本發(fā)明實(shí)施例涉及領(lǐng)域，尤其涉及一種真空蒸鍍裝置、方法及有機(jī)發(fā)光顯示面板。

背景技術(shù)：

OLED，即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode)，又稱為有機(jī)電致發(fā)光器件，其基本結(jié)構(gòu)包括對應(yīng)每個(gè)像素區(qū)域的陽極、陰極和發(fā)光層，當(dāng)電壓被施加到陽極與陰極時(shí)，空穴與電子移動(dòng)至發(fā)光層，兩種載流子在發(fā)光層中復(fù)合，發(fā)光層材料中的激子由激發(fā)態(tài)遷移到基態(tài)發(fā)光。

為提高電子傳輸能力，OLED在陰極與發(fā)光層之間還設(shè)置有電子傳輸層，電子傳輸層可通過在在有機(jī)材料中摻雜金屬提升電子傳輸層的電子遷移率?，F(xiàn)有技術(shù)中一般是通過共蒸發(fā)電子傳輸層的主體有機(jī)材料和包含金屬離子的絡(luò)合物，但是含金屬離子的絡(luò)合物中的絡(luò)合物配體對電子傳輸能力沒有貢獻(xiàn)，因此限制了電子傳輸層的電子遷移率的提升。因此急需一種能夠?qū)τ袡C(jī)材料蒸發(fā)源和金屬蒸發(fā)源實(shí)現(xiàn)共蒸的真空蒸發(fā)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)有機(jī)材料蒸發(fā)源和金屬蒸發(fā)源的共蒸，并精確控制有機(jī)材料蒸發(fā)源和金屬蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種真空蒸鍍裝置、方法及有機(jī)發(fā)光顯示面板，以實(shí)現(xiàn)有機(jī)材料蒸發(fā)源和金屬蒸發(fā)源的共蒸。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種真空蒸鍍裝置，包括：

至少第一蒸鍍腔室；

所述第一蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源；

所述至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第一有機(jī)材料；

所述至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第一金屬材料；

所述至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和所述至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源可以被控制為同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，以實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種真空蒸鍍方法，包括：

控制第一蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，以實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，采用第二方面所述的真空蒸鍍方法形成。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種真空蒸鍍裝置、方法及有機(jī)發(fā)光顯示面板，通過在第一蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源，且第一有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第一有機(jī)材料，第一金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第一金屬材料，且至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源可以被控制同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，實(shí)現(xiàn)了第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。例如在制備有機(jī)發(fā)光顯示面板的電子傳輸層時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)通過有機(jī)材料和金屬材料的共蒸發(fā)提高電子傳輸層的電子遷移率。本發(fā)明實(shí)施例可以分別精確控制第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源，實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的均勻共混摻雜。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示真空蒸鍍裝置中蒸發(fā)源的配置與移動(dòng)路徑示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3所示真空蒸鍍裝置中蒸發(fā)源的配置與移動(dòng)路徑示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的位置設(shè)置示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的位置設(shè)置示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種真空蒸鍍方法的流程示意圖；

圖9a-圖9c為圖8中各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種真空蒸鍍裝置，包括至少第一蒸鍍腔室；第一蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源；至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第一有機(jī)材料；至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第一金屬材料；至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源可以被控制為同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，以實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。

真空蒸鍍使用的蒸發(fā)源一般具有封入蒸鍍材料的坩堝、噴出蒸鍍材料的噴嘴、加熱坩堝的加熱器、容納坩堝、噴嘴和加熱器等的殼體。進(jìn)行真空蒸鍍時(shí)，使蒸鍍材料從由加熱器加熱的坩堝蒸發(fā)或升華，從噴嘴向設(shè)置于真空腔室內(nèi)的待蒸鍍基板或膜層上噴射氣化的蒸鍍材料形成所需膜層。

