本發(fā)明涉及對(duì)把持晶片的一對(duì)臂進(jìn)行示教的示教裝置及示教方法。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體設(shè)備的高集成化發(fā)展，電路的配線不斷細(xì)微化，配線間距離也進(jìn)一步變得狹小。在半導(dǎo)體設(shè)備的制造中，較多種類的材料呈膜狀地反復(fù)形成于硅晶片上，形成層疊結(jié)構(gòu)。為了形成該層疊結(jié)構(gòu)，使晶片的表面變得平坦的技術(shù)是重要的。作為這種使晶片的表面平坦化的一手段，廣泛地使用了進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)的研磨裝置(也稱為化學(xué)機(jī)械研磨裝置)。

該化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)裝置一般包括：研磨臺(tái)，該研磨臺(tái)安裝有研磨墊；頂環(huán)，該頂環(huán)保持晶片；以及噴嘴，該噴嘴將研磨液供給至研磨墊上。一邊將研磨液從噴嘴供給至研磨墊上，一邊利用頂環(huán)將晶片按壓于研磨墊，此外還使頂環(huán)和研磨臺(tái)相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)晶片進(jìn)行研磨以使該晶片的表面變得平坦。

除了上述cmp裝置之外，基板處理裝置還具有對(duì)研磨后的晶片進(jìn)行清洗并進(jìn)一步使該晶片干燥的功能的裝置。在上述基板處理裝置中，要求縮短其起動(dòng)時(shí)間及維護(hù)時(shí)間。然而，在現(xiàn)有的基板處理裝置中，在利用能打開(kāi)關(guān)閉的一對(duì)臂對(duì)晶片進(jìn)行把持并加以搬運(yùn)的情況下，人們必須進(jìn)行向該機(jī)械機(jī)構(gòu)指示晶片的位置的作業(yè)(示教作業(yè))，在起動(dòng)時(shí)、維護(hù)時(shí)需要較多的時(shí)間。另外，也存在因進(jìn)行示教作業(yè)的作業(yè)員的經(jīng)驗(yàn)、技能而導(dǎo)致正確性產(chǎn)生偏差這樣的問(wèn)題。

然而，在日本專利特開(kāi)2005-123261號(hào)公報(bào)中，提出了一種向具有y字形狀的機(jī)械手的自動(dòng)裝置指示晶片的位置的裝置。然而，向利用能打開(kāi)關(guān)閉的一對(duì)臂對(duì)晶片進(jìn)行把持并加以搬運(yùn)的機(jī)械機(jī)構(gòu)指示晶片的位置的裝置并不是已知的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能在短時(shí)間內(nèi)、且以正確性不產(chǎn)生偏差的方式向利用可打開(kāi)關(guān)閉的一對(duì)臂對(duì)晶片進(jìn)行把持并加以搬運(yùn)的機(jī)械機(jī)構(gòu)指示晶片的位置的示教裝置及示教方法。

一技術(shù)方案的示教系統(tǒng)包括：

載物臺(tái)，該載物臺(tái)供晶片載置；

一對(duì)臂，該一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持，且能打開(kāi)關(guān)閉；

臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述一對(duì)臂相對(duì)于所述載物臺(tái)進(jìn)行移動(dòng)；

控制部，該控制部對(duì)所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制；

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于所述一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于所述載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，

所述控制部根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，所述控制部以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式，一邊確認(rèn)基于所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)求出的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，一邊控制所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而使所述一對(duì)臂移動(dòng)。

一技術(shù)方案的示教方法包括：

接收來(lái)自在載置于載物臺(tái)上的虛設(shè)晶片安裝的虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

接收來(lái)自在一對(duì)臂安裝的臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；以及

以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使所述一對(duì)臂移動(dòng)的步驟。

一技術(shù)方案的清洗裝置包括：

載物臺(tái)，該載物臺(tái)供晶片載置；

清洗機(jī)構(gòu)，該清洗機(jī)構(gòu)對(duì)所述載物臺(tái)上的晶片進(jìn)行清洗；

一對(duì)臂，該一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持，且能打開(kāi)關(guān)閉；

臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述一對(duì)臂相對(duì)于所述載物臺(tái)進(jìn)行移動(dòng)；

控制部，該控制部對(duì)所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制；

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于所述一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于所述載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，

所述控制部根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，所述控制部以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式控制所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而使所述一對(duì)臂移動(dòng)。

一技術(shù)方案的存儲(chǔ)介質(zhì)，非暫時(shí)性(non-transitory)地存儲(chǔ)程序，

所述程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行：

接收來(lái)自在載置于載物臺(tái)上的虛設(shè)晶片安裝的虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

接收來(lái)自在一對(duì)臂安裝的臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；以及

以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使所述一對(duì)臂移動(dòng)的步驟。

一技術(shù)方案的維護(hù)套件包括：

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)。

附圖說(shuō)明

圖1是表示一實(shí)施方式的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2是從清洗部側(cè)觀察到圖1所示的基板處理裝置的側(cè)視圖。

圖3是表示圖1所示的清洗部的第一晶片工位的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分解立體圖。

圖4是表示圖1所示的清洗部的第一清洗單元的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的立體圖。

圖5a是用于對(duì)圖4所示的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第二晶片把持機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖5b是用于對(duì)圖4所示的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第二晶片把持機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖5c是用于對(duì)圖4所示的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第二晶片把持機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖5d是用于對(duì)圖4所示的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第二晶片把持機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖5e是用于對(duì)圖4所示的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的第二晶片把持機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6a是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6b是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6c是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6d是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6e是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖6f是用于對(duì)第一清洗單元的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖7是表示示教裝置的俯視圖。

圖8是表示圖7所示的示教裝置的動(dòng)作的流程圖。

圖9a是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖9b是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖10a是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖10b是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖11a是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

圖11b是用于對(duì)根據(jù)偏離量調(diào)節(jié)臂的位置的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在以下的說(shuō)明及以下的說(shuō)明中使用的附圖中，對(duì)于能相同地構(gòu)成的部分使用相同的符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。

一技術(shù)方案的示教系統(tǒng)包括：

載物臺(tái)，該載物臺(tái)供晶片載置；

一對(duì)臂，該一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持，且能打開(kāi)關(guān)閉；

臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述一對(duì)臂相對(duì)于所述載物臺(tái)進(jìn)行移動(dòng)；

控制部，該控制部對(duì)所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制；

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于所述一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于所述載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，

所述控制部根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，所述控制部以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式，一邊確認(rèn)基于所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)求出的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，一邊控制所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而使所述一對(duì)臂移動(dòng)。

