本實(shí)用新型涉及拋光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶片拋光用新型毛刷。

背景技術(shù)：

拋光是指利用機(jī)械、化學(xué)或電化學(xué)的作用，使工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法，是利用拋光工具和磨料顆?；蚱渌麙伖饨橘|(zhì)對(duì)工件表面進(jìn)行的修飾加工。拋光不能提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，而是以得到光滑表面或鏡面光澤為目的，有時(shí)也用以消除光澤（消光）。通常以?huà)伖廨喿鳛閽伖夤ぞ?，拋光輪一般用多層帆布、毛氈或皮革疊制而成，兩側(cè)用金屬圓板夾緊，其輪緣涂敷由微粉磨料和油脂等均勻混合而成的拋光劑。拋光時(shí)，高速旋轉(zhuǎn)的拋光輪（圓周速度在20米/秒以上）壓向工件，使磨料對(duì)工件表面產(chǎn)生滾壓和微量切削，從而獲得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可達(dá)Ra0.63～0.01微米；當(dāng)采用非油脂性的消光拋光劑時(shí)，可對(duì)光亮表面消光以改善外觀。 公知拋光使用耗材大而復(fù)雜，工藝流程繁瑣，輔材易造成污染，清潔難度大，效率低下，需要改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種晶片拋光用新型毛刷，可以有效的完成晶片表面的鏡面拋光，加工效率高。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種晶片拋光用新型毛刷，包括在晶片固定盤(pán)上方設(shè)置的掃光盤(pán)，掃光盤(pán)為圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，且掃光盤(pán)與晶片固定盤(pán)相平行，掃光盤(pán)的上側(cè)面處設(shè)置有與其同軸的旋轉(zhuǎn)軸，旋轉(zhuǎn)軸與掃光盤(pán)固定連接，所述掃光盤(pán)的下側(cè)面為刷毛安裝面，刷毛安裝面被等分為四個(gè)扇形區(qū)域，其中一個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝硬刷毛并形成硬毛刷區(qū)，其余三個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝軟刷毛并形成軟毛刷區(qū)，硬毛刷區(qū)和軟毛刷區(qū)對(duì)接形成圓形毛刷區(qū)；所述硬刷毛的硬度大于所述軟刷毛的硬度。

所述晶片固定盤(pán)上與所述圓形毛刷區(qū)對(duì)應(yīng)的部位為圓形的晶片安裝面，晶片安裝面內(nèi)繞其圓心呈圓周狀均布設(shè)有多個(gè)用于放置晶片的晶片安裝位。

所述硬毛刷區(qū)內(nèi)的硬刷毛長(zhǎng)度和軟毛刷區(qū)內(nèi)的軟刷毛長(zhǎng)度相同。

所述硬毛刷區(qū)內(nèi)的硬刷毛密度等于或小于軟毛刷區(qū)內(nèi)的軟刷毛密度。

本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型中掃光盤(pán)的下側(cè)面為刷毛安裝面，刷毛安裝面被等分為四個(gè)扇形區(qū)域，其中一個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝硬刷毛并形成硬毛刷區(qū)，其余三個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝軟刷毛并形成軟毛刷區(qū)，硬毛刷區(qū)和軟毛刷區(qū)對(duì)接形成圓形毛刷區(qū)；所述硬刷毛的硬度大于所述軟刷毛的硬度，通過(guò)上述設(shè)計(jì)占圓形毛刷區(qū)1/4部分的硬毛刷區(qū)的硬度較大，高速旋轉(zhuǎn)時(shí)候可以去除晶片表面一些拋光痕跡，另外占圓形毛刷區(qū)3/4部分的軟毛刷區(qū)純粹為拋光作用，改善表面品質(zhì)。

所述晶片固定盤(pán)上與所述圓形毛刷區(qū)對(duì)應(yīng)的部位為圓形的晶片安裝面，晶片安裝面內(nèi)繞其圓心均布排列設(shè)有多個(gè)用于放置晶片的晶片安裝位，工作時(shí)晶片放置在對(duì)應(yīng)的晶片安裝位固定好，因晶片安裝位在晶片安裝面內(nèi)繞其圓心呈圓周狀均布，晶片也呈圓周狀排布，圓周狀排布的晶片不斷被上方的硬毛刷區(qū)和軟刷毛區(qū)交替掃過(guò)，可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高。

