本實用新型涉及制作工藝，尤其涉及一種工作盤。
背景技術：
：研磨、拋光作為發(fā)光二極管(LightEmittingDiode，簡稱：LED)制作的工序，是將外延生長的圓片減薄到需求程度。在利用LED照明的過程中，如果量子阱發(fā)光區(qū)產(chǎn)生的熱量得不到及時的釋放，就會造成結溫過高，在過高的溫度下使用會加速LED的老化損壞。而研磨使圓片能夠有效的將熱量及時的散發(fā)到基座上，并能提高光的透光效率。在研磨、拋光圓片過程中，現(xiàn)有技術通過使用蠟液將待加工圓片固定在工作盤上，其中，工作盤為具有一定高度的圓柱體，待加工圓片是完全裸露在工作盤上。但采用上述工作盤研磨或拋光待加工圓片時，由于研磨機或拋光機異?；騾?shù)設置錯誤，可能導致最終獲得的圓片誤差過大或區(qū)域性損壞，從而降低產(chǎn)品的良品率。技術實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有工作盤的缺陷，本實用新型提供一種工作盤，以避免最終獲得的襯圓片誤差過大或區(qū)域性損壞的問題，提高產(chǎn)品的良品率。本實用新型提供一種工作盤。所述工作盤的下底面平整，所述工作盤的上底面設有凹槽，所述凹槽用于放置待加工圓片。如上所述的工作盤，其中，所述凹槽均勻分布在所述工作盤的上底面的圓周區(qū)域。如上所述的工作盤，其中，所述凹槽均勻分布在所述工作盤的上底面。如上所述的工作盤，其中，所述凹槽的深度與所述待加工圓片的目標厚度的差值小于預設值，所述預設值的標準差為±5微米。如上所述的工作盤，其中，所述凹槽具有平邊。如上所述的工作盤，其中，所述工作盤的下底面吸附在研磨機或拋光機的工作臺上工作。如上所述的工作盤，其中，所述工作盤的材質(zhì)為耐高溫材料。如上所述的工作盤，其中，采用蠟液將所述待加工圓片固定在所述凹槽內(nèi)。如上所述的工作盤，其中，所述工作盤的直徑大小根據(jù)研磨機或拋光機的工作臺大小確定，所述工作盤的厚度根據(jù)所述待加工圓片的目標厚度確定。本實用新型的工作盤，通過在工作盤的上底面設置凹槽，使得待加工圓片相對固定在凹槽內(nèi)，從而避免由于研磨機或拋光機異?；騾?shù)設置錯誤所導致的最終獲得的圓片誤差過大或區(qū)域性損壞，以提高產(chǎn)品的良品率。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例一提供的工作盤的俯視圖；圖2為圖1所示工作盤沿中心線的縱向剖視圖；圖3為本實用新型實施例二提供的工作盤的俯視圖；圖4為本實用新型實施例提供的工作盤中一種凹槽形狀的示意圖。附圖標記說明：101：工作盤；102：凹槽。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍?，F(xiàn)有技術在研磨或拋光制程使用圓形無凹槽工作盤。在加工過程中，直接將待加工圓片用蠟液固定在工作盤圓周進行研磨和拋光，沒有對待加工圓片進行保護。但在實際生產(chǎn)過程中，由于研磨機系統(tǒng)測量誤差、研磨機砂輪軸進給異常、拋光機真空壓重異常、零部件故障或拋光速率異常等問題，經(jīng)常會使圓片出現(xiàn)厚度異常(主要是厚度偏薄)和圓片區(qū)域性損壞。基于上述問題，本實用新型提供一種工作盤，在研磨或拋光過程中，只對待加工圓片高于工作盤凹槽部分進行加工，避免了在研磨或拋光過程出現(xiàn)的加工得到圓片厚度異常和區(qū)域性損壞，有效提高了產(chǎn)品的良品率。圖1為本實用新型實施例一提供的工作盤的俯視圖。圖2為圖1所示工作盤沿中心線的縱向剖視圖。參考圖1和圖2，工作盤101是具有一定厚度的圓柱體。工作盤101的下底面平整，工作盤101的上底面設有凹槽102，凹槽102用于放置待加工圓片。其中，待加工圓片包括襯底層和發(fā)光層。將待加工圓片放置在凹槽102中時，襯底層朝上，發(fā)光層朝下。在實際應用時，首先，根據(jù)待加工圓片型號的目標厚度，及研磨機或拋光機的工作臺大小，選擇相對應的工作盤101。也即，工作盤101的直徑大小根據(jù)研磨機或拋光機的工作臺大小確定，工作盤101的厚度根據(jù)待加工圓片的目標厚度確定。其中，凹槽的深度與待加工圓片的目標厚度的差值小于預設值，該預設值的標準差為±5微米。