根據(jù)上述示教裝置，信號(hào)接收部接收到來(lái)自臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收到來(lái)自虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)。此外，控制部根據(jù)虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)一對(duì)臂對(duì)晶片進(jìn)行把持時(shí)的臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，控制部以臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式，一邊確認(rèn)由臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)求出的臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，一邊控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而使一對(duì)臂移動(dòng)。藉此，人們不用進(jìn)行一邊通過(guò)目視對(duì)載物臺(tái)上的晶片的位置進(jìn)行確認(rèn)、一邊將一對(duì)臂引導(dǎo)至該位置這樣的繁雜的作業(yè)，就能使一對(duì)臂自動(dòng)地移動(dòng)至載物臺(tái)上的晶片的位置。因此，能顯著地縮短示教作業(yè)所需的時(shí)間，并能防止對(duì)其作業(yè)的正確性產(chǎn)生偏差。

上述示教系統(tǒng)也可以采用以下結(jié)構(gòu)：所述示教系統(tǒng)還包括靠近傳感器，該靠近傳感器安裝于所述一對(duì)臂及所述虛設(shè)晶片中的任一方或兩方，并輸出所述一對(duì)臂相對(duì)于所述虛設(shè)晶片的靠近量，

所述控制部在使所述一對(duì)臂以所述臂側(cè)位置傳感器朝所述算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式移動(dòng)之后，所述控制部控制所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而對(duì)所述一對(duì)臂的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使所述靠近量接近預(yù)先確定的值。

根據(jù)上述形態(tài)，能以比位置傳感器的測(cè)定精度更細(xì)致的精度進(jìn)行示教作業(yè)。

在上述示教裝置中，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：在所述一對(duì)臂處安裝有多個(gè)所述臂側(cè)位置傳感器。

根據(jù)上述形態(tài)，通過(guò)接收到來(lái)自各臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而分別求出各臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并將求出的位置坐標(biāo)彼此進(jìn)行比較，從而能在一對(duì)臂的組裝存在不良的情況下發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題。

在上述示教裝置中，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：所述臂側(cè)位置傳感器及所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器是三維位置傳感器。

根據(jù)上述形態(tài)，能沿著三維空間的所有方向在短時(shí)間內(nèi)、且以正確性不產(chǎn)生偏差的方式進(jìn)行示教作業(yè)。

一技術(shù)方案的示教方法包括：

接收來(lái)自在載置于載物臺(tái)上的虛設(shè)晶片安裝的虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

接收來(lái)自在一對(duì)臂安裝的臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；以及

以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使所述一對(duì)臂移動(dòng)的步驟。

根據(jù)上述示教方法，信號(hào)接收部接收到來(lái)自臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出一對(duì)臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收到來(lái)自虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)。此外，根據(jù)虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)一對(duì)臂對(duì)晶片進(jìn)行把持時(shí)的臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，以臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使一對(duì)臂移動(dòng)。藉此，人們不用進(jìn)行一邊通過(guò)目視對(duì)載物臺(tái)上的晶片的位置進(jìn)行確認(rèn)、一邊將一對(duì)臂引導(dǎo)至該位置這樣的繁雜的作業(yè)，就能使一對(duì)臂移動(dòng)至晶片的位置。因此，能顯著地縮短示教作業(yè)所需的時(shí)間，并能防止對(duì)其作業(yè)的正確性產(chǎn)生偏差。

上述示教方法也可以采用以下結(jié)構(gòu)：所述示教方法還包括以下步驟：在以所述臂側(cè)位置傳感器朝所述算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使所述一對(duì)臂移動(dòng)之后，由安裝于所述一對(duì)臂及所述虛設(shè)晶片中的任意一方或兩方的靠近傳感器取得所述一對(duì)臂相對(duì)于所述虛設(shè)晶片的靠近量，并對(duì)所述一對(duì)臂的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使所述靠近量接近預(yù)先確定的值。

根據(jù)上述形態(tài)，能以比位置傳感器的測(cè)定精度更細(xì)致的精度進(jìn)行示教作業(yè)。

在上述示教方法中，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：在所述一對(duì)臂處安裝有多個(gè)所述臂側(cè)位置傳感器。

根據(jù)上述形態(tài)，通過(guò)接收到來(lái)自各臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而分別求出各臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并將求出的位置坐標(biāo)彼此進(jìn)行比較，從而能在一對(duì)臂的組裝存在不良的情況下發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題。

在上述示教方法中，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：所述臂側(cè)位置傳感器及所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器是三維位置傳感器。

根據(jù)上述形態(tài)，能沿著三維空間的所有方向在短時(shí)間內(nèi)、且以正確性不產(chǎn)生偏差的方式進(jìn)行示教作業(yè)。

一技術(shù)方案的清洗裝置包括：

載物臺(tái)，該載物臺(tái)供晶片載置；

清洗機(jī)構(gòu)，該清洗機(jī)構(gòu)對(duì)所述載物臺(tái)上的晶片進(jìn)行清洗；

一對(duì)臂，該一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持，且能打開(kāi)關(guān)閉；

臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述一對(duì)臂相對(duì)于所述載物臺(tái)進(jìn)行移動(dòng)；

控制部，該控制部對(duì)所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作進(jìn)行控制；

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于所述一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于所述載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，

所述控制部根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并且，所述控制部以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式控制所述臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)的動(dòng)作而使所述一對(duì)臂移動(dòng)。

一技術(shù)方案的存儲(chǔ)介質(zhì)，非暫時(shí)性(non-transitory)地存儲(chǔ)程序，

所述程序使計(jì)算機(jī)執(zhí)行：

接收來(lái)自在載置于載物臺(tái)上的虛設(shè)晶片安裝的虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

接收來(lái)自在一對(duì)臂安裝的臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)、并求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；

根據(jù)所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)算出當(dāng)所述一對(duì)臂對(duì)所述晶片進(jìn)行把持時(shí)的所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)的步驟；以及

以所述臂側(cè)位置傳感器朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使所述一對(duì)臂移動(dòng)的步驟。

一技術(shù)方案的維護(hù)套件包括：

臂側(cè)位置傳感器，該臂側(cè)位置傳感器安裝于一對(duì)臂，并發(fā)送位置信號(hào)；

虛設(shè)晶片，該虛設(shè)晶片載置于載物臺(tái)上；

虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器，該虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器安裝于所述虛設(shè)晶片，并發(fā)送位置信號(hào)；以及

信號(hào)接收部，該信號(hào)接收部接收來(lái)自所述臂側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述臂側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)，并接收來(lái)自所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置信號(hào)而求出所述虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器的位置坐標(biāo)。

＜基板處理裝置＞

圖1是表示使用一實(shí)施方式的示教裝置的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2是從清洗部側(cè)觀察到圖1所示的研磨裝置的側(cè)視圖。如圖1及圖2所示，本實(shí)施方式的基板處理裝置10包括俯視觀察時(shí)呈大致矩形的外殼，外殼的內(nèi)部被隔壁劃分為加載/卸載部11、研磨部12、清洗部13及搬運(yùn)部14。上述加載/卸載部11、研磨部12、清洗部13及搬運(yùn)部14分別獨(dú)立地組裝，并獨(dú)立地被排氣。另外，在基板處理裝置10中設(shè)有控制部15(也稱為控制盤)，該控制部15對(duì)加載/卸載部11、研磨部12、清洗部13及搬運(yùn)部14的動(dòng)作進(jìn)行控制。

