本實用新型涉及顯示設備制造領域，尤其涉及一種掩膜板。

背景技術：

目前OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)采用真空蒸鍍技術制備有機發(fā)光層。在器件制備過程中，有機材料通過高溫蒸鍍淀積在位于蒸發(fā)源上方的玻璃基板上，為使有機材料按照設計蒸鍍到特定的位置上，在玻璃基板下方需使用高精度金屬掩膜板(以下簡稱掩膜板)，掩膜板上留有預先設計好的有效開口區(qū)域，通過該有效開口區(qū)域，有機材料沉積到背板上面，形成預設圖形。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在玻璃基板與掩膜板貼合蒸鍍有機材料的過程中，由于掩膜板框架內邊緣的支撐作用，玻璃基板會產生“碟狀”的下垂量，這樣會導致玻璃基板與掩膜板的結合狀態(tài)不統(tǒng)一(即各處間距不一致)，有機材料蒸鍍不均勻，產生四邊區(qū)域和中間區(qū)域的區(qū)分，進而影響最終產品的顯示效果。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型提供一種掩膜板，可解決由于玻璃基板與掩膜板的結合狀態(tài)不統(tǒng)一導致的顯示不良問題。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

本實用新型的實施例提供一種掩膜板，包括：框架和包含有效開口的掩膜條，所述掩膜條設置于所述框架上；所述框架包括：與所述掩膜條平行的第一邊框，與所述掩膜條垂直的第二邊框，所述第一邊框上用于設置基板的表面為下凹的曲面，或者，所述第一邊框上用于設置基板的表面直接挖空，使基板置于所述框架上時所述第一邊框不與所述基板接觸，只有所述第二邊框支撐所述基板。

優(yōu)選地，所述曲面下凹的最低點深度與下述數(shù)值一致：所述基板以四邊支撐的方式置于掩膜板的框架上時，所述基板中心點的下垂量。

優(yōu)選地，所述曲面沿與所述掩膜條平行方向上的下凹弧度與下述曲線一致：所述基板以四邊支撐的方式置于掩膜板的框架上時，所述基板的中線下垂形成的曲線；其中，所述基板的中線過所述第二邊框的中點且與所述第一邊框平行。

可選地，所述第一邊框的表面挖空的深度為1.4～2.0毫米。

優(yōu)選地，所述第一邊框的表面挖空的深度為1.5毫米。

可選地，所述掩膜板為OLED制程中的蒸鍍有機材料工序中使用的精細金屬掩膜板。

可選地，所述掩膜板的材質為鎳鐵合金，鎳鈷合金或者不銹鋼。

優(yōu)選地，所述框架一體成型。

掩膜板包括框架和包含有效開口的掩膜條，定義框架上與掩膜條平行的邊框為第一邊框，與掩膜條垂直的邊框為第二邊框，本實用新型提供的掩膜板，對掩膜板框架的第一邊框進行了改進，將第一邊框上用于設置基板的那一側表面通過打磨等方式設計為下凹的曲面，為基板(例如玻璃基板Glass)下垂預留空間，或者將第一邊框表面直接挖空，使基板置于框架上時第一邊框不與基板接觸，基板在只有第二邊框(與掩膜條垂直的邊框)提供的兩端支撐下自然下垂，在與掩膜條平行方向上，基板自然下垂呈現(xiàn)自然的拋物線形態(tài)，這與掩膜條兩端支撐產生的下垂趨勢一致，這樣當基板置于掩膜板上并與掩膜板貼合后，二者可以達到貼合良好和間距統(tǒng)一的狀態(tài)，彌補基板下垂量較大的缺陷，解決由于基板與掩膜板的結合狀態(tài)不統(tǒng)一導致的顯示不良問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有掩膜板邊框的截面結構示意圖；

圖2為現(xiàn)有掩膜板下垂量的變化趨勢圖；

圖3為本實用新型實施例提供的掩膜板的示意圖；

圖4為圖3沿A-A’的剖面結構示意圖；

圖5為本實用新型實施例中掩膜板上掩膜條的設置示意圖；

圖6為圖5所示掩膜條的下垂量變化趨勢圖；

圖7為本實用新型實施例中基板置于掩膜板后第一邊框的截面結構圖；

圖8為本實用新型實施例中掩膜條和基板的下垂量變化趨勢圖；

圖9為本實用新型實施例中掩膜板的中線示意圖；

圖10為本實用新型實施例提供的另一掩膜板第一邊框的截面示意圖。

附圖標記

1-掩膜板，2-基板，10-框架，11-第一邊框，12-第二邊框，

111-第一邊框上用于設置基板的表面，20-掩膜條。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

實施例

發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)：現(xiàn)有技術中，掩膜板上包含有效開口的掩膜條20采用如圖5所示的兩端固定方式，掩膜條20由于重力而產生的下垂量變化趨勢如圖6所示，與掩膜條20垂直方向上各點的下垂量相等，沿掩膜條20長度方向上自兩側邊緣到中心各點的下垂量自小而大變化。基板(例如玻璃基板)比掩膜板框架內邊緣大，基板置于掩膜板并與掩膜板貼合蒸鍍有機材料時，由于掩膜板框架內邊緣的四邊支撐作用，基板會產生如圖2所示的“碟狀”的下垂量，各點的下垂量自邊緣到中心從小到大變化，下垂量最大的點位于基板的中心，這與掩膜條20兩端固定方式下產生的下垂量變化趨勢存在不同，導致基板與掩膜板的結合狀態(tài)不統(tǒng)一，有機材料蒸鍍不均勻，產生四邊區(qū)域和中間區(qū)域的區(qū)分，進而影響最終產品的顯示效果。

