本發(fā)明涉及光學(xué)晶片制作領(lǐng)域，具體為一種具有自動卸料功能的研磨設(shè)備。

背景技術(shù)：

晶片作為成像設(shè)備的一種透光器材，在加工過程中需要對晶片的表面進行研磨拋光處理。晶片研磨的基本技術(shù)是磨削加工，通過研磨機磨板的旋轉(zhuǎn)和分散在磨板上的磨劑對作行星式運動的晶片進行連續(xù)的磨削加工，以達到去除切片過程中產(chǎn)生的刀痕、切片損傷層和控制厚度的目的。

現(xiàn)有的研磨機包括放置晶片的工作臺及對晶片進行研磨的研磨頭，先將待研磨的晶片放到工作臺上后，研磨頭對放置在工作臺上的晶片進行研磨。但是常用的研磨機并沒有設(shè)置晶片的下料機構(gòu)，晶片在完成研磨后，需要工人手動將晶片從工作臺上取下，這樣一來，就增大了工人的工作量，延長了晶片研磨所需的加工時間，從而降低了晶片的加工效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明意在提供一種可以實現(xiàn)晶片的自動下料操作的研磨設(shè)備。

本發(fā)明提供基礎(chǔ)方案是：具有自動卸料功能的研磨設(shè)備，包括用于放置待研磨晶片的加工臺和對晶片進行研磨的研磨機構(gòu)，其中，研磨機構(gòu)位于加工臺的上方，研磨機構(gòu)包括研磨頭、可上下移動且可轉(zhuǎn)動的驅(qū)動桿和套接在驅(qū)動桿上且開口朝下的驅(qū)動箱，研磨頭滑動配合在驅(qū)動箱內(nèi)，驅(qū)動桿的下端伸入驅(qū)動箱并與研磨頭連接；驅(qū)動箱的兩側(cè)面轉(zhuǎn)動連接有夾持桿，夾持桿與加工臺接觸后可翻轉(zhuǎn)；加工臺內(nèi)部的中空腔內(nèi)固定有用于放置晶片的放置臺，放置臺上設(shè)有吸附晶片的吸附孔，放置臺的頂面與加工臺頂面的內(nèi)壁相抵；加工臺的頂面設(shè)置有可容納晶片的放置孔，放置孔位于放置臺的正上方，放置孔的兩側(cè)連通有可插入驅(qū)動板的插槽；研磨機構(gòu)與加工臺之間連接有導(dǎo)氣管，導(dǎo)氣管的進氣端位于研磨頭的上方并與驅(qū)動箱連通，導(dǎo)氣管的出氣端連通放置臺。

基礎(chǔ)方案的工作原理：先將待研磨的晶片放置到放置臺上；啟動研磨機構(gòu)，驅(qū)動桿下降，研磨頭下降，驅(qū)動箱隨著研磨頭下降；在下降的過程中，兩側(cè)的夾持桿與加工臺接觸后開始翻轉(zhuǎn)，研磨頭繼續(xù)下降，驅(qū)動箱與加工臺接觸后不再下降，此時研磨頭在驅(qū)動桿的驅(qū)動下繼續(xù)下降，與晶片接觸后，研磨頭不再下降，此時夾持桿停擺在加工臺上；同時，在研磨頭下降的時候，驅(qū)動箱頂面與研磨頭之間的空間增大，此時，放置臺內(nèi)的氣體通過導(dǎo)氣管進入到驅(qū)動箱內(nèi)，放置臺內(nèi)的氣壓減小，吸附孔將晶片吸附在放置臺上；此時驅(qū)動桿帶動研磨頭轉(zhuǎn)動，研磨頭與晶片發(fā)生相對轉(zhuǎn)動，從而對晶片進行研磨；待晶片研磨好后，停止研磨頭的轉(zhuǎn)動，研磨頭開始上升，在研磨頭上升的過程中，研磨頭與驅(qū)動箱的頂面接觸，從而帶動驅(qū)動箱開始上移，同時驅(qū)動箱內(nèi)的氣體通過導(dǎo)氣管進入到放置臺內(nèi)，放置臺內(nèi)的氣壓增大，不再吸附晶片；研磨頭帶著驅(qū)動箱繼續(xù)上移，此時夾持桿在驅(qū)動箱的帶動下開始變?yōu)閮A斜狀態(tài)，隨著研磨頭的繼續(xù)上升，夾持桿最后變?yōu)樨Q直狀態(tài)，此時夾持桿的底端位于插槽內(nèi)，并對放置孔內(nèi)的晶片進行夾持；研磨頭繼續(xù)上升后，夾持桿則帶動晶片上升，從而將晶片從放置孔內(nèi)提出，完成對晶片的自動下料操作。

