，然后經(jīng)過空穴傳輸層傳輸?shù)竭_(dá)有機(jī)發(fā)光層，電子和空穴在有機(jī)發(fā)光層中復(fù)合釋放能量，激發(fā)有機(jī)發(fā)光層中的發(fā)光單元發(fā)光。

在OLED制造工藝中，主要通過真空蒸鍍的方法將蒸鍍用的電子注入材料沉積在有機(jī)發(fā)光層之上，形成電子注入層。電子注入材料的功函數(shù)越低，蒸鍍形成的電子注入層的電子注入性能越高，因此，電子注入材料通常采用功函數(shù)較低的材料，例如：功函數(shù)為2.87ev的鈣(Ca)，功函數(shù)為3.66ev的鎂(Mg)、功函數(shù)為2.7ev的釤(Sm)以及功函數(shù)為2.7ev的鐿(Yb)等。

功函數(shù)較低的電子注入材料的化學(xué)性質(zhì)較活潑，接觸空氣容易被氧化，需要保存在充滿惰性氣體(例如：氬氣或氮?dú)?的手套箱中。但是，在真空蒸鍍電子注入層時(shí)，需要將功函數(shù)較低的電子注入材料從手套箱中添加到蒸鍍腔室中，這個(gè)材料添加過程是在空氣中進(jìn)行的，使得功函數(shù)較低的電子注入材料在添加過程中被部分氧化變質(zhì)，降低蒸鍍得到的電子注入層的電子注入性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍用材料、制備方法和蒸鍍方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中功函數(shù)較低的電子注入材料易被氧化腐蝕，降低蒸鍍得到的電子注入層的電子注入性能的問題

本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍用材料，所述蒸鍍用材料包括：待蒸鍍材料，及包裹在所述待蒸鍍材料表面的保護(hù)材料；其中：

所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；

當(dāng)達(dá)到相同的蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料為用于蒸鍍得到OLED中的電子注入層的材料。

優(yōu)選地，所述保護(hù)材料為升華性的材料。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種蒸鍍用鐿材料，所述蒸鍍用鐿材料包括：待蒸鍍鐿材料，及包裹在所述待蒸鍍鐿材料表面的保護(hù)鋅材料；其中：

所述保護(hù)鋅材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍鐿材料的功函數(shù)；

當(dāng)達(dá)到相同的蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)鋅材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍鐿材料所需要的蒸鍍溫度。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種蒸鍍用材料的制備方法，所述制備方法用于制備得到如上所述的蒸鍍用材料，包括：

制備待蒸鍍材料；

在所述待蒸鍍材料表面包裹保護(hù)材料，其中：

所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；

當(dāng)達(dá)到相同的蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種蒸鍍方法，所述蒸鍍方法對(duì)如上所述的蒸鍍用材料進(jìn)行蒸鍍，包括：

在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得所述蒸鍍用材料中的保護(hù)材料升華；

當(dāng)所述蒸鍍用材料在所述第一溫度下的蒸鍍時(shí)長(zhǎng)為第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)時(shí)，將溫度調(diào)整為第二溫度，所述第二溫度高于所述第一溫度；

當(dāng)檢測(cè)到蒸鍍速率達(dá)到預(yù)設(shè)蒸鍍速率時(shí)，打開用于隔離蒸鍍基板的擋板，使得所述蒸鍍用材料中的待蒸鍍材料沉積在所述蒸鍍基板上形成沉積膜層。

優(yōu)選地，在打開所述擋板之后，在所述第二溫度下進(jìn)行蒸鍍，且蒸鍍時(shí)長(zhǎng)為第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)是根據(jù)所述沉積膜層的預(yù)設(shè)厚度以及所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率確定的。

優(yōu)選地，所述第一溫度為按照所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率蒸鍍時(shí)所述保護(hù)材料的蒸鍍溫度；

所述第二溫度為按照所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率蒸鍍時(shí)所述待蒸鍍材料的蒸鍍溫度。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料，所述蒸鍍用材料包括：待蒸鍍材料，及包裹在所述待蒸鍍材料表面的保護(hù)材料；其中：所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。由于這種蒸鍍用材料在功函數(shù)較低的待蒸鍍材料表面包裹了功函數(shù)較高的保護(hù)材料，使得待蒸鍍材料在添加到蒸鍍腔室進(jìn)行蒸鍍的過程中不會(huì)因?yàn)榕c空氣接觸而部分被氧化腐蝕，能夠有效提高使用這種待蒸鍍材料蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