然后，將待加工圓片采用蠟液固定在工作盤101的凹槽102中，且工作盤101的下底面吸附在研磨機或拋光機的工作臺上工作。制程中研磨機或拋光機只能對待加工圓片高于凹槽102部分進行研磨、拋光。當設備出現(xiàn)異常時，如研磨機過磨或拋光機設定移除值偏高時，工作盤101保護待加工圓片，不再進行過度加工。該實施例通過在工作盤的上底面設置凹槽，使得待加工圓片相對固定在凹槽內(nèi)，從而避免由于研磨機或拋光機異?；騾?shù)設置錯誤所導致的最終獲得的圓片誤差過大或區(qū)域性損壞，以提高產(chǎn)品的良品率?？蛇x地，凹槽102可以均勻分布在工作盤101的上底面的圓周區(qū)域，如圖1所示?；蛘?，凹槽102也可以均勻分布在工作盤101的整個上底面，如圖3所示。再者，凹槽還可以非均勻分布在工作盤的上底面的圓周區(qū)域或整個上底面。也就是說，凹槽在上底面的具體分布情況可根據(jù)實際需求進行設置，本實用新型不對其進行限制。對于凹槽102的具體形狀，可以為圓形、四邊形，等等，可視待加工圓片的形狀進行設置。示例性的，圖4示出一種具有平邊的圓形凹槽。其中，工作盤101的材質(zhì)可以為耐高溫材料，例如，陶瓷、合金等。以下通過具體實例說明根據(jù)本實用新型提供的工作盤的應用。實例一：待加工圓片的目標厚度為110微米(um)，選擇凹槽深度為110um的工作盤。首先，利用蠟液將待加工圓片需減薄的一面朝上固定在凹槽內(nèi)；然后，將工作盤的下底面吸附在研磨機的工作臺上；設置研磨機參數(shù)，進行研磨；研磨完成后進行拋光，再將最終獲得的圓片卸下，測量數(shù)據(jù)。使用本實用新型提供的工作盤進行研磨、拋光后數(shù)據(jù)如下：研磨機主要參數(shù)如表1所示：表1目標值砂輪軸轉速工作軸轉速停留時間進刀速度粗加工260um1100轉/分鐘60轉/分鐘5秒0.7微米/秒精加工180um1100轉/分鐘60轉/分鐘5秒0.6微米/秒校準140um1100轉/分鐘60轉/分鐘15秒0.4微米/秒拋光機主要參數(shù)如表2所示：表2壓力移除率銅盤轉速工作軸轉速粗加工75牛頓2.7微米/分鐘40轉/分鐘65轉/分鐘精加工80牛頓2.7微米/分鐘40轉/分鐘65轉/分鐘校準75牛頓2.7微米/分鐘40轉/分鐘65轉/分鐘最終獲得的圓片測量數(shù)據(jù)如表3所示：表3目標值110um110um110um110um110um110um110um110um110um110um實際值112um111um110um112um111um111um110um113um112um112um參考表3可知，最終獲得的圓片的厚度為110um或111um或112um或113um，與目標厚度為110um最大相差3um，在誤差允許范圍內(nèi)，為良品。需說明的是，表1至表3以及表4至表6中各數(shù)據(jù)和術語的具體含義可參考現(xiàn)有技術，此處不再贅述。實例二：待加工圓片的目標厚度為85um，選擇凹槽深度為85um的工作盤。首先，利用蠟液將待加工圓片需減薄的一面朝上固定在凹槽內(nèi)；然后，將工作盤的下底面吸附在研磨機的工作臺上；設置研磨機參數(shù)，進行研磨；研磨完成后進行拋光，再將最終獲得的圓片卸下，測量數(shù)據(jù)。使用本實用新型提供的工作盤進行研磨、拋光后數(shù)據(jù)如下：研磨機主要參數(shù)如表4所示：表4拋光機主要參數(shù)如表5所示：表5壓力移除率銅盤轉速工作軸轉速粗加工75牛頓2.6微米/分鐘70轉/分鐘65轉/分鐘精加工80牛頓2.6微米/分鐘70轉/分鐘65轉/分鐘校準75牛頓2.6微米/分鐘70轉/分鐘65轉/分鐘最終獲得的圓片測量數(shù)據(jù)如表6所示：表6參考表6可知，最終獲得的圓片的厚度為84um或85um或86um或87um或88um，與目標厚度為85um最大相差3um，在誤差允許范圍內(nèi)，為良品。本實用新型提供的工作盤，通過在工作盤的上底面設置凹槽，使得待加工圓片相對固定在凹槽內(nèi)，從而避免由于研磨機或拋光機異?；騾?shù)設置錯誤所導致的最終獲得的圓片誤差過大或區(qū)域性損壞，以提高產(chǎn)品的良品率。最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術方案的范圍。當前第1頁1 2 3