設(shè)置可翻轉(zhuǎn)的夾持桿，在對晶片研磨好后，研磨頭上升的過程中，夾持桿變?yōu)樨Q直狀態(tài)對晶片進行夾持，從而將晶片從放置臺上取下，完成對晶片的自動下料操作，減少了工人的勞動量，進而提高了對晶片的加工效率。

基礎(chǔ)方案的有益效果是：1. 利用研磨頭和工作臺的配合實現(xiàn)夾持桿的翻轉(zhuǎn)，進而實現(xiàn)夾持桿對晶片的自動下料操作，減少了工人的勞動量；

2.下降后，在夾持桿停擺在加工臺上時，與晶片的側(cè)邊相抵，對晶片實現(xiàn)定位，保證了晶片與研磨頭之間的相對轉(zhuǎn)動，進而保證了研磨頭對晶片的研磨效果；

3.利用導(dǎo)氣管配合研磨頭的運動實現(xiàn)放置臺內(nèi)氣壓的改變，從而實現(xiàn)放置臺對晶片的吸附，保證了研磨頭對晶片的研磨效果。

優(yōu)選方案一：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，插槽的一側(cè)連通有用于翻轉(zhuǎn)夾持桿的導(dǎo)向槽。有益效果：設(shè)置導(dǎo)向槽，在夾持桿下降到與導(dǎo)向槽接觸后，導(dǎo)向槽對夾持桿進行導(dǎo)向，從而實現(xiàn)了夾持桿的翻轉(zhuǎn)，結(jié)構(gòu)簡單。

優(yōu)選方案二：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，導(dǎo)向槽靠近插槽的一端高于遠離插槽的一端。有益效果：將導(dǎo)向槽靠近插槽的一端高于遠離插槽的一端設(shè)置，實現(xiàn)了導(dǎo)向槽在豎直方向上的傾斜，便于對夾持桿的導(dǎo)向。

優(yōu)選方案三：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，夾持桿的下端為楔形端。有益效果：將夾持桿的下端設(shè)置為楔形端，在夾持桿的下端接觸到工作臺后，夾持桿的楔形端便于夾持桿的翻轉(zhuǎn)。

優(yōu)選方案四：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，放置臺的表面設(shè)有橡膠墊。有益效果：在放置臺對晶片進行吸附的時候，晶片與放置臺之間會產(chǎn)生擠壓，設(shè)置橡膠墊后，利用橡膠墊自身的彈性，減小了晶片受到的擠壓。

優(yōu)選方案五：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，放置孔的縱截面為倒梯形。有益效果：將放置孔的縱截面設(shè)置為倒梯形后，放置孔的側(cè)面能對晶片起到導(dǎo)向作用，從而保證晶片能準(zhǔn)確的放置在放置臺上。

附圖說明

圖1為本發(fā)明具有自動卸料功能的研磨設(shè)備實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中加工臺頂面的俯視圖；

圖3為加工臺的縱截面示意圖；

圖4為夾持桿與驅(qū)動箱的連接示意圖。

具體實施方式

下面通過具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

說明書附圖中的附圖標(biāo)記包括：加工臺10、放置臺13、吸附孔131、插槽101、放置孔103、晶片3、夾持桿231、連接桿235、驅(qū)動箱21、研磨頭23、驅(qū)動桿20、導(dǎo)氣管25、導(dǎo)向槽107。