所述硬毛刷區(qū)內(nèi)的硬刷毛長(zhǎng)度和軟毛刷區(qū)內(nèi)的軟刷毛長(zhǎng)度相同，保證與多個(gè)待加工晶片的接觸效果。所述硬毛刷區(qū)內(nèi)的硬刷毛密度等于或小于軟毛刷區(qū)內(nèi)的軟刷毛密度，硬毛刷區(qū)內(nèi)的硬刷毛密度小，適用于去除晶片表面一些拋光痕跡，軟毛刷區(qū)內(nèi)的軟刷毛密度大，適用于拋光作用。

本實(shí)用新型工作時(shí)，掃光盤(pán)和晶片固定盤(pán)以一種速比開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，輔助以?huà)伖庖后w進(jìn)行拋光，可以使晶片表面品質(zhì)達(dá)到鏡面拋光效果。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的主視圖；

圖2是圖1中刷毛安裝面的仰視圖；

圖3是圖1中晶片安裝面的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1至圖3所示，本實(shí)用新型的一種晶片拋光用新型毛刷，包括在晶片固定盤(pán)6上方設(shè)置的掃光盤(pán)1，掃光盤(pán)1為圓盤(pán)狀結(jié)構(gòu)，且掃光盤(pán)1與晶片固定盤(pán)6相平行，掃光盤(pán)1的上側(cè)面處設(shè)置有與其同軸的旋轉(zhuǎn)軸2，旋轉(zhuǎn)軸2與掃光盤(pán)1固定連接，所述掃光盤(pán)1的下側(cè)面為刷毛安裝面，刷毛安裝面被等分為四個(gè)扇形區(qū)域，其中一個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝硬刷毛并形成硬毛刷區(qū)11，其余三個(gè)扇形區(qū)域內(nèi)安裝軟刷毛并形成軟毛刷區(qū)12，硬毛刷區(qū)11和軟毛刷區(qū)12對(duì)接形成圓形毛刷區(qū)；所述硬刷毛的硬度大于所述軟刷毛的硬度。

所述晶片固定盤(pán)6上與所述圓形毛刷區(qū)對(duì)應(yīng)的部位為圓形的晶片安裝面4，晶片安裝面4內(nèi)繞其圓心均布排列設(shè)有多個(gè)用于放置晶片的晶片安裝位5。

本實(shí)施例中所述硬毛刷區(qū)11內(nèi)的硬刷毛長(zhǎng)度和軟毛刷區(qū)12內(nèi)的軟刷毛長(zhǎng)度相同。

本實(shí)施例中所述硬毛刷區(qū)11內(nèi)的硬刷毛密度小于軟毛刷區(qū)12內(nèi)的軟刷毛密度，硬毛刷區(qū)11內(nèi)的硬刷毛密度小，適用于去除晶片表面一些拋光痕跡，軟毛刷區(qū)12內(nèi)的軟刷毛密度大，適用于拋光作用。

本實(shí)用新型通過(guò)上述技術(shù)方案，占圓形毛刷區(qū)1/4部分的硬毛刷區(qū)11的硬度較大，高速旋轉(zhuǎn)時(shí)候可以去除晶片表面一些拋光痕跡，另外占圓形毛刷區(qū)3/4部分的軟毛刷區(qū)12純粹為拋光作用，改善表面品質(zhì)。

另外，由于晶片安裝面4的配合，工作時(shí)晶片7放置在對(duì)應(yīng)的晶片安裝位5固定好，因晶片安裝位5在晶片安裝面4內(nèi)繞其圓心呈圓周狀均布，晶片7也呈圓周狀排布，圓周狀排布的晶片7不斷被上方的硬毛刷區(qū)11和軟刷毛區(qū)12交替掃過(guò)，可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高。

本實(shí)用新型工作時(shí)，晶片固定盤(pán)6上升一定高度使晶片與掃光盤(pán)1上圓形毛刷區(qū)的刷毛接觸，掃光盤(pán)1和晶片固定盤(pán)6以一種速比開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，輔助以?huà)伖庖后w進(jìn)行拋光，可以使晶片表面品質(zhì)達(dá)到鏡面拋光效果。

以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明而非限制本實(shí)用新型的技術(shù)方案，盡管參照上述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：依然可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的任何修改或局部替換，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。