本發(fā)明屬于金屬薄膜領(lǐng)域，尤其涉及一種熱電金屬薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

金屬薄膜是一種新型材料。

申請?zhí)枮镃N200580042236.0的中國專利申請公開了一種一種金屬薄膜的形成方法，在由選自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru和Pt中的至少1種金屬或這些金屬中的2種以上組成的合金周圍，附著有機物作為分散劑，在含有水、有機酸、或水和有機酸的氣體氛圍下燒制附著構(gòu)成的金屬納米離子，得到金屬薄膜。該金屬薄膜具是低電阻的。但是其耐熱性能一般。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜不耐熱不導(dǎo)電的問題，提供了一種熱電金屬薄膜及其制備方法，該薄膜的電阻率較低，耐熱性能良好。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯10～80份、亞甲基二萘磺酸鈉10～20份、偏硼酸鉀20～30份、氧化硼10～18份、硬脂酸鋅10～14份、脂肪酸鈉50～60份、水30～60份、鉬酸鈉20～40份、植酸3～8份、水楊醛10～20份、鋅10～20份、氨基硅油20～50份。

作為優(yōu)選，熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯45份、亞甲基二萘磺酸鈉45份、偏硼酸鉀25份、氧化硼14份、硬脂酸鋅12份、脂肪酸鈉55份、水45份、鉬酸鈉30份、植酸5.5份、水楊醛15份、鋅15份、氨基硅油35份。

作為優(yōu)選，熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯10份、亞甲基二萘磺酸鈉10份、偏硼酸鉀20份、氧化硼10份、硬脂酸鋅10份、脂肪酸鈉50份、水30份、鉬酸鈉20份、植酸3份、水楊醛10份、鋅10份、氨基硅油20份。

作為優(yōu)選，熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯80份、亞甲基二萘磺酸鈉20份、偏硼酸鉀30份、氧化硼18份、硬脂酸鋅14份、脂肪酸鈉60份、水60份、鉬酸鈉40份、植酸8份、水楊醛20份、鋅20份、氨基硅油50份。

作為優(yōu)選，多異氰酸酯為異佛爾酮二異氰酸酯、環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯或六亞甲基二異氰酸酯中的一種或兩種以上。

作為優(yōu)選，多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至100～120℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

作為優(yōu)選，所述高溫預(yù)熱處理的方法為：將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為400～600℃，時間為60～70min。

作為優(yōu)選，加熱處理溫度為500℃，時間為65min。

作為優(yōu)選，所述的高溫預(yù)熱處理過程中通入氬氣。

本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明的電阻率為0.31～0.33μΩ·m，耐熱溫度為233～245℃。亞甲基二萘磺酸鈉的加入可以提高薄膜的電阻率，植酸的加入可以提高薄膜的耐熱溫度。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細介紹。

實施例1

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯45份、亞甲基二萘磺酸鈉45份、偏硼酸鉀25份、氧化硼14份、硬脂酸鋅12份、脂肪酸鈉55份、水45份、鉬酸鈉30份、植酸5.5份、水楊醛15份、鋅15份、氨基硅油35份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至110℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為500℃，時間為65min。

實施例2

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯10份、亞甲基二萘磺酸鈉10份、偏硼酸鉀20份、氧化硼10份、硬脂酸鋅10份、脂肪酸鈉50份、水30份、鉬酸鈉20份、植酸3份、水楊醛10份、鋅10份、氨基硅油20份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至100℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為400℃，時間為60min。

實施例3

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯80份、亞甲基二萘磺酸鈉20份、偏硼酸鉀30份、氧化硼18份、硬脂酸鋅14份、脂肪酸鈉60份、水60份、鉬酸鈉40份、植酸8份、水楊醛20份、鋅20份、氨基硅油50份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至120℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為600℃，時間為70min。

實施例4

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯85份、亞甲基二萘磺酸鈉18份、偏硼酸鉀24份、氧化硼16份、硬脂酸鋅11份、脂肪酸鈉54份、水55份、鉬酸鈉35份、植酸5份、水楊醛17份、鋅16份、氨基硅油45份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至105℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為480℃，時間為66min。

對照例1

與實施例1的區(qū)別在于：不加亞甲基二萘磺酸鈉。

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯45份、偏硼酸鉀25份、氧化硼14份、硬脂酸鋅12份、脂肪酸鈉55份、水45份、鉬酸鈉30份、植酸5.5份、水楊醛15份、鋅15份、氨基硅油35份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至110℃；

加入水、鉬酸鈉、植酸、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為500℃，時間為65min。

對照例2

與實施例2的區(qū)別在于：不加植酸。

熱電金屬薄膜，包括以下重量份計的原料：多異氰酸酯10份、亞甲基二萘磺酸鈉10份、偏硼酸鉀20份、氧化硼10份、硬脂酸鋅10份、脂肪酸鈉50份、水30份、鉬酸鈉20份、水楊醛10份、鋅10份、氨基硅油20份。

多異氰酸酯是質(zhì)量比為1:3的異佛爾酮二異氰酸酯和環(huán)己烷二亞甲基二異氰酸酯。

熱電金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將多異氰酸酯、亞甲基二萘磺酸鈉、偏硼酸鉀、氧化硼、硬脂酸鋅和脂肪酸鈉混合，高速攪拌并升溫至100℃；

加入水、鉬酸鈉、鋅、水楊醛和氨基硅油，混合均勻，得到混合物；

將所述混合物在基體上進行提拉涂膜，高溫預(yù)熱處理，然后進行退火處理，即可。

所述高溫預(yù)熱處理的方法為：通入氬氣，將涂有混合物的基體在馬弗爐中進行加熱處理，溫度為400℃，時間為60min。

性能測試：

從表中可以看出，本發(fā)明的電阻率為0.31～0.33μΩ·m，耐熱溫度為233～245℃。亞甲基二萘磺酸鈉的加入可以降低薄膜的電阻率，植酸的加入可以提高薄膜的耐熱溫度。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方案，本發(fā)明的保護范圍不限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可顯而易見地得到的技術(shù)方案的簡單變化或等效替換均落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。