當(dāng)需要在同一腔室內(nèi)對兩種以上不同材料共混摻雜的膜層進(jìn)行蒸鍍時(shí)，采用共蒸鍍技術(shù)，即在相同的真空腔室中設(shè)置多個(gè)蒸發(fā)源，在不同的蒸發(fā)源容納坩堝內(nèi)配置不同的材料。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種真空蒸鍍裝置，通過在第一蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源，且第一有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第一有機(jī)材料，第一金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第一金屬材料，且至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源可以被控制同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，實(shí)現(xiàn)了第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混蒸鍍。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下，所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1所示真空蒸鍍裝置中蒸發(fā)源的配置與移動(dòng)路徑示意圖。如圖1所示，在維持真空的第一蒸鍍腔室100內(nèi)配置有基板10、第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12，示例性的，第一有機(jī)蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12均采用線狀蒸發(fā)源。

其中，使第一方向1為第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12的移動(dòng)方向，第二方向2為第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12的延伸方向。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例的第一方向1和第二方向2僅是為了便于介紹本發(fā)明技術(shù)方案而定義的指向，不代表本申請所保護(hù)產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的放置方向。本發(fā)明實(shí)施例對第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12的長度不作限定，圖1只是示例性的設(shè)置線狀蒸發(fā)源的長度為約為基板10沿第二方向2長度的一半，兩蒸發(fā)源的長度也可以設(shè)置與基板10沿第二方向2的長度相同或者其他情況?？蛇x的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12沿移動(dòng)方向(第一方向1)平行排列設(shè)置，且能夠同時(shí)同方向移動(dòng)。兩蒸發(fā)源沿同一方向同時(shí)運(yùn)動(dòng)，能夠保證在蒸鍍起始位置的膜層成膜均勻，保證基板10上各個(gè)位置都能夠形成第一有機(jī)材料與第一金屬的共混摻雜膜層。

需要說明的是，本發(fā)明是實(shí)施例對真空蒸鍍裝置中第一蒸鍍腔室100、第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11以及第一金屬蒸發(fā)源12的個(gè)數(shù)不作限定，圖1只是示例性顯示了一個(gè)第一蒸鍍腔室100，且第一蒸鍍腔室100包括一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源12，真空蒸鍍裝置中也可以有多個(gè)第一蒸鍍腔室100，每個(gè)第一蒸鍍腔室100中，可根據(jù)具體制作工藝需求設(shè)置多個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12。

圖2是從蒸發(fā)源一側(cè)進(jìn)行觀察的圖。如圖2所示，當(dāng)真空蒸鍍裝置同時(shí)蒸鍍第一有機(jī)材料和第一金屬材料時(shí)，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12沿第一方向1上下移動(dòng)，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11可以通過其噴嘴110噴涂第一有機(jī)材料，第一金屬蒸發(fā)源12通過其噴嘴120噴涂第一金屬材料，二者沿同一方向同時(shí)進(jìn)行兩種材料的蒸鍍，以形成第一有機(jī)材料與第一金屬共混摻雜的膜層。需要說明的是，本申請的噴嘴110只是一個(gè)示例性的設(shè)置方式。線狀蒸發(fā)源的噴嘴還可以有其他的設(shè)置方式，本申請對此不做限定。

示例性的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12在基板10第二方向2上邊緣右半側(cè)的待機(jī)位置，同時(shí)沿AA’方向移動(dòng)，首先在基板10右側(cè)區(qū)域蒸鍍形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層，然后兩蒸發(fā)源沿A’B方向移動(dòng)至基板10左側(cè)區(qū)域，二者同時(shí)沿BB’方向移動(dòng)，在基板10左側(cè)區(qū)域蒸鍍形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層。這樣，通過使用線狀第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和線狀第一金屬蒸發(fā)源12，在整個(gè)基板10上形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層，且成膜較均勻。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例只是示例性的以基板10第二方向2上邊緣右半側(cè)作為待機(jī)位置，也可以選擇其它合適的待機(jī)位置，針對不同的待機(jī)位置，兩線狀蒸發(fā)源的移動(dòng)路徑也會(huì)隨之改變，只要滿足兩線狀蒸發(fā)源能夠在整個(gè)基板上形成均勻的第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層即可。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在維持真空的第一蒸鍍腔室100內(nèi)配置有基板10、第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12，與上述實(shí)施例不同的是，第一有機(jī)蒸發(fā)源11采用線狀蒸發(fā)源，第一金屬蒸發(fā)源12采用點(diǎn)蒸發(fā)源，且示例性的設(shè)置第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11的長度與基板10沿第二方向2的長度相同。示例性的，圖3中設(shè)置第一金屬蒸發(fā)源12為6個(gè)，且6個(gè)第一金屬蒸發(fā)源12沿第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11的延伸方向平行設(shè)置。