加載/卸載部11包括多個(gè)(圖示的例子中為四個(gè))前加載部113，在前加載部113載置對(duì)多個(gè)晶片(基板)w進(jìn)行儲(chǔ)存的晶片盒。上述前加載部113在基板處理裝置10的寬度方向(與長(zhǎng)度方向垂直的方向)上相鄰排列。在前加載部113能搭載開(kāi)放盒、smif(standardmanufacturinginterface：標(biāo)準(zhǔn)制造界面)盒、或者foup(frontopeningunifiedpod：前開(kāi)式晶片盒)。此處，smif、foup是在內(nèi)部收納晶片盒、并用隔壁覆蓋而能保持與外部空間獨(dú)立的環(huán)境的密閉容器。

另外，在加載/卸載部11沿著前加載部113的排列方向敷設(shè)有行進(jìn)機(jī)構(gòu)112，在該行進(jìn)機(jī)構(gòu)112上設(shè)置有能沿著前加載部113的排列方向移動(dòng)的搬運(yùn)用自動(dòng)裝置111。搬運(yùn)用自動(dòng)裝置111能通過(guò)在行進(jìn)機(jī)構(gòu)112上移動(dòng)而對(duì)搭載于前加載部113的晶片盒進(jìn)行存取。

搬運(yùn)部14是將研磨前的晶片從加載/卸載部11朝研磨部12搬運(yùn)的區(qū)域，搬運(yùn)部14被設(shè)成沿著基板處理裝置10的長(zhǎng)度方向延伸。在本實(shí)施方式中，搬運(yùn)部14具有滑動(dòng)載物臺(tái)(未圖示)以及載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)，該滑動(dòng)載物臺(tái)對(duì)晶片w進(jìn)行保持，該載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)使滑動(dòng)載物臺(tái)沿著長(zhǎng)度方向直線移動(dòng)。

其中，在滑動(dòng)載物臺(tái)的外周部以朝上突出的方式設(shè)有四根銷。由加載/卸載部11的搬運(yùn)用自動(dòng)裝置111載放于滑動(dòng)載物臺(tái)上的晶片w在其外周緣被四根銷引導(dǎo)而定位的狀態(tài)下支承于滑動(dòng)載物臺(tái)上。上述銷由聚丙烯(pp)、聚氯三氟乙烯(pctfe)、聚丙烯醚酮(peek)等樹(shù)脂形成。

作為載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)，例如采用使用了滾珠絲杠的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或氣缸。在使用無(wú)桿氣缸作為載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)的情況下，能防止從滑動(dòng)部發(fā)出的揚(yáng)塵，因此，是較為理想的?；瑒?dòng)載物臺(tái)固定于載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)的可動(dòng)部分，并利用從載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)施加來(lái)的動(dòng)力而沿著長(zhǎng)度方向直線移動(dòng)。

研磨部12是進(jìn)行晶片w研磨的區(qū)域，該研磨部12包括第一研磨單元20a、第二研磨單元20b、以及研磨部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)22，第一研磨單元20a具有第一研磨裝置21a和第二研磨裝置21b，第二研磨單元20b具有第三研磨裝置21c和第四研磨裝置21d，研磨部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)22被配置成與搬運(yùn)部14和第一研磨單元20a及第二研磨單元20b的各個(gè)研磨單元相鄰。研磨部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)22在基板處理裝置10的寬度方向上配置于搬運(yùn)部14與第一研磨單元20a及第二研磨單元20b之間。

第一研磨裝置21a、第二研磨裝置21b、第三研磨裝置21c及第四研磨裝置21d沿著基板處理裝置10的長(zhǎng)度方向排列。第一研磨裝置21a、第二研磨裝置21b、第三研磨裝置21c及第四研磨裝置21d分別具有研磨臺(tái)(未圖示)、頂環(huán)(未圖示)、研磨液供給噴嘴(未圖示)、修整器(未圖示)以及霧化器(未圖示)，該研磨臺(tái)安裝有具有研磨面的研磨墊，該頂環(huán)用于保持晶片w，且該頂環(huán)一邊將晶片w按壓于研磨臺(tái)上的研磨墊，一邊對(duì)該晶片w進(jìn)行研磨，該研磨液供給噴嘴用于朝研磨墊供給研磨液(也稱為漿料)、修整液(例如純水)，該修整器用于對(duì)研磨墊的研磨面進(jìn)行修整，該霧化器將液體(例如純水)和氣體(例如氮?dú)?的混合氣體或液體(例如純水)變成霧狀并噴射至研磨面。

第一研磨裝置21a的頂環(huán)因頂環(huán)頭的擺動(dòng)動(dòng)作而在研磨位置與第一基板搬運(yùn)位置tp1之間移動(dòng)，在第一基板搬運(yùn)位置tp1處進(jìn)行晶片向第一研磨裝置21a的交接。同樣地，第二研磨裝置21b的頂環(huán)因頂環(huán)頭的擺動(dòng)動(dòng)作而在研磨位置與第二基板搬運(yùn)位置tp2之間移動(dòng)，在第二基板搬運(yùn)位置tp2處進(jìn)行晶片向第二研磨裝置21b的交接，第三研磨裝置21c的頂環(huán)因頂環(huán)頭的擺動(dòng)動(dòng)作而在研磨位置與第三基板搬運(yùn)位置tp3之間移動(dòng)，在第三基板搬運(yùn)位置tp3處進(jìn)行晶片向第三研磨裝置21c的交接，第四研磨裝置21d的頂環(huán)因頂環(huán)頭的擺動(dòng)動(dòng)作而在研磨位置與第四基板搬運(yùn)位置tp4之間移動(dòng)，在第四基板搬運(yùn)位置tp4處進(jìn)行晶片向第四研磨裝置21d的交接。

研磨部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)22具有第一搬運(yùn)單元24a、第二搬運(yùn)單元24b、以及搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23，第一搬運(yùn)單元24a將晶片w搬運(yùn)至第一研磨單元20a，第二搬運(yùn)單元24b將晶片w搬運(yùn)至第二研磨單元20b，搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23配置于第一搬運(yùn)單元24a與第二搬運(yùn)單元24b之間，并在搬運(yùn)部14與第一搬運(yùn)單元24a及第二搬運(yùn)單元24b之間進(jìn)行晶片的交接。在圖示的例子中，搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23配置于基板處理裝置10的外殼的大致中央。從搬運(yùn)部14連續(xù)地搬運(yùn)至研磨部12的晶片w被搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23分配到第一搬運(yùn)單元24a及第二搬運(yùn)單元24b。

交接至第一搬運(yùn)單元24a的晶片被搬運(yùn)至第一研磨裝置21a或第二研磨裝置21b而加以研磨。然后，在第一研磨裝置21a或第二研磨裝置21b中研磨后的晶片通過(guò)第一搬運(yùn)單元24a而返回至搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23。同樣地，交接至第二搬運(yùn)單元24b的晶片被搬運(yùn)至第三研磨裝置21c或第四研磨裝置21d而加以研磨。然后，在第三研磨裝置21c或第四研磨裝置21d中研磨后的晶片通過(guò)第二搬運(yùn)單元24b而返回至搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23。搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23將從第一搬運(yùn)單元24a及第二搬運(yùn)單元24b接收到的晶片朝清洗部13搬運(yùn)。