在使用如上所述的蒸鍍用材料進(jìn)行蒸鍍的過程中，首先將這種蒸鍍用材料在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得構(gòu)成升華性的保護(hù)材料被氣化，脫離待蒸鍍材料，然后在第二溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得待蒸鍍材料沉積在蒸鍍基板上形成電子注入層，有效提高蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用鐿材料的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)鋅材料的蒸鍍工藝參數(shù)的示意圖；

圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的待蒸鍍鐿材料的蒸鍍工藝參數(shù)的示意圖；

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用待蒸鍍鐿金屬球和使用蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到的OLED器件的性能對(duì)比示意圖；

圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用待蒸鍍鐿金屬球和使用蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到的OLED器件的性能對(duì)比示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料的制備方法的流程示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

在實(shí)際應(yīng)用中，功函數(shù)較低的電子注入材料通常需要保存在充滿惰性氣體的手套箱中。但是，由于在OLED電子注入層的蒸鍍過程中，需要將功函數(shù)較低的電子注入材料從手套箱中添加到蒸鍍腔室中，這個(gè)材料添加過程是在空氣中進(jìn)行的，使得電子注入材料在添加過程中容易被部分氧化腐蝕，降低蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

為了減緩功函數(shù)較低的電子注入材料的氧化腐蝕程度，需要縮短所述電子注入材料與空氣接觸的時(shí)間，將所述電子注入材料快速?gòu)氖痔紫渲刑砑拥秸翦兦皇覂?nèi)，并迅速對(duì)所述蒸鍍腔室進(jìn)行抽真空操作。

當(dāng)電子注入材料是Mg這種功函數(shù)略高的材料時(shí)，采用上述方法可以有效減緩Mg的氧化腐蝕程度。

但是，當(dāng)電子注入材料是Ca或Yb等功函數(shù)很低的材料時(shí)，這些材料與空氣接觸后表面會(huì)迅速被氧化腐蝕，因此，采用上述方法無(wú)法減緩Ca或Yb等電子注入材料的氧化腐蝕程度。

目前，對(duì)于減緩電子注入材料的氧化腐蝕程度，還可以采用將蒸鍍腔室的入口內(nèi)置于手套箱中，并使用機(jī)械手將手套箱中存放的電子注入材料添加到蒸鍍腔室內(nèi)，使得所述電子注入材料在添加過程中不與空氣發(fā)生接觸，不會(huì)發(fā)生氧化腐蝕現(xiàn)象。但是，采用該方法的設(shè)備比較復(fù)雜，維護(hù)比較困難，并且成本較高，不適用OLED器件量產(chǎn)過程中電子注入層的蒸鍍。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種蒸鍍用材料，所述蒸鍍用材料包括：待蒸鍍材料，及包裹在所述待蒸鍍材料表面的保護(hù)材料；其中：所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。由于這種蒸鍍用材料在功函數(shù)較低的待蒸鍍材料表面包裹了功函數(shù)較高的保護(hù)材料，使得待蒸鍍材料在添加到蒸鍍腔室進(jìn)行蒸鍍的過程中不會(huì)因?yàn)榕c空氣接觸而部分被氧化腐蝕，能夠有效提高使用這種待蒸鍍材料蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料的結(jié)構(gòu)示意圖，所述蒸鍍用材料包括：待蒸鍍材料11，及包裹在所述待蒸鍍材料11表面的保護(hù)材料12；其中：

所述保護(hù)材料12的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料11的功函數(shù)。

所述保護(hù)材料12的功函數(shù)較大，在空氣中不易被氧化腐蝕；即使所述保護(hù)材料12在空氣中部分被氧化腐蝕，也能夠保護(hù)其內(nèi)部的所述待蒸鍍材料11不與空氣接觸，不被氧化腐蝕。

當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料12所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料11所需要的蒸鍍溫度。

其中，蒸鍍速率指的是單位時(shí)間內(nèi)蒸鍍材料的沉積膜層的厚度。

采用本發(fā)明實(shí)施例記載的所述蒸鍍用材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)，設(shè)定蒸鍍速率不變。首先，在所述保護(hù)材料12對(duì)應(yīng)的較低的蒸鍍溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得所述保護(hù)材料12升華脫離所述待蒸鍍材料11。