基于上述認識，本實用新型的實施例提供一種改進后的掩膜板，如圖3和圖4所示，該掩膜板包括：框架10和包含有效開口的掩膜條(圖中未示出)，掩膜條設置于框架10上；框架10包括：與掩膜條平行的第一邊框11(圖中的上、下邊框)，與掩膜條垂直的第二邊框12(圖中的左、右邊框)，第一邊框11上用于設置基板的表面111為下凹的曲面。

如圖1所示，現(xiàn)有掩膜板的邊框用于其用于設置基板的表面是平的，基板置于掩膜板上時是四邊支撐。本實施例提供一種改進后的掩膜板，將掩膜板框架的第一邊框11(與掩膜條平行的邊框)的上表面111設計成下凹的曲面，第二邊框12不做改動，這樣基板2置于掩膜板1上后變?yōu)橹挥械诙吙?2提供兩邊支撐，第一邊框11的下凹曲面為基板的下垂量提供容納空間，基板2與掩膜板1上的掩膜條20的一樣，均是兩端支撐，下垂量變化趨勢一致，均是沿第二邊框12平行的方向下垂量相等，沿第一邊框11平行的方向下垂量自兩側邊緣到中心是自小而大變化?；?與包含有效開口的掩膜條20下垂量變化趨勢一致，這樣基板2置于掩膜板1上后，基板2與掩膜板1能很好的貼合，基板2上形成的圖形可以與掩膜板1上的有效開口最大程度保證一致。本實施例的掩膜板1用于OLED蒸鍍有機材料時，玻璃基板與掩膜板的結合狀態(tài)統(tǒng)一性高，可以盡量保證四邊區(qū)域和中間區(qū)域圖形一致，解決由玻璃基板與掩膜板的結合狀態(tài)不統(tǒng)一導致的顯示不良問題。

其中，圖5為掩膜板上掩膜條的設置示意圖；圖6中利用虛線A示出掩膜條下垂量的變化趨勢模擬圖；圖8為基板置于掩膜板上時，第一邊框沿A-A’方向的截面示意圖，圖8中利用虛線A示出掩膜條下垂量的變化趨勢，利用虛線B示出基板置于掩膜板上后，基板的下垂量的變化趨勢，可以看出掩膜板和基板的下垂量變化趨勢一致，貼合度比較好。

具體實施時，第一邊框11上用于設置基板的表面111為下凹曲面，下凹曲面的具體弧度可以通過以下實驗方式確定：將基板以四邊支撐的方式置于掩膜板上時，測出基板中心點的下垂量，具體實施時，一般通過將基板置于現(xiàn)有掩膜板上，掩膜板四邊支撐測基板，測出基板中心點的下垂量，當然本步驟也可以通過計算機模擬試驗得出；通過拋物線函數(shù)模擬下凹曲面的弧度變化，即下凹曲面沿第一邊框11方向的截面為一曲線(該曲線反映沿第一邊框11方向上基板的下垂量變化情況)，通過拋物線函數(shù)模擬該曲線；下凹曲面的最低點(對應拋物線上的一個坐標點)設定為基板中心點的下垂量，得出拋物線函數(shù)的具體表達式，由此獲得下凹曲面的具體弧度設計。

或者如圖9所示，通過下述方式獲得：將基板以四邊支撐的方式置于掩膜板上時，測出基板的中線BB’下垂形成的曲線，當然本步驟也可以通過計算機模擬試驗得出；其中，基板的中線BB’過第二邊框12的中點且與第一邊框11平行。

具體制備時，第一邊框11上的下凹曲面可以通過打磨方式獲得，也可以直接一體成型方式制成，即通過注塑等方式直接形成第一邊框11上表面(用于設置基板的表面)為下凹曲面的框架。

本實施例所述掩膜板以OLED制程的蒸鍍有機材料工序中使用的精細金屬掩膜板為例，所述掩膜板的材質為鎳鐵合金，鎳鈷合金或者不銹鋼等，但本領域技術人員可以理解的是，本實用新型的應用并不限于此。

本實施例提供的掩膜板，將第一邊框用于設置基板的表面設計成下凹曲面，基板與掩膜板貼合后，中間整體區(qū)域呈現(xiàn)自然的拋物線形態(tài)，進而達到基板與掩膜板貼合良好和統(tǒng)一的狀態(tài)，避免了基板形成“碟狀”形態(tài)的下垂量與掩膜板貼合不統(tǒng)一的狀態(tài)，進而產生邊緣與中間不統(tǒng)一的不良。

如圖10所示，本實用新型實施例還提供另一掩膜板，與圖3和圖4中所提供的掩膜板的不同之處在于，第一邊框11上用于設置基板2的表面111直接挖空，使基板2置于框架上時第一邊框11的表面111不與基板接觸，只有第二邊框支撐基板2。

本實施例提供的掩膜板，將第一邊框11上用于設置基板2的表面111直接挖空，即可以不進行基板下垂量的獲取，只要把下凹曲面的深度加深，使基板2置于框架上時第一邊框11的表面111不與基板接觸，只有第二邊框支撐基板2即可。本實施例掩膜板的第一邊框11表面111挖空的深度為1.4～2.0毫米，優(yōu)選1.5mm左右，就可以很好地實現(xiàn)兩邊支撐的效果，達到基板與掩膜板貼合良好的狀態(tài)。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應該以權利要求的保護范圍為準。