清洗部13是對(duì)研磨后的晶片進(jìn)行清洗的區(qū)域，并具有配置于上下兩段的第一清洗單元30a及第二清洗單元30b。上述搬運(yùn)部14配置于第一清洗單元30a與第二清洗單元30b之間。第一清洗單元30a、搬運(yùn)部14及第二清洗單元30b被排列成在上下方向上重疊，因此，能獲得占用空間較小這樣的優(yōu)點(diǎn)。

如圖2所示，第一清洗單元30a具有：多個(gè)(圖示的例子中為四個(gè))清洗組件311a、312a、313a、314a；晶片工位33a；以及清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a，清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a在各清洗組件311a～314a與晶片工位33a之間搬運(yùn)晶片w。多個(gè)清洗組件311a～314a和晶片工位33a配置成沿著基板處理裝置10的長(zhǎng)度方向呈直線排列。

同樣地，第二清洗單元30b具有：多個(gè)(圖示的例子中為四個(gè))清洗組件311b、312b、313b、314b；晶片工位33b；以及清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32b，清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32b在各清洗組件311b～314b與晶片工位33b之間搬運(yùn)晶片w。多個(gè)清洗組件311b～314b和晶片工位33配置成沿著基板處理裝置10的長(zhǎng)度方向呈直線排列。

圖3是表示第一清洗單元30a的晶片工位33a的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分解立體圖。如圖3所示，晶片工位33a具有箱體71、載物臺(tái)72、以及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75，箱體71呈大致長(zhǎng)方體形狀，載物臺(tái)72配置于箱體71的內(nèi)部，并對(duì)晶片w進(jìn)行保持，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75使載物臺(tái)72上下移動(dòng)。

其中，箱體71具有底面部、四個(gè)側(cè)面板及頂面板。如圖3所示，在四個(gè)側(cè)面板中的與研磨部12相對(duì)的側(cè)面板的下端部形成有與研磨部12連通的搬入口73。能利用未圖示的閘門打開(kāi)關(guān)閉搬入口73。研磨部12的搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23能從搬入口73對(duì)箱體71的內(nèi)側(cè)進(jìn)行存取。

另外，如圖3所示，在四個(gè)側(cè)面板中的其余三個(gè)側(cè)面板(即，與后述的第一清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a相對(duì)的側(cè)面板及左右的側(cè)面板)的比搬入口73高的高度位置形成有用于供清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a的臂通過(guò)的臂通過(guò)用開(kāi)口74。能利用未圖示的閘門打開(kāi)關(guān)閉晶片搬運(yùn)用開(kāi)口74。如圖3所示，第一清洗單元30a的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a能從臂通過(guò)用開(kāi)口74對(duì)箱體71的內(nèi)側(cè)進(jìn)行存取。

作為驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75，例如采用使用了滾珠絲杠的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或氣缸。載物臺(tái)72固定于驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75的可動(dòng)部，并利用從驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75施加來(lái)的動(dòng)力在與搬入口73相對(duì)的高度位置和與晶片搬運(yùn)用開(kāi)口74相對(duì)的高度位置之間上下移動(dòng)。

在載物臺(tái)72的外周部以朝上突出的方式設(shè)有四根銷76。因此，載放于載物臺(tái)72上的晶片w在其外周緣被四根銷76引導(dǎo)而定位的狀態(tài)下支承于載物臺(tái)72上。上述銷76由聚丙烯(pp)、聚氯三氟乙烯(pctfe)、聚丙烯醚酮(peek)等樹(shù)脂形成。

第二清洗單元30b的結(jié)構(gòu)也與第一清洗單元30a的結(jié)構(gòu)相同，因此，省略說(shuō)明。

第二清洗單元30b的清洗組件311b～314b具有與第一清洗單元30a的清洗組件311a～314a相同的結(jié)構(gòu)，因此，以下，對(duì)第一清洗單元30a的清洗組件311a～314a進(jìn)行說(shuō)明。

如圖2所示，四個(gè)清洗組件311a～314a(以下有時(shí)稱為一次～四次清洗組件)配置成從晶片工位33a起依次呈直線排列。各清洗組件311a～314a分別具有未圖示的清洗機(jī)和將該清洗機(jī)蓋住的箱體91(參照?qǐng)D5a～圖5e)。

作為一次清洗組件311a及二次清洗組件312a的清洗機(jī)，例如能使用使上下配置的輥狀的海綿旋轉(zhuǎn)并將該海綿按壓于晶片的表面及背面而對(duì)晶片的表面及背面進(jìn)行清洗的輥型的清洗機(jī)。另外，作為三次清洗組件313a的清洗機(jī)，例如能使用使半球狀的海綿旋轉(zhuǎn)并將該海綿按壓于晶片而進(jìn)行清洗的筆型的清洗機(jī)。作為四次清洗組件314a的清洗機(jī)，例如，晶片的背面可進(jìn)行漂洗清洗，晶片表面的清洗能使用使半球狀的海綿旋轉(zhuǎn)并將該海綿按壓于晶片表面來(lái)對(duì)晶片表面進(jìn)行清洗的筆型的清洗機(jī)。該四次清洗組件314a的清洗機(jī)包括使夾住的晶片高速旋轉(zhuǎn)的載物臺(tái)，并具有通過(guò)使晶片高速旋轉(zhuǎn)而使清洗后的晶片干燥的功能(旋轉(zhuǎn)干燥功能)。另外，在各清洗組件311a～314a的清洗機(jī)中，除了上述輥型的清洗機(jī)和筆型的清洗機(jī)之外，也可以附加地設(shè)置對(duì)清洗液施加超聲波來(lái)進(jìn)行清洗的兆聲波型的清洗機(jī)。

第二清洗單元30b的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32b具有與第一清洗單元30a的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a相同的結(jié)構(gòu)，因此，以下，對(duì)第一清洗單元30a的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a進(jìn)行說(shuō)明。

圖4是表示第一清洗單元30a的清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)33a的立體圖。如圖4所示，清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a具有：分別對(duì)晶片w進(jìn)行把持的第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602；以及臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62，臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62使第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著多個(gè)清洗組件311a～314a的排列方向直線移動(dòng)。即，在本實(shí)施方式中，晶片把持機(jī)構(gòu)601、602的數(shù)量比清洗組件311a～314a的數(shù)量少。

在本實(shí)施方式中，能根據(jù)例如晶片w的清潔度而分開(kāi)使用第一晶片把持機(jī)構(gòu)601和第二晶片把持機(jī)構(gòu)602。例如，在一次～四次清洗組件311a～314a中的清洗處理前半期的一次清洗組件311a及二次清洗組件312a中，使用第一晶片把持機(jī)構(gòu)601，在清洗處理后半期的三次清洗組件313a及四次清洗組件314a中，使用第二晶片把持機(jī)構(gòu)602，從而能防止清洗處理后半期的晶片w與第一晶片把持機(jī)構(gòu)601接觸而被污染。