然后，將蒸鍍溫度調(diào)整為所述待蒸鍍材料11對(duì)應(yīng)的較高的蒸鍍溫度，對(duì)所述待蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍。

因此，所述保護(hù)材料12僅僅對(duì)所述待蒸鍍材料11起到保護(hù)作用，不會(huì)影響對(duì)所述待蒸鍍材料的蒸鍍。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料11的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

球狀結(jié)構(gòu)的比表面積(平方米/克)較小，對(duì)于同樣重量的待蒸鍍材料，制備為球狀結(jié)構(gòu)得到的球狀顆粒表面積較小，占用空間較??；在球狀結(jié)構(gòu)的待蒸鍍材料表面包裹保護(hù)材料時(shí)，所述保護(hù)材料表面容易形成空隙，使得所述保護(hù)材料在蒸鍍過程中易于升華，脫離所述待蒸鍍材料，因此，優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料11的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

但是，在實(shí)際應(yīng)用中，所述待蒸鍍材料11的結(jié)構(gòu)除了是球狀顆粒之外，也可以是多面體結(jié)構(gòu)，例如：五面體結(jié)構(gòu)等，還可以是其他的形狀，這里不做具體限定。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料11為用于蒸鍍得到OLED中的電子注入層的材料。

需要說明的是，所述待蒸鍍材料11為用于蒸鍍得到OLED中的電子注入層的電子注入材料，可以是Ca，可以是Yb，可以是Sm，還可以是其他的電子注入材料，這里不做具體限定。

需要說明的是，所述保護(hù)材料12是根據(jù)所述待蒸鍍材料11的功函數(shù)、達(dá)到指定蒸鍍速率時(shí)所述保護(hù)材料12需要的蒸鍍溫度以及所述保護(hù)材料12的力學(xué)加工難度等因素確定的，這里不做具體限定。

優(yōu)選地，所述保護(hù)材料12為升華性的材料。

所述保護(hù)材料12為升華性的材料，使得在對(duì)所述保護(hù)材料12進(jìn)行蒸鍍時(shí)，所述保護(hù)材料12可以直接從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，脫離所述待蒸鍍材料11表面，而不會(huì)從固態(tài)變?yōu)橐后w，附著于所述待蒸鍍材料11的表面，對(duì)所述待蒸鍍材料造成污染。

例如：表1為常用待蒸鍍材料的參數(shù)表，表2為常用保護(hù)鍍層材料的參數(shù)表。

表1

表2

由表1和表2可知，當(dāng)所述待蒸鍍材料11為Yb、Sm、Ca時(shí)，能夠作為所述保護(hù)材料12的為Zn，即構(gòu)成蒸鍍用Yb@Zn材料、蒸鍍用Sm@Zn材料和蒸鍍用Ca@Zn材料。

而常用保護(hù)鍍層材料Al，由于蒸鍍溫度較高，并且蒸鍍狀態(tài)為熔融狀態(tài)，因此，無(wú)法作為本申請(qǐng)實(shí)施例中所記載的所述保護(hù)材料12。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料，所述蒸鍍用材料包括：待蒸鍍材料，及包裹在所述待蒸鍍材料表面的保護(hù)材料；其中：所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。由于這種蒸鍍用材料在功函數(shù)較低的待蒸鍍材料表面包裹了功函數(shù)較高的保護(hù)材料，使得待蒸鍍材料在添加到蒸鍍腔室進(jìn)行蒸鍍的過程中不會(huì)因?yàn)榕c空氣接觸而部分被氧化腐蝕，能夠有效提高使用這種待蒸鍍材料蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

實(shí)施例2

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用鐿材料的結(jié)構(gòu)示意圖，所述蒸鍍用鐿材料包括：待蒸鍍鐿材料21，及包裹在所述待蒸鍍鐿材料21表面的保護(hù)鋅材料22，其中：

所述保護(hù)鋅材料22的功函數(shù)大于所述待蒸鍍鐿材料21的功函數(shù)。

為了描述方便，以下將圖2中的蒸鍍用鐿材料簡(jiǎn)稱為蒸鍍用Yb@Zn金屬球。

所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球中的所述待蒸鍍鐿材料的功函數(shù)為2.7ev，所述保護(hù)鋅材料的功函數(shù)為3.7ev。

