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      蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法與流程

      文檔序號:11146964閱讀:995來源:國知局
      蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法與制造工藝

      本發(fā)明涉及OLED顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法。



      背景技術(shù):

      OLED,即有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),又稱為有機電致發(fā)光顯示(Organic Electroluminesence Display)。OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同,無需背光燈,采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基層,當(dāng)有電流通過時,這些有機材料就會發(fā)光。而且OLED顯示器可以做得更輕更薄,可視角度更大,并且能夠顯著節(jié)省電能。OLED顯示器由M*N(M和N均為自然數(shù))個發(fā)光像素單元按照矩陣結(jié)構(gòu)排列組合而成,對于彩色OLED顯示器每個發(fā)光像素又包括紅色像素(R)、綠色像素(G)和藍色像素(B)。OLED顯示器根據(jù)驅(qū)動方式分為主動式驅(qū)動(有源驅(qū)動)OLED(AMOLED)和被動式驅(qū)動(無源驅(qū)動)OLED(PMOLED)。

      在制造OLED顯示器的過程中,需要通過蒸鍍掩膜板對紅色像素、綠色像素和藍色像素分別進行蒸鍍。為了檢驗蒸鍍效果、判斷一些不良產(chǎn)生的原因,需要測量蒸鍍像素的偏移情況。目前常用的測量蒸鍍像素偏移情況的方法是:制作母玻璃板,在所述母玻璃板上蒸鍍單色像素,通過蒸鍍后的母玻璃板來判斷蒸鍍掩膜板對位后的像素偏移情況(也即測量蒸鍍像素的偏移情況)。

      這種方法需要單獨制作母玻璃板,增加了人力、物力和時間成本;此外,無法實際監(jiān)控蒸鍍過程中每塊OLED基板對應(yīng)像素的偏移情況,不能準(zhǔn)確反應(yīng)實時蒸鍍效果。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中測量蒸鍍像素的偏移情況的成本較高并且不能準(zhǔn)確反應(yīng)實時蒸鍍效果的問題。

      為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種蒸鍍掩膜板,用以在OLED基板上蒸鍍單色像素,所述蒸鍍掩膜板包括:框架、固定于所述框架上的掩膜片及固定于所述框架上的支撐掩膜;其中,所述掩膜片包括有源區(qū)和過渡區(qū),所述過渡區(qū)上設(shè)置有第一開口,所述第一開口用于蒸鍍單色像素;所述支撐掩膜上設(shè)置有第二開口,所述第二開口在所述掩膜片上的投影覆蓋所述第一開口,所述第二開口在所述OLED基板上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述支撐掩膜的固定區(qū)設(shè)置有標(biāo)識,所述標(biāo)識用以標(biāo)示蒸鍍顏色。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述支撐掩膜的兩端固定區(qū)均設(shè)置有標(biāo)識。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述第一開口的數(shù)量為多個。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述第二開口在所述掩膜片上的投影覆蓋一個或者多個所述第一開口。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述支撐掩膜的數(shù)量為多個,其中,一個或者多個支撐掩膜上設(shè)置有第二開口。

      可選的,在所述的蒸鍍掩膜板中,所述有源區(qū)具有第三開口,所述第三開口用于蒸鍍單色像素。

      本發(fā)明還提供一種OLED基板,所述OLED基板上設(shè)置有標(biāo)記。

      可選的,在所述的OLED基板中,所述標(biāo)記位于所述OLED基板上的非顯示區(qū)。

      本發(fā)明還提供一種測量蒸鍍像素偏位的方法,所述測量蒸鍍像素偏位的方法包括:

      采用如上所述的蒸鍍掩膜板對如上所述的OLED基板執(zhí)行蒸鍍單色像素工藝;

      測量蒸鍍后的OLED基板上標(biāo)記與覆蓋標(biāo)記的單色像素之間的偏移,從而得到蒸鍍像素的偏移情況。

      在本發(fā)明提供的蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法中,通過在OLED基板上設(shè)置標(biāo)記;蒸鍍掩膜板的掩膜片上設(shè)置有第一開口,所述第一開口用于蒸鍍單色像素,蒸鍍掩膜板的支撐掩膜上設(shè)置有第二開口,所述第二開口在所述掩膜片上的投影覆蓋所述第一開口,所述第二開口在所述OLED基板上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記,由此通過所述蒸鍍掩膜板執(zhí)行蒸鍍工藝時,蒸鍍的單色像素將同時形成于所述標(biāo)記上,由此通過測量蒸鍍的單色像素與所述標(biāo)記之間的偏移即可得到蒸鍍像素的偏移情況。通過該方法獲取蒸鍍像素的偏移情況無需特別制作母玻璃板,從而降低了人力、物力和時間成本;此外,能夠?qū)嶋H監(jiān)控蒸鍍過程中每塊OLED基板對應(yīng)像素的偏移情況,準(zhǔn)確反應(yīng)實時蒸鍍效果。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明實施例的蒸鍍掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2是本發(fā)明實施例的掩膜片的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖3是本發(fā)明實施例的OLED基板的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖4是本發(fā)明實施例的蒸鍍不同顏色的單色像素時所用的支撐掩膜的比較示意圖。

      具體實施方式

      以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的蒸鍍掩膜板、OLED基板及測量蒸鍍像素偏位的方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

      請參考圖1至圖3,其中,圖1為是本發(fā)明實施例蒸鍍掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為本發(fā)明實施例掩膜片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實施例的OLED基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1至圖2所述,所述蒸鍍掩膜板1包括:框架10、固定于所述框架10上的掩膜片20及固定于所述框架10上的支撐掩膜30;其中,所述掩膜片20包括有源區(qū)21和過渡區(qū)22,所述過渡區(qū)22上設(shè)置有第一開口(圖2中未示出),所述第一開口用于蒸鍍單色像素;所述支撐掩膜30上設(shè)置有第二開口31,所述第二開口31在所述掩膜片20上的投影覆蓋所述第一開口,所述第二開口31在所述OLED基板4上的投影覆蓋所述OLED基板上的標(biāo)記40。