更詳細(xì)而言，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601具有一對(duì)第一臂611、第一上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)641、第一轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)631、以及第一開(kāi)閉機(jī)構(gòu)661，一對(duì)第一臂611能對(duì)晶片進(jìn)行把持且能打開(kāi)關(guān)閉，第一上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)641使一對(duì)第一臂611上下移動(dòng)，第一轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)631使一對(duì)第一臂611以與開(kāi)閉方向平行的轉(zhuǎn)動(dòng)軸631a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，第一開(kāi)閉機(jī)構(gòu)661使一對(duì)第一臂611在彼此靠近的方向或者彼此分離的方向上打開(kāi)關(guān)閉。

同樣地，第二晶片把持機(jī)構(gòu)602具有一對(duì)第二臂612、第二上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)642、第二轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632、以及第二開(kāi)閉機(jī)構(gòu)662，一對(duì)第二臂612能對(duì)晶片進(jìn)行把持且能打開(kāi)關(guān)閉，第二上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)642使一對(duì)第二臂612上下移動(dòng)，第二轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632使一對(duì)第二臂612以與開(kāi)閉方向平行的轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，第二開(kāi)閉機(jī)構(gòu)662使一對(duì)第二臂612在彼此靠近的方向或者彼此分離的方向上打開(kāi)關(guān)閉。

作為機(jī)械手移動(dòng)機(jī)構(gòu)62，例如采用使用了滾珠絲杠的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的滾珠絲杠以在清洗組件311a～314a的排列方向上延伸的方式設(shè)于清洗組件311a～314a的上方。

接著，參照?qǐng)D5a～圖5e，對(duì)一對(duì)第二臂612的動(dòng)作的一例進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，各清洗組件由箱體91劃分成在晶片w的清洗中不使使用流體飛散至外部，在箱體91的側(cè)面形成有臂通過(guò)用開(kāi)口94。在臂通過(guò)用開(kāi)口94處設(shè)有能打開(kāi)關(guān)閉的閘門97。

在從箱體91取出清洗后的晶片的情況下，如圖5a所示，前端朝向上方的一對(duì)第二臂612通過(guò)臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)而朝與箱體91相鄰的待機(jī)位置移動(dòng)。在本實(shí)施方式中，即便箱體91的閘門97關(guān)閉，通過(guò)使一對(duì)第二臂612的前端朝向上方，也能使一對(duì)第二臂612朝與箱體91相鄰的待機(jī)位置移動(dòng)。因此，能使晶片取出作業(yè)的開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)提前，并能提高工藝整體的生產(chǎn)量。

接著，如圖5b及圖5c所示，通過(guò)第二轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632的驅(qū)動(dòng)使一對(duì)第二臂612以轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。在圖示的例子中，一對(duì)第二臂612在側(cè)視觀察時(shí)以轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心順時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°，一對(duì)第二臂612的前端朝向橫向。

接著，如圖5d所示，通過(guò)第二上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)642的驅(qū)動(dòng)使一對(duì)第二臂612上升至與臂通過(guò)用開(kāi)口94相同的高度位置。此時(shí)，閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94。

接著，如圖5e所示，通過(guò)第二開(kāi)閉機(jī)構(gòu)662的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第二臂612朝彼此靠近的方向關(guān)閉，并穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而插入至箱體91內(nèi)側(cè)，并對(duì)箱體91內(nèi)的晶片w進(jìn)行把持。然后，把持晶片w的一對(duì)第二臂612通過(guò)臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32的驅(qū)動(dòng)而朝下個(gè)清洗組件移動(dòng)。

在將清洗前的晶片w搬入至箱體91的情況下，以相反的順序進(jìn)行圖5a～圖5e所示的上述動(dòng)作。即，如圖5e所示，把持晶片w的一對(duì)第二臂612通過(guò)臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32的驅(qū)動(dòng)穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而移動(dòng)至箱體91內(nèi)側(cè)。

接著，如圖5d所示，通過(guò)第二開(kāi)閉機(jī)構(gòu)662的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第二臂612朝彼此分離的方向打開(kāi)，并穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而移動(dòng)至箱體91的外側(cè)。

接著，如圖5c所示，通過(guò)第二上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)642的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第二臂612下降至比臂通過(guò)用開(kāi)口94低的高度位置。此時(shí)，臂通過(guò)用開(kāi)口94被閘門97關(guān)閉，箱體91的內(nèi)側(cè)開(kāi)始晶片w的清洗處理。

接著，如圖5b及圖5a所示，通過(guò)第二轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632的驅(qū)動(dòng)使一對(duì)第二臂612以轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。在圖示的例子中，一對(duì)第二臂612在側(cè)視觀察時(shí)以轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°，一對(duì)第二臂612的前端朝向上方。然后，前端朝向上方的一對(duì)第二臂612通過(guò)臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32的驅(qū)動(dòng)而朝下個(gè)清洗組件移動(dòng)。在本實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632使一對(duì)第二臂612以前端朝向上方的方式轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，第二上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)642使一對(duì)第二臂612下降，因此，能在一對(duì)第二臂612的上方削減所需的空間。

接著，對(duì)使用由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的清洗部13清洗晶片w的處理的一例進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，從研磨部12搬運(yùn)至清洗部13的晶片w被搬運(yùn)用自動(dòng)裝置23分配至第一清洗單元30a及第二清洗單元30b，并在第一清洗單元30a及第二清洗單元30b處并行地被清洗。因此，能提高工藝整體的生產(chǎn)量。

第二清洗單元30b中的晶片清洗處理與第一清洗單元30a中的晶片清洗處理相同，因此，以下，對(duì)第一清洗單元30a中的晶片清洗處理進(jìn)行說(shuō)明。

如圖6a所示，首先，在一對(duì)第一臂611及一對(duì)第二臂612的前端分別朝向上方的狀態(tài)下，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著第一清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，一對(duì)第一臂611在與第一晶片工位33a相鄰的待機(jī)位置處?kù)o止。然后，通過(guò)第一轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)631的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第一臂611以轉(zhuǎn)動(dòng)軸631a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，一對(duì)第一臂611的前端朝向橫向。在第一晶片工位33a的閘門退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口74之后，一對(duì)第一臂611穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口74而插入至第一晶片工位33a的內(nèi)側(cè)，對(duì)保持于載物臺(tái)72上的晶片w進(jìn)行把持。在晶片w把持于一對(duì)第一臂611之后，載物臺(tái)72退避至下方。

接著，如圖6b所示，在一次清洗組件311a的閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94之后，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，把持于一對(duì)第一臂611的晶片w被從第一晶片工位33a朝一次清洗組件311a搬運(yùn)，并交接至一次清洗組件311a的清洗機(jī)。接著，在一對(duì)第一臂611被向外移動(dòng)至一次清洗組件311a的箱體91的外側(cè)之后，臂通過(guò)用開(kāi)口94被閘門97關(guān)閉，在一次清洗組件311a的清洗機(jī)中對(duì)晶片w進(jìn)行清洗。