所述保護(hù)鋅材料與空氣接觸，在表面形成一層致密的氧化鋅膜，能夠保護(hù)其內(nèi)部的所述待蒸鍍鐿材料不被空氣氧化腐蝕。

當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)鋅材料22所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍鐿材料21所需要的蒸鍍溫度。

在使用所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球進(jìn)行蒸鍍時(shí)，得到所述待蒸鍍鐿材料和所述保護(hù)鋅材料的蒸鍍工藝參數(shù)。

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的保護(hù)鋅材料的蒸鍍工藝參數(shù)的示意圖。

由圖3(a)可知，當(dāng)蒸鍍速率達(dá)到時(shí)，所述保護(hù)鋅材料所需要的蒸鍍溫度約為370℃。

圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的待蒸鍍鐿材料的蒸鍍工藝參數(shù)的示意圖。

由圖3(b)可知，當(dāng)蒸鍍速率達(dá)到時(shí)，所述待蒸鍍鐿材料所需要的蒸鍍溫度約為630℃。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍鐿材料21的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

所述待蒸鍍鐿材料21是用于蒸鍍得到OLED中的電子注入層的材料。

優(yōu)選地，所述保護(hù)鋅材料22為升華性的材料。

所述保護(hù)鋅材料22為升華性的材料，使得在對(duì)所述保護(hù)鋅材料22進(jìn)行蒸鍍時(shí)，所述保護(hù)鋅材料22可以直接從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，脫離所述待蒸鍍鐿材料21表面，而不會(huì)從固態(tài)變?yōu)橐后w，附著于所述待蒸鍍鐿材料21的表面，對(duì)所述待蒸鍍鐿材料21造成污染。

為了確保使用本發(fā)明實(shí)施例所記載的所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到OLED中的電子注入層不會(huì)影響OLED的性能，分別對(duì)使用待蒸鍍鐿金屬球以及使用圖2所示的所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到的OLED器件進(jìn)行了性能測(cè)試。

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用待蒸鍍鐿金屬球和使用蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到的OLED器件的性能對(duì)比示意圖。

圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的使用待蒸鍍鐿金屬球和使用蒸鍍用Yb@Zn金屬球蒸鍍得到的OLED器件的性能對(duì)比示意圖。

由圖4(a)和圖4(b)可知，使用所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球不會(huì)影響蒸鍍得到的OLED器件的性能。

實(shí)施例3

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍用材料的制備方法的流程示意圖。所述制備方法用于制備得到上述實(shí)施例1和/或上述實(shí)施例2所記載的蒸鍍用材料，所述制備方法可以如下所示。

步驟51：制備待蒸鍍材料。

所述待蒸鍍材料為用于蒸鍍得到OLED中的電子注入層的電子注入材料，可以是Sm，可以是Ca，可以是Yb，還可以是其他的電子注入材料，這里不做具體限定。

優(yōu)選地，所述待蒸鍍材料的結(jié)構(gòu)為球狀顆粒。

需要說明的是，將所述待蒸鍍材料制備為球狀顆粒的過程需要在隔絕空氣的環(huán)境中進(jìn)行，確保所述待蒸鍍材料不會(huì)被空氣氧化腐蝕。

優(yōu)選地，所述球狀顆粒的大小根據(jù)蒸鍍坩堝的尺寸和/或蒸鍍速率確定。

在實(shí)際應(yīng)用中，需要將球狀顆粒的所述待蒸鍍材料放置在蒸鍍坩堝中，然后再將蒸鍍坩堝置于蒸鍍腔室內(nèi)，對(duì)球狀顆粒的所述待蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍。

因此，所述球狀顆粒的大小需要根據(jù)所述蒸鍍坩堝的尺寸確定，當(dāng)所述蒸鍍坩堝的尺寸較大時(shí)，所述球狀顆粒的大小可以較大；當(dāng)所述蒸鍍坩堝的尺寸較小時(shí)，所述球狀顆粒的大小需要較小，使得所述球狀顆粒能夠放置在所述蒸鍍坩堝內(nèi)。

球狀顆粒的比表面積(平方米/克)會(huì)影響蒸鍍過程中的蒸鍍速率，在同樣的蒸鍍溫度下，尺寸較大的球狀顆粒的蒸鍍速率較大，尺寸較小的球狀顆粒的蒸鍍速率較小。因此，所述球狀顆粒的大小需要根據(jù)預(yù)設(shè)的蒸鍍速率的大小來(lái)確定。

