1.一種用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜，其特征在于：所述用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜包括硬質(zhì)材料基底(0)，所述硬質(zhì)材料基底(0)由內(nèi)向外依次為耐腐蝕膜層和疏水減阻膜層，所述耐腐蝕膜層由內(nèi)向外依次為金屬鈦層(11)、氮化鈦層(12)、氮化鋁鈦層(13)和氮化鋯層(14)，所述疏水減阻膜系由內(nèi)向外依次為氧化硅層(21)、氧化銦錫層(22)和聚四氟乙烯層(23)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜，其特征在于：所述金屬鈦層(11)的膜層的厚度為10～25nm，所述氮化鈦層(12)的膜層的厚度為0.8～1.2μm，所述氮化鋁鈦層(13)的膜層的厚度為1.0～2.5μm，所述氮化鋯層(14)的膜層的厚度為0.6～0.8μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜，其特征在于：所述氮化鈦層(12)氮含量由內(nèi)向外逐漸增加；氮化鋁鈦層(13)氮含量、鈦含量由內(nèi)向外逐漸減少，鋁含量逐漸增加；所述氮化鋯層(14)氮含量、鋯含量由內(nèi)向外逐漸增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜，其特征在于：所述氧化硅層(21)的膜層的厚度為15～20nm，所述氧化銦錫層(22)的膜層的厚度為25～55nm，所述聚四氟乙烯層(23)的膜層的厚度為45～70nm。
5.權(quán)利要求1至4任一項所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)鍍膜環(huán)境：采用多弧離子鍍設(shè)備或非平衡磁控濺射設(shè)備中的一種或兩種的組合，設(shè)備置于潔凈度十萬級以內(nèi)、濕度小于60％的潔凈室內(nèi)，設(shè)備冷卻水溫度在15～26℃；多弧離子鍍時，本底真空<5.0×10-3Pa，磁控濺射時，本底真空<2.5×10-3Pa；
(2)鍍耐腐蝕膜層，采用多弧離子鍍，硬質(zhì)材料基底經(jīng)去離子水、丙酮、酒精、去離子水清洗后，置于星輪基片架上，抽至本底真空后，硬質(zhì)材料基底加溫至180～240℃，采用氬離子清洗，采用偏壓電源，偏壓-35～-260V，連續(xù)沉積金屬鈦層、氮化鈦層、氮化鋁鈦層和氮化鋯層，鍍氮化鈦時氮氣含量由小變大，鍍氮化鋁鈦氮氣、鈦偏壓由大變小，鋁偏壓由小變大，時氮化鋯氮氣流量由小變大，鋯偏壓由小變大；
(3)耐腐蝕膜層鍍膜結(jié)束后，停止通入氮氣，待抽至本底真空后，開啟磁控濺射靶材，采用中頻電源或射頻電源，依次沉積氧化硅層、氧化銦錫層和聚四氟乙烯層，沉積氧化硅層和氧化銦錫層時通入氧氣，所述氧氣的流量為1～10sccm，采用射頻電源沉積聚四氟乙烯層，磁控濺射鍍膜過程中真空度保持在1.8～3.5×10-1Pa；
(4)鍍膜結(jié)束后，通入氬氣保壓至基片溫度降至室溫再出片，制得用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜的制備方法，其特征在于：對步驟(2)中，鍍膜過程中，所述基片架公轉(zhuǎn)速度的范圍為6～12r/min。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于水下低速航行器的耐腐蝕減阻薄膜的制備方法，其特征在于：對步驟(3)中，鍍膜過程中，所述基片架公轉(zhuǎn)速度的范圍為1.5～5r/min。