在一次清洗組件311a中的清洗處理結(jié)束之后，閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94。一對(duì)第一臂611穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而插入至一次清洗組件311a的箱體91的內(nèi)側(cè)，并對(duì)在清洗機(jī)中清洗后的晶片w進(jìn)行把持。

接著，如圖6c所示，在二次清洗組件312a的閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94之后，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，把持于一對(duì)第一臂611的晶片w被從一次清洗組件311a朝二次清洗組件312a搬運(yùn)，并交接至二次清洗組件312a的清洗機(jī)。接著，在一對(duì)第一臂611被向外移動(dòng)至二次清洗組件312a的箱體91的外側(cè)之后，臂通過(guò)用開(kāi)口94被閘門97關(guān)閉，在二次清洗組件312a的清洗機(jī)中對(duì)晶片w進(jìn)行清洗。

接著，如圖6d所示，通過(guò)第一轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)631的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第一臂611以轉(zhuǎn)動(dòng)軸631a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，一對(duì)第一臂611的前端朝向上方。然后，在一對(duì)第一臂611及一對(duì)第二臂612的前端分別朝向上方的狀態(tài)下，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著第一清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，一對(duì)第二臂612在與二次清洗組件312a相鄰的待機(jī)位置處?kù)o止。通過(guò)第二轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)632的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第二臂612以轉(zhuǎn)動(dòng)軸632a為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，一對(duì)第二臂612的前端朝向橫向。

在二次清洗組件312a中的清洗處理結(jié)束之后，閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94。一對(duì)第二臂612穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而插入至二次清洗組件312a的箱體91的內(nèi)側(cè)，并對(duì)在清洗機(jī)中清洗后的晶片w進(jìn)行把持。

這樣，在本實(shí)施方式中，二次清洗組件312a中的清洗前的晶片w由一對(duì)第一臂611把持并搬運(yùn)，二次清洗組件312a中的清洗后的晶片w由一對(duì)第二臂612把持并搬運(yùn)。即，在二次清洗組件312a中，對(duì)臂進(jìn)行更換。藉此，能防止一對(duì)第一臂611與二次清洗組件312a中的清洗后的晶片w接觸而導(dǎo)致該晶片w被污染。

接著，如圖6e所示，在三次清洗組件313a的閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94之后，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，把持于一對(duì)第二臂612的晶片w被從二次清洗組件312a朝三次清洗組件313a搬運(yùn)，并交接至三次清洗組件313a的清洗機(jī)。接著，在一對(duì)第二臂612被向外移動(dòng)至三次清洗組件313a的箱體91的外側(cè)之后，臂通過(guò)用開(kāi)口94被閘門97關(guān)閉，在三次清洗組件313a的清洗機(jī)中對(duì)晶片w進(jìn)行清洗。

在三次清洗組件313a中的清洗處理結(jié)束之后，閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94。一對(duì)第二臂612穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而插入至三次清洗組件313a的箱體91的內(nèi)側(cè)，并對(duì)在清洗機(jī)中清洗后的晶片w進(jìn)行把持。

接著，如圖6f所示，在四次清洗組件314a的閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94之后，通過(guò)機(jī)械手搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62的驅(qū)動(dòng)，第一晶片把持機(jī)構(gòu)601及第二晶片把持機(jī)構(gòu)602沿著清洗組件311a～314a的排列方向移動(dòng)，把持于一對(duì)第二臂612的晶片w被從三次清洗組件313a朝四次清洗組件314a搬運(yùn)，并交接至四次清洗組件314a的清洗機(jī)。接著，在一對(duì)第二臂612被向外移動(dòng)至四次清洗組件314a的箱體91的外側(cè)之后，臂通過(guò)用開(kāi)口94被閘門97關(guān)閉，在四次清洗組件314a的清洗機(jī)中對(duì)晶片w進(jìn)行清洗。

在四次清洗組件314a中的清洗處理結(jié)束之后，閘門97退避而打開(kāi)臂通過(guò)用開(kāi)口94。上述加載/卸載部11的搬運(yùn)用自動(dòng)裝置111的機(jī)械手穿過(guò)臂通過(guò)用開(kāi)口94而插入至四次清洗組件314a的箱體91的內(nèi)側(cè)，清洗機(jī)中清洗后的晶片w被取出到加載/卸載部11。

＜示教裝置＞

接著，對(duì)由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的清洗部13的第一清洗單元30a及第二清洗單元30b中進(jìn)行示教作業(yè)的示教裝置進(jìn)行說(shuō)明。另外，第二清洗單元30b中進(jìn)行示教作業(yè)的示教裝置具有與第一清洗單元30a中進(jìn)行示教作業(yè)的示教裝置相同的結(jié)構(gòu)，因此，以下，對(duì)在第一清洗單元30a中進(jìn)行示教作業(yè)的示教裝置進(jìn)行說(shuō)明。

圖7是表示本實(shí)施方式的示教裝置40的俯視圖。如圖7所示，示教裝置40具有載物臺(tái)41、一對(duì)臂611、臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49、以及控制部15，載物臺(tái)41供晶片w載置，一對(duì)臂611能打開(kāi)關(guān)閉，且對(duì)晶片w進(jìn)行把持，臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49使一對(duì)臂611相對(duì)于載物臺(tái)41進(jìn)行移動(dòng)，該控制部15對(duì)臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作進(jìn)行控制。

其中，載物臺(tái)41設(shè)置于上述第一清洗單元30a的各清洗組件311a～314a的箱體91內(nèi)。在載物臺(tái)41的上表面設(shè)有突起41p，通過(guò)形成于晶片w的周緣部的凹口與突起41p卡合，載置于載物臺(tái)41上的晶片w唯一地定位于預(yù)先確定的清洗位置。

臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49在上述清洗部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)32a中由臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62、縱深方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)67、上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)641及開(kāi)閉機(jī)構(gòu)661構(gòu)成，其中，臂搬運(yùn)機(jī)構(gòu)62使一對(duì)臂611在長(zhǎng)度方向(也稱為x方向)上移動(dòng)，縱深方向移動(dòng)機(jī)構(gòu)67使一對(duì)臂611在縱深方向(也稱為y方向)上移動(dòng)，上下移動(dòng)機(jī)構(gòu)641使一對(duì)臂611在上下方向(也稱為y方向)上移動(dòng)，開(kāi)閉機(jī)構(gòu)661使一對(duì)臂611打開(kāi)關(guān)閉。因此，臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49能使一對(duì)臂611分別在x方向、y方向及z方向上移動(dòng)，并使一對(duì)臂611打開(kāi)關(guān)閉。