需要說明的是，點(diǎn)狀第一金屬蒸發(fā)源12是一個(gè)由極小的點(diǎn)噴射出蒸鍍材料以成膜，該蒸發(fā)源蒸發(fā)時(shí)能夠沿各個(gè)方向發(fā)射第一金屬蒸氣分子，成膜均勻，其直徑相對于第一金屬蒸發(fā)源12距離基板的距離是很小的，幾乎可以忽略不計(jì)，這里為了清楚地顯示點(diǎn)狀第一金屬蒸發(fā)源12的蒸鍍過程，將點(diǎn)狀蒸發(fā)源繪制為圖3中12所示形狀，本發(fā)明實(shí)施例對點(diǎn)狀第一金屬蒸發(fā)源12的形狀不作限定。

圖4為圖3所示真空蒸鍍裝置中蒸發(fā)源的配置與移動(dòng)路徑示意圖。圖4是從蒸發(fā)源一側(cè)進(jìn)行觀察的圖。當(dāng)真空蒸鍍裝置同時(shí)蒸鍍第一有機(jī)材料和第一金屬材料時(shí)，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和多個(gè)平行于第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11延長方向的第一金屬蒸發(fā)源12沿AA’移動(dòng)，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11可以通過其噴嘴110噴涂第一有機(jī)材料，第一金屬蒸發(fā)源12通過其噴嘴120噴涂第一金屬材料，二者沿同一方向同時(shí)進(jìn)行兩種材料的蒸鍍，以形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層。

示例性的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與多個(gè)第一金屬蒸發(fā)源12在基板10第二方向2上邊緣的待機(jī)位置，使兩線狀蒸發(fā)源的兩邊側(cè)與基板10沿第一方向1的邊側(cè)對齊，控制第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與多個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)沿AA’移動(dòng)，在整個(gè)基板上形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜的膜層，且成膜較均勻。圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，在維持真空的第一蒸鍍腔室100內(nèi)配置有基板10、多個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和多個(gè)第一金屬蒸發(fā)源12，與上述實(shí)施例不同的是，第一有機(jī)蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12沿第一方向1間隔設(shè)置。

示例性的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12均為線狀蒸發(fā)源。其中，使第一方向1為第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12的移動(dòng)方向，第二方向2為第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12的延伸方向。示例性地設(shè)置線狀蒸發(fā)源的長度為基板10沿第二方向2長度的一半。將第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11與第一金屬蒸發(fā)源12間隔設(shè)置，保證在第一有機(jī)材料與第一金屬材料共蒸鍍時(shí)，兩種材料能夠充分混合，使得形成的膜層中，第一有機(jī)材料與第一金屬材料成分更均勻。