需要說明的是，所述待蒸鍍材料11的結(jié)構(gòu)除了是球狀顆粒之外，也可以是多面體結(jié)構(gòu)，例如：五面體結(jié)構(gòu)等，還可以是其他的形狀，這里不做具體限定。

步驟52：在所述待蒸鍍材料表面包裹保護(hù)材料。

其中，所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)；當(dāng)達(dá)到相同蒸鍍速率時(shí)，所述保護(hù)材料所需要的蒸鍍溫度低于所述待蒸鍍材料所需要的蒸鍍溫度。

在步驟52中，在步驟51制備完成的所述待蒸鍍材料的表面包裹一層保護(hù)材料，使得所述待蒸鍍材料不與空氣接觸，所述保護(hù)材料對(duì)所述待蒸鍍材料起到保護(hù)作用。

優(yōu)選地，所述保護(hù)材料的功函數(shù)大于所述待蒸鍍材料的功函數(shù)。

需要說明的是，所述保護(hù)材料的厚度可以根據(jù)實(shí)際情況確定，這里不做具體限定。

采用本實(shí)施例所記載的制備方法能夠制備得到上述實(shí)施例2中所記載的蒸鍍用Yb@Zn金屬球。

所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球中的待蒸鍍鐿材料是直徑為10mm的球狀顆粒，鐿的功函數(shù)為2.7ev；所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球中的保護(hù)鋅材料的厚度為0.1mm，鋅的功函數(shù)為3.7ev。

所述保護(hù)鋅材料與空氣接觸，在表面形成一層致密的氧化鋅膜，能夠保護(hù)其內(nèi)部的待蒸鍍鐿材料不被空氣氧化腐蝕。

實(shí)施例4

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍方法的流程示意圖。所述蒸鍍方法對(duì)上述實(shí)施例1和/或上述實(shí)施例2所記載的蒸鍍用材料進(jìn)行蒸鍍，所述蒸鍍方法可以如下所示。

步驟61：在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得所述蒸鍍用材料中的保護(hù)材料升華。

在步驟61中，將所述蒸鍍用材料放置在蒸鍍坩堝中，并將所述蒸鍍坩堝置于蒸鍍腔室中，將所述蒸鍍用材料在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍。

優(yōu)選地，所述第一溫度為按照預(yù)設(shè)蒸鍍速率蒸鍍時(shí)所述保護(hù)材料的蒸鍍溫度。

將所述蒸鍍用材料在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得所述保護(hù)材料升華，脫離所述蒸鍍用材料中的待蒸鍍材料。

以上述實(shí)施例2中所記載的蒸鍍用Yb@Zn金屬球?yàn)槔?，將所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球放置在蒸鍍坩堝中，進(jìn)而將所述蒸鍍坩堝置于蒸鍍腔室中，將蒸鍍腔室內(nèi)的預(yù)設(shè)蒸鍍速率設(shè)置為

由圖3(a)可知，當(dāng)蒸鍍速率達(dá)到時(shí)，所述保護(hù)鋅材料的蒸鍍溫度約為370℃。

因此，所述第一溫度為370℃，將所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球在370℃下進(jìn)行蒸鍍，使得所述保護(hù)鋅材料升華，脫離所述待蒸鍍鐿材料。

步驟62：當(dāng)所述蒸鍍用材料在所述第一溫度下的蒸鍍時(shí)長(zhǎng)為第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)時(shí)，將溫度調(diào)整為第二溫度。

其中，所述第二溫度高于所述第一溫度。

在步驟62中，當(dāng)所述蒸鍍用材料在所述第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，且蒸鍍時(shí)長(zhǎng)達(dá)到第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)時(shí)，能夠確定所述蒸鍍用材料中的所述保護(hù)材料已經(jīng)完全升華，即所述蒸鍍用材料此時(shí)僅剩下所述待蒸鍍材料。

需要說明的是，所述第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)可以根據(jù)所述外殼的厚度和所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率確定，這里不做具體限定。