示教裝置40還具有四個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a～43d、虛設(shè)晶片48、虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42、以及信號(hào)接收部46，四個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a～43d安裝于一對(duì)臂611，并發(fā)送位置信號(hào)，虛設(shè)晶片48載置于載物臺(tái)41上，虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42安裝于虛設(shè)晶片48，并發(fā)送位置信號(hào)，信號(hào)接收部46接收到來(lái)自各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置信號(hào)而求出各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)，并接收到來(lái)自虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置信號(hào)而求出虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)。

虛設(shè)晶片48具有與晶片w相同的形狀。在虛設(shè)晶片48的周緣部形成有凹口48n，通過(guò)周緣部的凹口與載物臺(tái)41的上表面的突起41p卡合，載置于載物臺(tái)41上的虛設(shè)晶片48唯一地定位于與晶片w的清洗位置相同的位置。

在本實(shí)施方式中，臂側(cè)位置傳感器43a～43d及虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42是三維位置傳感器。作為三維位置傳感器，例如使用了本身是公知的磁方式的三維位置傳感器(也稱為三維磁傳感器)。

在圖示的例子中，虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42安裝于虛設(shè)晶片48的中心。另外，四個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a～43d中的兩個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a、43b以在y方向上分離的方式安裝于一方的臂611上，其余兩個(gè)臂側(cè)位置傳感器43c、43d以在y方向上分離的方式安裝于另一方的臂611上。

另外，示教裝置40還包括靠近傳感器44a～44d、45a～45d，傳感器44a～44d、45a～45d安裝于一對(duì)臂611及虛設(shè)晶片48中的任一方或兩方，并輸出一對(duì)臂611相對(duì)于虛設(shè)晶片48的靠近量。

作為靠近傳感器44a～44d、45a～45d，使用了例如光學(xué)式靠近傳感器。在圖示的例子中，安裝于一對(duì)臂611的四個(gè)靠近傳感器44a～44d為發(fā)光部，安裝于虛設(shè)晶片48的四個(gè)靠近傳感器45a～45d為受光部。四個(gè)靠近傳感器(受光部)45a～45d以彼此在周向上各自分離90°的方式安裝于虛設(shè)晶片48的下表面的周緣部。另外，四個(gè)靠近傳感器(發(fā)光部)43a～43d中的兩個(gè)靠近傳感器(發(fā)光部)44a、44b以在y方向上分離的方式安裝于一方的臂611上，其余兩個(gè)臂側(cè)位置傳感器44c、44d以在y方向上分離的方式安裝于另一方的臂611上。四個(gè)靠近傳感器(受光部)45a～45d將受光量作為“靠近量”加以輸出。

控制部15根據(jù)虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)算出當(dāng)一對(duì)臂611對(duì)載物臺(tái)41上的晶片w進(jìn)行把持時(shí)的各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)p1～p4。例如，在各臂側(cè)位置傳感器43a～43d安裝于一對(duì)臂611的與把持部件相同的位置的情況下，控制部15算出當(dāng)一對(duì)臂611對(duì)載物臺(tái)41上的晶片w進(jìn)行把持時(shí)的晶片w的周緣部的與把持部件接觸的點(diǎn)的位置坐標(biāo)以作為p1～p4。

此外，控制部15以各臂側(cè)位置傳感器43a～43d朝算出的位置坐標(biāo)p1～p4移動(dòng)的方式對(duì)臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作進(jìn)行控制，以使一對(duì)臂611移動(dòng)。藉此，人們不用進(jìn)行一邊通過(guò)目視對(duì)載物臺(tái)41上的晶片w的位置進(jìn)行確認(rèn)、一邊將一對(duì)臂611引導(dǎo)至該位置這樣的繁雜的作業(yè)，就能使一對(duì)臂611自動(dòng)地移動(dòng)至載物臺(tái)41上的晶片w的位置。

另外，控制部15預(yù)先求出當(dāng)一對(duì)臂611對(duì)載物臺(tái)41上的虛設(shè)晶片48進(jìn)行把持時(shí)的四個(gè)靠近傳感器(受光部)45a～45d中的受光量(靠近量)并加以存儲(chǔ)。

此外，在使一對(duì)臂611以臂側(cè)位置傳感器43a～43d朝算出的位置坐標(biāo)p1～p4移動(dòng)的方式移動(dòng)之后，控制部15取得由靠近傳感器(受光部)45a～45d輸出的靠近量，并控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而對(duì)一對(duì)臂611的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使該靠近量接近預(yù)先確定的值(預(yù)先存儲(chǔ)的值)。

例如圖9a所示，在一對(duì)臂611的中心相對(duì)于虛設(shè)晶片42的中心朝左側(cè)(－x方向)偏離配置的情況下，左側(cè)的靠近傳感器(受光部)45a、45b和左側(cè)的靠近傳感器(發(fā)光部)44a、44b過(guò)度分離，右側(cè)的靠近傳感器(受光部)45c、45d和右側(cè)的靠近傳感器(發(fā)光部)44c、44d過(guò)度接近。因此，左側(cè)的靠近傳感器(受光部)45a、45b中的受光量比預(yù)先儲(chǔ)存于控制部15的值小，右側(cè)的靠近傳感器(受光部)45c、45d中的受光量比預(yù)先儲(chǔ)存于控制部15的值大。

在該情況下，如圖9b所示，控制部15控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而將一對(duì)臂611的中心位置調(diào)節(jié)至右側(cè)(+x方向)，以使各靠近傳感器(受光部)45a～45d中的受光量接近預(yù)先存儲(chǔ)的值。

另外，如圖10a所示，在一對(duì)臂611的中心相對(duì)于虛設(shè)晶片42的中心朝跟前側(cè)(－y方向)偏離配置的情況下，跟前側(cè)的靠近傳感器(受光部)45b、45d和跟前側(cè)的靠近傳感器(發(fā)光部)44b、44d過(guò)度分離，里側(cè)的靠近傳感器(受光部)45a、45c和里側(cè)的靠近傳感器(發(fā)光部)44a、44c過(guò)度接近。因此，跟前側(cè)的靠近傳感器(受光部)45b、45d中的受光量比預(yù)先儲(chǔ)存于控制部15的值小，里側(cè)的靠近傳感器(受光部)45a、45c中的受光量比預(yù)先儲(chǔ)存于控制部15的值大。

在該情況下，如圖10b所示，控制部15控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而將一對(duì)臂611的中心位置調(diào)節(jié)至里側(cè)(+y方向)，以使各靠近傳感器(受光部)45a～45d中的受光量接近預(yù)先存儲(chǔ)的值。

另外，如圖11a所示，在一對(duì)臂611的中心相對(duì)于虛設(shè)晶片42的中心朝下側(cè)(－z方向)偏離配置的情況下，所有的靠近傳感器(受光部)45b、45d過(guò)度遠(yuǎn)離所有的靠近傳感器(發(fā)光部)44b、44d。因此，所有的靠近傳感器(受光部)45b、45d的受光量比預(yù)先儲(chǔ)存于控制部15的值小。