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的位置設(shè)置示意圖。如圖6所示，示例性的設(shè)置一第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和一第一金屬蒸發(fā)源12，每個(gè)蒸發(fā)源沿移動(dòng)方向的兩側(cè)設(shè)置有角度板13，在兩側(cè)角度板13的作用下，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11噴射的第一有機(jī)材料形成切面扇形夾角為α₁的蒸發(fā)角，第一金屬蒸發(fā)源12噴射的第一金屬材料形成切面扇形夾角為α₂的蒸發(fā)角，蒸發(fā)角α₁與蒸發(fā)角α₂對應(yīng)基板上的蒸發(fā)面重合，蒸發(fā)面面積為S。角度板13能夠遮擋蒸發(fā)源噴射出的第一有機(jī)材料和第一金屬材料，通過調(diào)整角度板13之間的間距L、角度板13的高度H以及蒸發(fā)源的位置，進(jìn)而控制兩蒸發(fā)源在基板10上的蒸鍍面積S。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例未限定第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12對應(yīng)的蒸發(fā)角α₁與α₂是否相同，蒸發(fā)角可以相同，也可以不同，只要能夠通過調(diào)節(jié)角度板13的參數(shù)，保證蒸發(fā)角α₁與α₂對應(yīng)的蒸發(fā)面重合即可。如圖6所示，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11和第一金屬蒸發(fā)源12噴射的兩種材料的蒸發(fā)面重合，，防止出現(xiàn)只含有第一有機(jī)材料或第一金屬材料的單層材料膜層，增加了第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜膜層的均勻性。

同樣的，當(dāng)蒸發(fā)源為多個(gè)時(shí)，仍可以通過調(diào)整角度板13使多個(gè)每個(gè)蒸發(fā)源的蒸發(fā)角對應(yīng)的蒸發(fā)面重合。圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的位置設(shè)置示意圖。，如圖7所示，示例性的設(shè)置兩個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源111和112和一第一金屬蒸發(fā)源12，且第一金屬蒸發(fā)源12位于第一有機(jī)材料蒸發(fā)源111和112之間，每個(gè)蒸發(fā)源沿移動(dòng)方向的兩側(cè)設(shè)置有角度板13，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源111形成的蒸發(fā)角為β1，第一金屬蒸發(fā)源12形成的蒸發(fā)角為β2，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源112形成的蒸發(fā)角為β3。通過調(diào)各個(gè)整蒸發(fā)源兩側(cè)角度板的間距L、高度H以及蒸發(fā)源的位置，使得蒸發(fā)角β1、β2和β3對應(yīng)的的蒸發(fā)面重合，蒸發(fā)面面積為S，在基板10上形成均勻的第一有機(jī)材料與第一金屬材料共混摻雜膜層。

可選的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源11用來蒸發(fā)的材料包括電子型輔助發(fā)光材料。示例性的，電子型輔助發(fā)光材料通過第一有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍可以形成電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層等膜層至少一層，可以具有加快電子的注入速率、傳輸速率以及阻擋空穴注入與傳輸?shù)淖饔?。電子型輔助發(fā)光材料也可以通過第一有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍形成電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層的疊層結(jié)構(gòu)。需要說明的是，可以在第一蒸鍍腔室中設(shè)置多個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和多個(gè)第一金屬蒸發(fā)源，以實(shí)現(xiàn)在一個(gè)腔室中形成電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層等膜層。還可以在真空蒸鍍裝置中設(shè)置多個(gè)第一蒸鍍腔室，電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層分別通過不同的第一蒸鍍腔室進(jìn)行制作。

可選的，電子型輔助發(fā)光材料至少包含第一基團(tuán)，第一基團(tuán)為至少含有三個(gè)連續(xù)苯環(huán)的共軛結(jié)構(gòu)，至少有一個(gè)三個(gè)連續(xù)苯環(huán)上的碳原子被氮原子取代，且第一基團(tuán)為軸對稱結(jié)構(gòu)。例如，第一基團(tuán)的結(jié)構(gòu)通式可以包括：