如圖1和圖2所示的具有自動卸料功能的研磨設(shè)備，包括用于放置待研磨晶片3的加工臺10和對晶片3進行研磨的研磨機構(gòu)，研磨機構(gòu)位于加工臺10的上方，研磨機構(gòu)包括研磨頭23、驅(qū)動桿20和套接在驅(qū)動桿20上且開口朝下的驅(qū)動箱21，研磨頭23滑動配合在驅(qū)動箱21內(nèi)，驅(qū)動桿20的下端伸入驅(qū)動箱21并與研磨頭23連接，驅(qū)動桿20的上方連接有步進電機；驅(qū)動箱21的兩側(cè)面轉(zhuǎn)動連接有夾持桿231，夾持桿231的下端為楔形端，夾持桿231與加工臺10接觸后可翻轉(zhuǎn)，如圖4所示，驅(qū)動箱21通過連接桿235連接夾持桿231，驅(qū)動箱21與夾持桿231之間連接有拉簧；

加工臺10內(nèi)部的中空腔內(nèi)固定有用于放置晶片3的放置臺13，放置臺13的表面設(shè)置有橡膠墊并設(shè)有吸附晶片3的吸附孔131，放置臺13的頂面與加工臺10頂面的內(nèi)壁相抵；加工臺10的頂面設(shè)置有可容納晶片3的放置孔103，放置孔103位于放置臺13的正上方，放置孔103的兩側(cè)連通有可插入驅(qū)動板的插槽101；如圖2和圖3所示，插槽101的一側(cè)連通有導(dǎo)向槽107，導(dǎo)向槽107靠近插槽101的一端高于遠離插槽101的一端，驅(qū)動箱21與加工臺10連接有導(dǎo)氣管25，導(dǎo)氣管25的進氣端位于研磨頭23的上方并連通驅(qū)動箱21，導(dǎo)氣管25的出氣端連通放置臺13。

先將待研磨的晶片3放進放置孔103內(nèi)，晶片3在放置孔103內(nèi)滑動后落到放置臺13上；啟動研磨機構(gòu)，步進電機帶動驅(qū)動桿20下降，研磨頭23下降，驅(qū)動箱21隨著研磨頭23下降；在下降的過程中，兩側(cè)的夾持桿231與加工臺10接觸后開始沿著導(dǎo)向槽107滑動，進行擺動，研磨頭23繼續(xù)下降，驅(qū)動箱21與加工臺10接觸后不再下降，此時研磨頭23在驅(qū)動桿20的驅(qū)動下繼續(xù)下降，與晶片3接觸后，研磨頭23不再下降，此時夾持桿231停擺在加工臺10上；

同時，在研磨頭23下降的時候，驅(qū)動箱21頂面與研磨頭23之間的空間增大，此時，放置臺13內(nèi)的氣體通過導(dǎo)氣管25進入到驅(qū)動箱21內(nèi)，放置臺13內(nèi)的氣壓減小，吸附孔131將晶片3吸附在放置臺13上；此時驅(qū)動桿20帶動研磨頭23轉(zhuǎn)動，研磨頭23與晶片3發(fā)生相對轉(zhuǎn)動，從而對晶片3進行研磨；

待晶片3研磨好后，停止研磨頭23的轉(zhuǎn)動，研磨頭23開始上升，在研磨頭23上升的過程中，研磨頭23與驅(qū)動箱21的頂面接觸，從而帶動驅(qū)動箱21開始上移，同時驅(qū)動箱21內(nèi)的氣體通過導(dǎo)氣管25進入到放置臺13內(nèi)，放置臺13內(nèi)的氣壓增大，不再吸附晶片3；研磨頭23帶著驅(qū)動箱21繼續(xù)上移，此時夾持桿231在驅(qū)動箱21的帶動下開始變?yōu)閮A斜狀態(tài)，隨著研磨頭23的繼續(xù)上升，夾持桿231最后變?yōu)樨Q直狀態(tài)，此時夾持桿231的底端位于插槽101內(nèi)，并對放置孔103內(nèi)的晶片3進行夾持；研磨頭23繼續(xù)上升后，夾持桿231則帶動晶片3上升，從而將晶片3從放置孔103內(nèi)提出，完成對晶片3的自動下料操作。

以上所述的僅是本發(fā)明的實施例，方案中公知的具體結(jié)構(gòu)及特性等常識在此未作過多描述。應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明結(jié)構(gòu)的前提下，還可以作出若干變形和改進，這些也應(yīng)該視為本發(fā)明的保護范圍，這些都不會影響本發(fā)明實施的效果和專利的實用性。本申請要求的保護范圍應(yīng)當(dāng)以其權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn)，說明書中的具體實施方式等記載可以用于解釋權(quán)利要求的內(nèi)容。