本發(fā)明涉及薄膜制備領(lǐng)域，具體公開了一種鍍膜雙修正葉的設(shè)計方法。

背景技術(shù)：

在蒸發(fā)鍍膜的過程中，修正葉通過遮擋蒸發(fā)源的一部分蒸發(fā)角來調(diào)整腔體內(nèi)模料分布，從而選擇性地改變蒸鍍到基片上的模料數(shù)量，已達到鍍膜具有均勻的膜厚，修正葉的修正過程即是確定修正葉對蒸發(fā)源的遮擋角的過程。

現(xiàn)有技術(shù)中，鍍膜過程往往涉及兩種以上的模料，因而鍍膜機腔內(nèi)設(shè)有多個蒸發(fā)源，每個蒸發(fā)源都對應(yīng)有一個修正葉，不同蒸發(fā)源在蒸鍍的時候，修正葉都會進行對應(yīng)的升降切換，確保鍍膜厚度的均勻性，但修正葉在升降的過程中，修正葉頻繁運動會提高修正葉氣缸的使用，降低修正葉氣缸的壽命，同時增加了加工成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)問題，提供一種鍍膜雙修正葉的設(shè)計方法，能夠降低修正葉氣缸的活動頻率，延長修正葉氣缸的壽命，降低加工成本。

為解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明公開一種鍍膜雙修正葉的設(shè)計方法，包括以下步驟：設(shè)置鍍膜機中包括第一蒸發(fā)源、第二蒸發(fā)源，第一蒸發(fā)源正上方設(shè)有第一修正葉，第二蒸發(fā)源正上方設(shè)有第二修正葉，第一修正葉與第二修正葉的上方設(shè)有基片；設(shè)第一蒸發(fā)源位于左側(cè)、第二蒸發(fā)源位于右側(cè)，第一蒸發(fā)源到基片右端的蒸發(fā)路徑與基片法線成α角，以第一蒸發(fā)源為頂點、α角為頂角與基片形成第一直角三角形，第二蒸發(fā)源到基片右端的蒸發(fā)路徑與基片法線成β角，以第二蒸發(fā)源為頂點、β角為頂角與基片形成第二直角三角形；第一修正葉位于第二直角三角形的斜邊外側(cè)，第二修正葉位于第一直角三角形的斜邊外側(cè)，鍍膜時，第一修正葉和第二修正葉始終處于開啟狀態(tài)且位置都不會改變。

進一步的，第一修正葉與第二修正葉的高度位置相等。

進一步的，第一修正葉沿第二直角三角形的斜邊設(shè)置。

進一步的，第二修正葉沿第一直角三角形的斜邊設(shè)置。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明公開一種鍍膜雙修正葉的設(shè)計方法，在鍍膜時，固定設(shè)置兩修正葉的位置，能夠降低修正葉氣缸的活動頻率、提高修正葉氣缸的壽命、減少漏氣異常，同時設(shè)置兩修正葉的位置合理，能提高鍍膜的均勻性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的效果示意圖。

附圖標記為：第一蒸發(fā)源11、第二蒸發(fā)源12、第一修正葉21、第二修正葉22、基片30、第一直角三角形41、第二直角三角形42。

具體實施方式

為能進一步了解本發(fā)明的特征、技術(shù)手段以及所達到的具體目的、功能，下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

參考圖1。

本發(fā)明公開一種鍍膜雙修正葉的設(shè)計方法，包括以下步驟：設(shè)置鍍膜機中包括第一蒸發(fā)源11、第二蒸發(fā)源12，第一蒸發(fā)源11正上方設(shè)有第一修正葉21，第二蒸發(fā)源12正上方設(shè)有第二修正葉22，第一修正葉21與第二修正葉22的上方設(shè)有基片30；設(shè)第一蒸發(fā)源11位于左側(cè)、第二蒸發(fā)源12位于右側(cè)，第一蒸發(fā)源11到基片30右端的蒸發(fā)路徑與基片30法線成α角，以第一蒸發(fā)源11為頂點、α角為頂角與基片30形成第一直角三角形41，第二蒸發(fā)源12到基片30右端的蒸發(fā)路徑與基片30法線成β角，以第二蒸發(fā)源12為頂點、β角為頂角與基片30形成第二直角三角形42；第一修正葉21位于第二直角三角形42的斜邊外側(cè)，第二修正葉22位于第一直角三角形41的斜邊外側(cè)，優(yōu)選地，第一修正葉21沿第二直角三角形42的斜邊設(shè)置，第二修正葉22沿第一直角三角形41的斜邊設(shè)置，一般設(shè)置第一修正葉21與第二修正葉22的高度位置相等，鍍膜時，第一修正葉21和第二修正葉22始終處于開啟狀態(tài)且位置都不會改變。

第一修正葉21設(shè)置于第二直角三角形42的斜邊外側(cè)，第一蒸發(fā)源11蒸發(fā)時，只有第一修正葉21對第一蒸發(fā)源11往基片30上蒸發(fā)鍍膜進行修正，第二修正葉22不會對第一蒸發(fā)源11產(chǎn)生影響，第二蒸發(fā)源12蒸發(fā)時，只有第二修正葉22對第二蒸發(fā)源12往基片30上蒸發(fā)鍍膜進行修正，第一修正葉21不會對第二蒸發(fā)源12產(chǎn)生影響，使得整體的鍍膜均勻度好，第一修正葉21和第二修正葉22始終處于開啟的狀態(tài)，在鍍膜過程中不會有升降動作，能夠有效延長修正葉氣缸的壽命。

例如，設(shè)置37層鍍膜時，傳統(tǒng)的修正工藝中修正葉需要升降18次，而本發(fā)明的方法只需要升降1次，能夠有效降低修正葉氣缸的活動頻率，延長修正葉氣缸的壽命。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。