優(yōu)選地，所述第二溫度為按照預(yù)設(shè)蒸鍍速率蒸鍍時(shí)所述待蒸鍍材料的蒸鍍溫度。

確定按照所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率蒸鍍時(shí)所述待蒸鍍材料的蒸鍍溫度為第二溫度，將溫度由所述第一溫度調(diào)整為所述第二溫度，對(duì)所述待蒸鍍材料進(jìn)行蒸鍍。

仍以上述實(shí)施例2中所記載的蒸鍍用Yb@Zn金屬球?yàn)槔?，?dāng)所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球在第一溫度370℃下在蒸鍍腔室內(nèi)進(jìn)行蒸鍍，達(dá)到第一預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)10分鐘時(shí)，檢測(cè)到所述蒸鍍腔室內(nèi)的蒸鍍速率已經(jīng)接近于0，能夠確定所述保護(hù)Zn材料已經(jīng)完全升華，此時(shí)，調(diào)整所述蒸鍍腔室內(nèi)的溫度。

由圖3(b)可知，當(dāng)蒸鍍速率達(dá)到時(shí)，所述待蒸鍍鐿材料的蒸鍍溫度約為630℃。

將所述蒸鍍腔室內(nèi)的溫度由所述第一溫度370℃調(diào)整為第二溫度630℃，對(duì)所述待蒸鍍鐿材料進(jìn)行蒸鍍。

步驟63：當(dāng)檢測(cè)到蒸鍍速率達(dá)到預(yù)設(shè)蒸鍍速率時(shí)，打開用于隔離蒸鍍基板的擋板，使得所述蒸鍍用材料中的待蒸鍍材料沉積在所述蒸鍍基板上形成沉積膜層。

在步驟63中，當(dāng)檢測(cè)到所述蒸鍍腔室內(nèi)的蒸鍍速率達(dá)到所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率時(shí)，能夠確定所述待蒸鍍材料的蒸鍍速率平穩(wěn)，此時(shí)，打開用于隔離蒸鍍基板的擋板，使得所述待蒸鍍材料沉積在所述蒸鍍基板上，形成待蒸鍍沉積膜層。

優(yōu)選地，在打開所述擋板之后，在所述第二溫度下進(jìn)行蒸鍍，且蒸鍍時(shí)長(zhǎng)為第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)。

其中，所述第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)是根據(jù)所述沉積膜層的預(yù)設(shè)厚度以及所述預(yù)設(shè)蒸鍍速率確定的。

在步驟61和62中，所述蒸鍍基板位于所述蒸鍍腔室內(nèi)與所述蒸鍍用材料隔離開的空間中，使得在對(duì)所述保護(hù)材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)，確保所述保護(hù)材料不會(huì)沉積在所述蒸鍍基板上，對(duì)所述蒸鍍基板造成污染。

仍以上述實(shí)施例2中所記載的蒸鍍用Yb@Zn金屬球?yàn)槔?，?dāng)所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球在所述蒸鍍腔室內(nèi)執(zhí)行步驟61和步驟62時(shí)，蒸鍍基板位于所述蒸鍍腔室中與所述蒸鍍用Yb@Zn金屬球隔離的空間中。

當(dāng)檢測(cè)到所述蒸鍍腔室中的蒸鍍速率達(dá)到了預(yù)設(shè)蒸鍍速率時(shí)，能夠確定所述待蒸鍍鐿材料的蒸鍍速率趨于平穩(wěn)。

根據(jù)需要得到的鐿膜層的預(yù)設(shè)厚度以及預(yù)設(shè)蒸鍍速率，確定打開所述擋板后需要的第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)。

打開所述擋板，在所述第二溫度下進(jìn)行蒸鍍，且蒸鍍時(shí)長(zhǎng)為所述第二預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，使得所述待蒸鍍鐿材料沉積在所述蒸鍍基板上，形成預(yù)設(shè)厚度的鐿膜層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍方法，在使用蒸鍍用材料蒸鍍OLED中的電子注入層的過程中，首先將這種蒸鍍用材料在第一溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得升華性的保護(hù)材料被氣化，脫離待蒸鍍材料，然后在第二溫度下進(jìn)行蒸鍍，使得待蒸鍍材料沉積在蒸鍍基板上形成OLED中的電子注入層，使得待蒸鍍材料在蒸鍍沉積成膜之前不會(huì)被氧化腐蝕，有效提高蒸鍍得到的OLED電子注入層的電子注入性能。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、裝置(設(shè)備)的流程圖和/或方框圖來(lái)描述的。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。