在該情況下，如圖11b所示，控制部15控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而將一對(duì)臂611的中心位置調(diào)節(jié)至上側(cè)(+z方向)，以使各靠近傳感器(受光部)45a～45d中的受光量接近預(yù)先存儲(chǔ)的值。

通過(guò)這樣根據(jù)靠近傳感器44a～44d、45a～45d輸出的靠近量(受光量)調(diào)節(jié)一對(duì)臂611的位置，能以比位置傳感器42及43a～43d的測(cè)定精度更細(xì)致的精度進(jìn)行示教作業(yè)。

另外，通過(guò)對(duì)來(lái)自各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)彼此進(jìn)行比較，控制部15評(píng)價(jià)出一對(duì)臂611的組裝狀態(tài)。例如，在左側(cè)的兩個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a、43b的y坐標(biāo)彼此不同的情況下，控制部15判斷出左側(cè)的臂611被組裝成相對(duì)于y方向傾斜地彎曲而發(fā)出聲音、光等以喚起作業(yè)者的注意。

接著，參照?qǐng)D8，對(duì)由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成的示教裝置40的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

首先，作為準(zhǔn)備階段，通過(guò)作業(yè)者的手動(dòng)作業(yè)，將安裝有虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的虛設(shè)晶片48載置于載物臺(tái)41上。然后，作業(yè)者按下設(shè)于控制部15的自動(dòng)指示開(kāi)始按鈕。

此時(shí)，信號(hào)接收部46接收到來(lái)自在載置于載物臺(tái)41上的虛設(shè)晶片48安裝的虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置信號(hào)，并求出虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)(步驟s1)。

另外，信號(hào)接受部46接收到來(lái)自安裝于一對(duì)臂611的各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置信號(hào)，并求出各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)(步驟s2)。

接著，控制部15從信號(hào)接收部46取得虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)，并根據(jù)該位置坐標(biāo)算出當(dāng)一對(duì)臂611對(duì)晶片w進(jìn)行把持時(shí)的各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)p1～p4(步驟s3)。

然后，控制部15以各臂側(cè)位置傳感器43a～43d朝算出的位置坐標(biāo)p1～p4移動(dòng)的方式控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而使一對(duì)臂611移動(dòng)(步驟s4)。

接著，控制部15從安裝于臂611及虛設(shè)晶片42的靠近傳感器44a～44d、45a、45d取得一對(duì)臂611相對(duì)于虛設(shè)晶片42的靠近量(步驟s5)。

然后，控制部15對(duì)取得的靠近量是否與預(yù)先確定的值(預(yù)先存儲(chǔ)的值)偏離進(jìn)行判斷(步驟s6)。在步驟s6中判斷為未偏離的情況下，結(jié)束示教裝置40的動(dòng)作。另一方面，在步驟s6中判斷為偏離的情況下，控制部15根據(jù)偏離量控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而調(diào)節(jié)一對(duì)臂611的位置(步驟s7)。然后，返回至步驟s5重新進(jìn)行。

如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的示教裝置40，信號(hào)接收部46接收到來(lái)自臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置信號(hào)而求出臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)，并接收到來(lái)自虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置信號(hào)而求出虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)。此外，控制部15根據(jù)虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42的位置坐標(biāo)算出當(dāng)一對(duì)臂611對(duì)晶片w進(jìn)行把持時(shí)的臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)，并以臂側(cè)位置傳感器43a～43d朝算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而使一對(duì)臂611移動(dòng)。藉此，人們不用進(jìn)行一邊通過(guò)目視對(duì)載物臺(tái)41上的晶片w的位置進(jìn)行確認(rèn)、一邊將一對(duì)臂611引導(dǎo)至該位置這樣的繁雜的作業(yè)，就能使一對(duì)臂611自動(dòng)地移動(dòng)至載物臺(tái)41上的晶片w的位置。因此，能顯著地縮短示教作業(yè)所需的時(shí)間，并能防止對(duì)其作業(yè)的正確性產(chǎn)生偏差。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在控制部15以臂側(cè)位置傳感器43a～43d朝上述算出的位置坐標(biāo)移動(dòng)的方式使一對(duì)臂611移動(dòng)之后，控制部15控制臂移動(dòng)機(jī)構(gòu)49的動(dòng)作而對(duì)一對(duì)臂611的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使靠近傳感器44a～44d、45a～45d所輸出的靠近量接近預(yù)先確定的值，因此，能以比位置傳感器42、43a～43d的測(cè)定精度更細(xì)致的精度進(jìn)行示教作業(yè)。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在一對(duì)臂611安裝有多個(gè)臂側(cè)位置傳感器43a～43d。因此，通過(guò)接收到來(lái)自各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置信號(hào)而分別求出各臂側(cè)位置傳感器43a～43d的位置坐標(biāo)，并將求出的位置坐標(biāo)彼此進(jìn)行比較，從而能在一對(duì)臂611的組裝存在不良的情況下發(fā)現(xiàn)該問(wèn)題。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，臂側(cè)位置傳感器43a～43d及虛設(shè)晶片側(cè)位置傳感器42是三維位置傳感器，因此，能沿著三維空間的所有方向(即，x方向、y方向及z方向)在短時(shí)間內(nèi)、且以正確性不產(chǎn)生偏差的方式進(jìn)行示教作業(yè)。

另外，在本實(shí)施方式中，靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d安裝于一對(duì)臂611，靠近傳感器(受光部)45a～45d安裝于虛設(shè)晶片48，但并不限定于此，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：靠近傳感器(受光部)45a～45d安裝于一對(duì)臂611，靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d安裝于虛設(shè)晶片48。另外，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d及靠近傳感器(受光部)45a～45d都安裝于一對(duì)臂611，在虛設(shè)晶片48處安裝將從靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d輸出的光朝靠近傳感器(受光部)45a～45d反射的鏡子?；蛘撸部梢圆捎靡韵陆Y(jié)構(gòu)：靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d及靠近傳感器(受光部)45a～45d都安裝于虛設(shè)晶片48，在一對(duì)臂611安裝將從靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d輸出的光朝靠近傳感器(受光部)45a～45d反射的鏡子。

另外，也可以采用以下結(jié)構(gòu)：四組靠近傳感器(發(fā)光部)44a～44d及(受光部)45a～44d中的至少一組以與x方向平行地交換光的方式相對(duì)，至少另一組以與y方向平行地交換光的方式相對(duì)，至少又一組以與z方向平行地交換光的方式相對(duì)。

另外，在上述實(shí)施方式中，以研磨晶片的研磨裝置為例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于研磨裝置，也能適用于其他基板處理裝置。例如，也可以將多個(gè)研磨單元置換為其他基板處理單元(例如電鍍處理單元、cvd單元等的成膜處理單元，濕式蝕刻單元、干式蝕刻單元等)，以構(gòu)成與研磨裝置不同的基板處理裝置。另外，也可以將不同的多個(gè)基板處理單元組合并將它們沿規(guī)定的方向排列配置。

至此，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然可以在該技術(shù)思想的范圍內(nèi)以各種不同的形態(tài)加以實(shí)施。