1.一種蝕刻液組合物，以組合物的總重量為100％計，包含下述組分：
4-25重量％的過氧化氫，
0.01-10重量％的蝕刻抑制劑，
0.01-10重量％的螯合劑，
0.01-3重量％的蝕刻添加劑，
0.01-10重量％的過氧化氫穩(wěn)定劑，
余量為水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述蝕刻抑制劑選自雜環(huán)芳香族化合物、雜環(huán)脂肪族化合物、芳香族多元醇、喹啉和直鏈結(jié)構(gòu)多元醇中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述雜環(huán)芳香族化合物選自呋喃、噻吩、吡咯、惡唑、噻唑、吡唑、三唑、四唑、苯亞呋喃、吲哚、苯亞咪唑、苯亞吡唑和氨基四唑中的至少一種；
所述雜環(huán)脂肪族化合物選自呱嗪、甲基呱嗪、吡咯烷和四氧嘧啶中的至少一種；
所述芳香族多元醇選自五倍子酸、甲基酸酯、乙酯、丙醇鹽和丁基脂中的至少一種；
所述直鏈結(jié)構(gòu)多元醇選自甘油、赤蘚糖醇、山梨糖醇、甘露醇和木糖醇中的至少一種；
所述喹啉為6-羥基喹啉和/或8-羥基喹啉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述蝕刻添加劑包括有機酸及其鹽和/或無機酸及其鹽，其中，
所述有機酸選自醋酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸、丁二酸、烷基二甲基磺酸、烷基苯磺酸、烷基二苯醚二磺酸、烷基萘磺酸、萘磺酸、萘二磺酸、甲醛與萘磺酸聚合物、丙烯酰胺甲基丙烷磺酸聚合物、丙烯酸、乙烯基苯磺酸聚合物和磺酸鹽化合物中的至少一種；
所述無機酸選自硝酸、硫酸、鹽酸、次氯酸、高錳酸、磷酸、硼酸、次硫酸、高氯酸、過一硫酸、過二硫酸和過二碳酸及其鹽中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述螯合劑選自亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、亞甲基磷酸、羥基乙叉二膦酸、亞乙基二胺四亞甲基磷酸、肌氨酸、丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸和1-二膦酸中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述過氧化氫穩(wěn)定劑選自乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚丙乙烯二醇、乙醇和異丙醇中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，
以組合物的總重量為100％計，包含下述組分：
5-15重量％的過氧化氫，
0.01-0.15重量％的蝕刻抑制劑，
0.01-8重量％的螯合劑，
0.3-1.5重量％的蝕刻添加劑，
5-10重量％的過氧化氫穩(wěn)定劑，
余量為水。
8.一種導(dǎo)電性金屬膜的刻蝕方法，包括將根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項所述的蝕刻液組合物與所述導(dǎo)電性金屬膜接觸，所述導(dǎo)電性金屬膜以選自鋁、鋁合金、銅和銅合金中的至少一種構(gòu)成上層金屬膜，以鉬和/或鈦構(gòu)成下層金屬膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蝕刻液組合物，其特征在于，完成蝕刻后，所述上層金屬膜的厚度為300-400nm，所述下層金屬膜的厚度為20-30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的刻蝕方法，其特征在于，所述導(dǎo)電性金屬膜在蝕刻過程中形成具有30-70度的錐角的蝕刻輪廓。