可選的，第一金屬蒸發(fā)源用來蒸發(fā)的材料包括第Ⅱ主族元素、第Ⅲ主族元素和稀土元素中的至少一種。示例性的，第一金屬蒸發(fā)源12可以用來蒸發(fā)的材料可以是Yb、Mg和LiF中的至少一種。例如，第一金屬蒸發(fā)源12可以蒸鍍Yb形成電子遷移率較高的膜層。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，真空蒸鍍裝置還可以包括第二蒸鍍腔室，第二蒸鍍腔室中具有第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源，用于蒸鍍第二有機(jī)發(fā)光材料。示例性的，第二有機(jī)發(fā)光材料例如可以通過第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光電致器件中的發(fā)光材料層。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例對真空蒸鍍裝置中的第二蒸鍍腔室以及第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)不作限定。例如，若工藝要求通過蒸鍍形成紅色、綠色和藍(lán)色三種發(fā)光顏色像素區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)光材料層，由于每種發(fā)光顏色像素區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)光材料層都需要對應(yīng)顏色的掩膜版，可以在真空蒸鍍裝置中設(shè)置三個(gè)第二蒸鍍腔室，每個(gè)第二蒸鍍腔室中設(shè)置一第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源，每個(gè)第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源用于蒸鍍相應(yīng)發(fā)光顏色像素區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)光材料層，可以通過控制每個(gè)第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源在成膜方向上的移動(dòng)速度，以提高形成的各發(fā)光材料層的膜厚均勻性。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，真空蒸鍍裝置還可以包括第三蒸鍍腔室，第三蒸鍍腔室中具有第二金屬蒸發(fā)源，用于蒸鍍第二金屬材料。示例性的，第二金屬材料例如可以通過第二金屬蒸發(fā)源蒸鍍形成有機(jī)發(fā)光電致器件中的陰極。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例對真空蒸鍍裝置中的第三蒸鍍腔室以及第二金屬蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)不作限定。例如，可以通過第二金屬蒸發(fā)源蒸鍍Mg或Ag金屬材料形成陰極膜層，也可以在第三蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置兩個(gè)第二金屬蒸發(fā)源，一第二金屬蒸發(fā)源用于蒸鍍Mg金屬材料，一第二金屬蒸發(fā)源用于蒸鍍Ag金屬材料，兩個(gè)第二金屬蒸發(fā)源可以均采用線狀蒸發(fā)源，也可以均采用點(diǎn)狀蒸發(fā)源，也可以采用線狀蒸發(fā)源結(jié)合點(diǎn)狀蒸發(fā)源，使二者可以沿成膜方形同時(shí)同方向移動(dòng)，形成兩種金屬材料均勻的陰極膜層。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，真空蒸鍍裝置還可以包括第四蒸鍍腔室，第四蒸鍍腔室中具有第三有機(jī)材料蒸發(fā)源，用于蒸鍍第三有機(jī)材料，第三有機(jī)材料包括空穴型輔助發(fā)光材料。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例對真空蒸鍍裝置中的第四蒸鍍腔室以及第三有機(jī)材料蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)不作限定。示例性的，第三有機(jī)發(fā)光材料例如可以通過第三有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍形成空穴型輔助發(fā)光層，空穴輔助發(fā)光層例如可以包括空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層等膜層，起到增加空穴遷移和阻擋電子傳輸?shù)淖饔?。例如可以通過在第四蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置三個(gè)第三有機(jī)材料蒸發(fā)源，分別用于蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層等膜層，可以通過控制每個(gè)第三有機(jī)材料蒸發(fā)源在成膜方向上的移動(dòng)速度，以提高形成的各空穴輔助發(fā)光層的膜厚均勻性。還可以是在真空蒸鍍裝置中設(shè)置多個(gè)第四蒸鍍腔室，空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層分別通過不同的第四蒸鍍腔室進(jìn)行制作。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請上述實(shí)施例的空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層的組成材料可以相同，也可以不相同，本申請對此不作限定，具體視情況而定。

