技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種PECVD雙面沉積設(shè)備，包括上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)，所述上料區(qū)、加熱腔、工藝腔、降溫區(qū)和下料區(qū)依次連接；所述工藝腔設(shè)有上通氣板和下通氣板，以及與上通氣板和下通氣板連通的氣源裝置；所述上通氣板和下通氣板皆設(shè)有通氣孔，上通氣板和下通氣板平行設(shè)置并在兩板之間設(shè)有一條容納硅片通行的通道；上通氣板或下通氣板所在平面與水平面所成夾角為1?5度。采用本發(fā)明，可在硅片正反面同時(shí)沉積膜層，減少硅片的碎片率，提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：方結(jié)彬;何達(dá)能;陳剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東愛(ài)康太陽(yáng)能科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710124809
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.03
技術(shù)公布日：2017.06.13