      優(yōu)選的,所述支撐掩膜30的固定區(qū)設(shè)置有標(biāo)識32,所述標(biāo)識32用以標(biāo)示蒸鍍顏色。即具體實現(xiàn)時,所述標(biāo)識32可以通過紅、綠、藍等顏色來制作,具體可以與蒸鍍的單向像素的顏色一致,從而方便、清楚的示出了當(dāng)前蒸鍍掩膜板1所要蒸鍍的單色像素的顏色。更優(yōu)的,所述支撐掩膜30的兩端固定區(qū)均設(shè)置有標(biāo)識32。由此,在制作蒸鍍掩膜板1的過程中,左右移動所述支撐掩膜30均能夠方便的獲悉當(dāng)前蒸鍍掩膜板1所要蒸鍍的單色像素的顏色。

      請繼續(xù)參考圖1和圖2,進一步的,所述第一開口的數(shù)量為多個,即在此每個過渡區(qū)22上均設(shè)置有多個第一開口。進一步的,所述有源區(qū)21具有第三開口(圖2未示出),所述第三開口用于蒸鍍單色像素。較佳的,所述第三開口與所述第一開口的開口形式相似,例如,所述第三開口的形狀、大小與所述第一開口的形狀、大小相同;同時,每個有源區(qū)21具有多個第三開口,每個過渡區(qū)22具有多個第一開口,相鄰兩個第三開口之間的距離與相鄰兩個第一開口之間的距離相同。

      在本申請實施例中,所述第二開口31在所述掩膜片20上的投影覆蓋一個或者多個所述第一開口。當(dāng)所述第二開口31覆蓋一個第一開口時,通過所述蒸鍍掩膜板1蒸鍍單色像素時,將通過所述第二開口31和一個第一開口形成一個蒸鍍單色像素(當(dāng)然,還將通過有源區(qū)21上的第三開口形成多個正常的、需要的單色像素);當(dāng)所述第二開口31覆蓋多個第一開口時,通過所述蒸鍍掩膜板1蒸鍍單色像素時,將通過所述第二開口31和多個第一開口形成多個蒸鍍單色像素。

      進一步的,所述支撐掩膜30的數(shù)量為多個,其中,一個或者多個支撐掩膜30上設(shè)置有第二開口31。請繼續(xù)參考圖1,圖1中示出了三個支撐掩膜30,且每個支撐掩膜30上均設(shè)置有第二開口31。在本申請的其他實施例中,也可以僅有其中一個或者兩個支撐掩膜30上設(shè)置有第二開口31,而在另外一個或者兩個支撐掩膜30上不設(shè)置第二開口31,對此并不做限定。

      綜上可見,在本申請的設(shè)計中,只要通過第二開口31和第一開口蒸鍍至少一個額外的單色像素即可。

      接著,請繼續(xù)參考圖3,在本申請實施例中,所述標(biāo)記40位于所述OLED基板4上的非顯示區(qū),從而可以完全不影響后續(xù)形成的OLED顯示器的質(zhì)量與顯示效果。進一步的,可以在所述OLED基板4上形成一個或者多個標(biāo)記40,一個或者多個標(biāo)記40均位于非顯示區(qū)。優(yōu)選的,所述標(biāo)記40通過低溫多晶硅制程工藝形成,例如,在形成像素限定層的同時形成所述標(biāo)記40。由此既能夠很方便的形成所述標(biāo)記40,又無需增加額外的制造工序。

      接著,便可采用所述蒸鍍掩膜板1對所述OLED基板4執(zhí)行蒸鍍單色像素工藝;測量蒸鍍后的OLED基板上標(biāo)記與覆蓋標(biāo)記的單色像素之間的偏移,從而得到蒸鍍像素的偏移情況??梢姡ㄟ^該方法獲取蒸鍍像素的偏移情況無需特別制作母玻璃板,從而降低了人力、物力和時間成本;此外,能夠?qū)嶋H監(jiān)控蒸鍍過程中每塊OLED基板對應(yīng)像素的偏移情況,準(zhǔn)確反應(yīng)實時蒸鍍效果。

      通過上述方法便可實現(xiàn)單色像素的蒸鍍以及測量蒸鍍像素的偏移情況。對于一般的紅、綠、藍三色或者更多色的蒸鍍工藝而言,接著便可繼續(xù)其他單色的蒸鍍。其中,蒸鍍不同單色像素所使用的蒸鍍掩膜板以及蒸鍍方法、像素偏移的檢測方法基本相同。其差別僅在于,由于蒸鍍不同的單色像素,支撐掩膜上的第二開口的位置具有一定的偏移。

      具體的,請參考圖4,其為本發(fā)明實施例的蒸鍍不同顏色的單色像素時所用的支撐掩膜的比較示意圖。如圖4所示,支撐掩膜30a、支撐掩膜30b、支撐掩膜30c、支撐掩膜30d和支撐掩膜30e分別用于蒸鍍不同顏色的單色像素,可見,這幾者的第二開口之間具有一定的偏移,從而實現(xiàn)蒸鍍不同顏色的單色像素。此時,通過每個支撐掩膜上的標(biāo)識可以很方便的看出各支撐掩膜用以蒸鍍的單色像素的顏色。

      上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述,并非對本發(fā)明范圍的任何限定,本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書的保護范圍。

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