同樣可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，真空蒸鍍裝置還可以包括第五蒸鍍腔室，第五蒸鍍腔室中具有第四有機(jī)材料蒸發(fā)源，用于蒸鍍第四有機(jī)材料，第四有機(jī)材料包括電子型輔助發(fā)光材料。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例對真空蒸鍍裝置中的第五蒸鍍腔室以及第四有機(jī)材料蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)不作限定。示例性的，第四有機(jī)發(fā)光材料例如可以通過第四有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍形成電子型輔助發(fā)光層，電子輔助發(fā)光層例如可以包括電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層等膜層，起到增加電子遷移和阻擋空穴傳輸?shù)淖饔?。例如可以通過在第五蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置三個(gè)第四有機(jī)材料蒸發(fā)源，分別用于蒸鍍形成電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層等膜層，可以通過控制每個(gè)第四有機(jī)材料蒸發(fā)源在成膜方向上的移動(dòng)速度，以提高形成的各電子型輔助發(fā)光層的膜厚均勻性。還可以是在真空蒸鍍裝置中設(shè)置多個(gè)第五蒸鍍腔室，電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層分別通過不同的第五蒸鍍腔室進(jìn)行制作。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請上述實(shí)施例的電子注入層、電子傳輸層以及空穴阻擋層的組成材料可以相同，也可以不相同，本申請對此不作限定，具體視情況而定。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種真空蒸鍍方法，所述方法包括：

控制第一蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，以實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。

本發(fā)明實(shí)施例通過控制第一蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，在真空中蒸鍍設(shè)備的同一腔室內(nèi)實(shí)現(xiàn)了第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混蒸鍍。

可選的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值小于或等于300℃。如果第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值過大，過高的第一金屬材料的蒸鍍溫度會(huì)嚴(yán)重影響第一有機(jī)材料的蒸鍍速率。示例性的，第一有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度范圍設(shè)定為為100℃到400℃，第一金屬材料的蒸發(fā)溫度范圍設(shè)定為為200℃到400℃，這樣第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值最大控制在300℃以內(nèi)。示例性的，有機(jī)發(fā)光電致器件的電子型輔助發(fā)光層一般包括電子傳輸層，為了增加電子型輔助層中的電子遷移率，一般通過在電子傳輸層中摻雜金屬Yb實(shí)現(xiàn)，可以使用本發(fā)明實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置，在第一蒸鍍腔室內(nèi)，使用第一有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍電子傳輸層材料，第一金屬蒸發(fā)源蒸鍍金屬Yb材料，控制兩蒸發(fā)源沿成膜方向同時(shí)移動(dòng)，形成均勻的電子傳輸層材料與金屬Yb材料摻雜膜層。電子傳輸層材料的蒸發(fā)溫度一般在100℃到400℃范圍內(nèi)，金屬Yb材料在真空裝置中真空度較高的情況下，溫度達(dá)到200℃到400℃范圍就會(huì)蒸發(fā)，因此使用第一有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍電子傳輸層材料，使用第一金屬蒸發(fā)源蒸鍍金屬Yb材料以形成電子型輔助發(fā)光層時(shí)，兩蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值小于或等于300℃。

可選的，第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和所述第一金屬蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值小于或等于200℃。同樣的，如果第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的蒸鍍溫度差值過大，過高的第一金屬材料的蒸鍍溫度會(huì)嚴(yán)重影響第一有機(jī)材料的蒸鍍速率，二者的蒸鍍溫度差值越小，相互之間蒸鍍溫度的影響越小，越有利于在進(jìn)行真空蒸鍍時(shí)對溫度工藝條件的控制。示例性的，可以使用第一有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍電子傳輸層材料，第一金屬蒸發(fā)源蒸鍍金屬Yb材料，金屬Yb材料的蒸發(fā)溫度與其摻雜濃度有關(guān)，摻雜濃度越高，所需的蒸發(fā)溫度越高。為了優(yōu)化有機(jī)發(fā)光電致器件的發(fā)光性能，可以選取金屬Yb材料的摻雜濃度為1％，此時(shí)，真空狀態(tài)下Yb的蒸發(fā)溫度為280℃，而有機(jī)電子傳輸層材料根據(jù)種類的不同蒸發(fā)溫度也有所差異，大部分電子傳輸層材料的蒸發(fā)溫度都在150℃到350℃范圍內(nèi)，這樣兩個(gè)蒸發(fā)源的蒸鍍溫差可以控制在200℃以內(nèi)?？蛇x的，第一蒸鍍腔室中固定有基板；至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源與所述基板相對設(shè)置，控制至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源從基板的邊緣移動(dòng)至基板的另一側(cè)的邊緣。示例性的，可以將一第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和一第一金屬蒸發(fā)源相對設(shè)置，兩蒸發(fā)源例如可以是線狀蒸發(fā)源，也可以是第一有機(jī)材料蒸發(fā)源采用線狀蒸發(fā)源，第一金屬蒸發(fā)源采用點(diǎn)狀蒸發(fā)源，二者同樣相對設(shè)置，也可多個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和多個(gè)第一金屬蒸發(fā)源間隔相對設(shè)置，上述情況設(shè)置的蒸發(fā)源均從基板的邊緣移動(dòng)到基板另一側(cè)的邊緣，這樣能夠保證基板邊緣也能夠形成第一有機(jī)材料與第一金屬材料均勻混合的蒸鍍膜層。

