本發(fā)明涉及一種修整器的制造方法，尤指一種組合式之大鉆石單晶化學(xué)機(jī)械研磨修整器的制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體工業(yè)中，特別在目前線寬越來(lái)越小的發(fā)展趨勢(shì)下，晶圓表面的平坦化步驟更為關(guān)鍵，目前高階制程已全面使用化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)來(lái)達(dá)到全面平坦化效果。

但在化學(xué)機(jī)械研磨制程中因?yàn)閽伖鈮|會(huì)不斷的和晶圓產(chǎn)生摩擦，使得拋光墊上的溝紋逐漸消失，且化學(xué)機(jī)械研磨制程中產(chǎn)生的切削、反應(yīng)生成物等都會(huì)漸漸積存在拋光墊表面的細(xì)微溝槽中，容易造成拋光墊鈍化、堵塞，導(dǎo)致拋光墊表面劣化，容易對(duì)晶圓產(chǎn)生缺陷，因此，研磨墊修整器(pad dresser)遂成為化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程維持晶圓平坦性、均勻性的關(guān)鍵，用以適度的修整拋光墊，好讓拋光墊可以恢復(fù)原本的表面特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種組合式之大鉆石單晶化學(xué)機(jī)械研磨修整器的制造方法，其特征在于包含以下步驟：

提供一大基板，該大基板具有復(fù)數(shù)個(gè)容置槽，該容置槽中設(shè)置有一海棉以及一滲入該海棉的樹脂材料；

將復(fù)數(shù)個(gè)研磨單元設(shè)置于該容置槽中，該研磨單元分別包括一小基板以及復(fù)數(shù)個(gè)固定于該小基板上的大鉆石研磨顆粒，其中，該大鉆石研磨顆粒具有一不小于300微米的粒徑；

以一剛性模板抵壓該大鉆石研磨顆粒；以及

硬化該樹脂材料，使該樹脂材料黏著該研磨單元而將該研磨單元固定于該大基板上。

因此，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，在修整研磨墊時(shí)，將相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器具有更好的修整性能；且本發(fā)明利用該海棉調(diào)整該研磨單元的高度，而使該研磨單元上的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)高度一致性得以提升。

附圖說(shuō)明

圖1至圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的制造流程示意圖；

其中，10、大基板；11、容置槽；12、海綿；13、樹脂材料；14、上表面；20、研磨單元；21、小基板；22、大鉆石研磨顆粒；30、剛性模板；31、抵壓面。

具體實(shí)施方式

于下文中，將搭配圖式詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。

請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明為一種制造具有大鉆石單晶的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器之方法，包括以下步驟：

步驟S1：請(qǐng)參閱圖1，先提供一大基板10，該大基板10具有復(fù)數(shù)個(gè)容置槽11，將復(fù)數(shù)個(gè)海棉12分別放置于該大基板10的容置槽11，接著如圖2所示，將一樹脂材料13滲入該海棉12，于本發(fā)明之一實(shí)施例中，該樹脂材料13為環(huán)氧樹脂或酚醛樹脂。

步驟S2：請(qǐng)參閱圖3，將復(fù)數(shù)個(gè)研磨單元20分別設(shè)置于該容置槽11中，該研磨單元20分別包括一小基板21以及復(fù)數(shù)個(gè)固定于該小基板21上的大鉆石研磨顆粒22，其中，該大鉆石研磨顆粒22具有一不小于300微米的粒徑。

步驟S3：請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，以一剛性模板30的一抵壓面31抵壓該大鉆石研磨顆粒22，使該大鉆石研磨顆粒22的突出高度可更趨一致，如圖3所示，不同的該研磨單元20的該大鉆石研磨顆粒22之間在未以該剛性模板30抵壓前，系具有一高度差D，但在以該剛性模板30抵壓后，該高度差D將減低或消失。

步驟S4：請(qǐng)參閱圖4，硬化該樹脂材料13，使該樹脂材料13黏著該研磨單元20而固定于該大基板10上。因在硬化前，系進(jìn)行了步驟S3讓該小基板21上的該大鉆石研磨顆粒22的高度更為平坦，故硬化后各個(gè)該大鉆石研磨顆粒22相距該大基板10之一上表面14的突出高度差異可縮小，以達(dá)高平坦化。

于本發(fā)明之一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑不小于500微米；于本發(fā)明之另一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑介于500微米至800微米之間。且，該研磨單元20覆蓋該大基板10之面積占該大基板10一表面總面積的40％以下。該研磨單元20根據(jù)一圖案排列于該大基板10上，該圖案可為單圈、雙圈、多圈、放射狀、螺旋狀或其組合。

本發(fā)明系利用該海棉12之一壓縮性調(diào)整該研磨單元20之大鉆石研磨顆粒22的突出高度，即該大鉆石研磨顆粒22的尖端至該上表面14的距離。于一實(shí)施例中，最高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點(diǎn)與次高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點(diǎn)的高度差小于20微米，最高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，最高者所處的該研磨單元20，次高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，次高者所處的該研磨單元20，然此處的該研磨單元20系與最高的該研磨單元20為相異者。

于另一實(shí)施例中，單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，于又一實(shí)施例中，單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米。

綜上所述，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，在修整研磨墊時(shí)，將相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器具有更好的修整性能；且本發(fā)明利用該海棉調(diào)整該研磨單元的高度，而使該研磨單元上的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)高度一致性得以提升。

上述實(shí)施例僅為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。