可選的，至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源沿移動(dòng)方向平行排列設(shè)置，控制至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)同方向移動(dòng)。這樣，既有便于對第一真空腔室內(nèi)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源的操控，也能使得形成的第一有機(jī)材料與第一金屬材料成膜更均勻。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種真空蒸鍍方法的流程示意圖。示例性的，圖9a-圖9c為圖8中各步驟對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，在本申請實(shí)施例中，真空蒸鍍設(shè)備還包括至少第二蒸鍍腔室，所述第二蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源；所述至少一個(gè)第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第二有機(jī)發(fā)光材料；以及至少第三蒸鍍腔室，所述第三蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第二金屬蒸發(fā)源；所述至少一個(gè)第二金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第二金屬材料。如圖8所示，所述方法包括：

步驟S101、提供一OLED陣列基板，控制第二蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源蒸鍍第二有機(jī)發(fā)光材料，形成發(fā)光材料層21。

示例性的，第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源可以為線狀蒸發(fā)源，在對第二有機(jī)發(fā)光材料進(jìn)行蒸鍍時(shí)，沿基板的邊緣移動(dòng)至基板另一層的邊緣，形成均勻的第二有機(jī)發(fā)光材料層。示例性的，可以使用第二蒸鍍腔室中的第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源蒸鍍有機(jī)發(fā)光電致器件中的發(fā)光材料層。參見圖9a，可以在OLED陣列基板20上，通過第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源蒸鍍形成發(fā)光材料層21。需要說明的是，本說明實(shí)施例中對第二蒸鍍腔室的個(gè)數(shù)不作限定，例如可以采用三個(gè)第二蒸鍍腔室，各蒸鍍腔室內(nèi)的第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源分別用于蒸鍍藍(lán)色發(fā)光顏色像素區(qū)域(A1)、綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域(A2)和紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域(A3)中的發(fā)光材料層。其中，各像素區(qū)域?qū)?yīng)的發(fā)光材料層21的厚度可以相同，也可以不同，圖9a示例性的設(shè)置紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域(A3)中的發(fā)光材料層21的厚度不同于其它兩像素區(qū)域。此外，各第二蒸鍍腔室中的第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源的個(gè)數(shù)也不作限定，同一腔室中的各第二有機(jī)發(fā)光材料蒸發(fā)源可以單獨(dú)進(jìn)行蒸鍍，也可以同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，實(shí)現(xiàn)共混摻雜。

步驟S102、控制第一蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，以實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜形成電子傳輸層22。

示例性的，可以使用第一蒸鍍腔室蒸鍍有機(jī)發(fā)光電致器件中的電子型輔助發(fā)光層。參見圖9b，在第一有機(jī)材料蒸發(fā)源中放置電子傳輸層材料，在第一金屬蒸發(fā)源中放置第一金屬材料，例如可以是金屬Yb材料，控制二者同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，形成摻雜有金屬Yb材料的電子傳輸層22，增加了電子傳輸層中的電子遷移率。示例性的，為了優(yōu)化有機(jī)發(fā)光電致器件的性能，各像素區(qū)域的電子傳輸層的厚度可以相同，也可以不同。同時(shí)，可以通過在兩蒸發(fā)源兩側(cè)設(shè)置角度板，調(diào)整蒸發(fā)角對應(yīng)的蒸發(fā)面重合，使成膜均勻。

步驟S103、控制第三蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第二金屬蒸發(fā)源蒸鍍第二金屬材料，形成陰極膜層23。

示例性的，可以使用第三蒸鍍腔室蒸鍍有機(jī)發(fā)光電致器件中的陰極膜層。參見圖9c，可以通過第二金屬蒸發(fā)源蒸鍍Mg或Ag金屬材料形成陰極膜層23，也可以在第三蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置兩個(gè)第二金屬蒸發(fā)源，一第二金屬蒸發(fā)源用于蒸鍍Mg金屬材料，一第二金屬蒸發(fā)源用于蒸鍍Ag金屬材料。

在本申請的一種實(shí)現(xiàn)方式中，真空蒸鍍裝置還包括：至少第四蒸鍍腔室，所述第四蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第三有機(jī)材料蒸發(fā)源；所述至少一個(gè)第三有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第三有機(jī)材料；所述第三有機(jī)材料包括空穴型輔助發(fā)光材料。

可選的，所述真空蒸鍍方法在步驟S101之前還可以包括控制第四蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第三有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍第三有機(jī)材料，第三有機(jī)材料包括空穴型輔助發(fā)光材料。示例性的，空穴型輔助發(fā)光材料可以包括空穴注入層材料、空穴傳輸層材料或電子阻擋層材料中的一種或幾種。

在本申請的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，真空蒸鍍裝置還包括：至少第五蒸鍍腔室，所述第五蒸鍍腔室內(nèi)具有至少一個(gè)第四有機(jī)材料蒸發(fā)源；所述至少一個(gè)第四有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第四有機(jī)材料；所述第四有機(jī)材料包括電子型輔助發(fā)光材料；

同樣可選的，所述真空蒸鍍方法在步驟S103之前還可以包括控制第五蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第四有機(jī)材料蒸發(fā)源蒸鍍第四有機(jī)材料，第四有機(jī)材料包括電子型輔助發(fā)光材料。示例性的，上述電子型輔助發(fā)光材料可以包括電子注入層材料、電子傳輸層材料或空穴阻擋層材料中的一種或幾種。此外，本申請對于第五蒸鍍腔室和第一蒸鍍腔室的使用順序不作限定，具體可以依據(jù)OLED器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行選擇。

本發(fā)明實(shí)施例通過控制第一蒸鍍腔室中的至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，實(shí)現(xiàn)了第一有機(jī)材料和第一金屬材料的均勻共混摻雜。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，所述有機(jī)發(fā)光顯示面板采用上述實(shí)施例所提供的真空蒸鍍方法形成，因此本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板也具備上述實(shí)施例中所描述的有益效果，此處不再贅述。示例性的，有機(jī)發(fā)光顯示面板可以是筆記本電腦、平板電腦或顯示器等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置、方法及有機(jī)發(fā)光顯示面板，通過在第一蒸鍍腔室內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源，且第一有機(jī)材料蒸發(fā)源用以蒸鍍第一有機(jī)材料，第一金屬蒸發(fā)源用以蒸鍍第一金屬材料，且至少一個(gè)第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和至少一個(gè)第一金屬蒸發(fā)源可以被控制同時(shí)進(jìn)行蒸鍍，實(shí)現(xiàn)了第一有機(jī)材料和第一金屬材料的共混摻雜。例如在制備有機(jī)發(fā)光顯示面板的電子傳輸層時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)通過有機(jī)材料和金屬材料的共蒸發(fā)提高電子傳輸層的電子遷移率。本發(fā)明實(shí)施例可以分別精確控制第一有機(jī)材料蒸發(fā)源和第一金屬蒸發(fā)源，實(shí)現(xiàn)第一有機(jī)材料和第一金屬材料的均勻共混摻雜。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。