本發(fā)明涉及鍍膜設備領域，特別涉及一種鍍膜機及靶材微粒的數(shù)量確定方法。

背景技術：

鍍膜機是一種用于在待鍍膜件的表面鍍膜的設備。

相關技術中有一種鍍膜機，如圖1所示，其可以包括腔體11，靶材12、掩膜13和托盤14等組件，靶材12是鍍膜材料，掩膜13用于限制靶材12的濺射區(qū)域，托盤14用于承載待鍍膜件，在通過該鍍膜機進行鍍膜時，給托盤14和靶材12通電，使這兩者之間形成電場，帶電粒子在電場的作用下轟擊靶材12，靶材微粒會從靶材12中脫離，并在掩膜13的限制下濺落到托盤14上的待鍍膜件上。

在通過上述鍍膜機進行鍍膜時，由于掩膜通常由金屬材料制成，為避免掩膜與托盤接觸而影響托盤和靶材之間的電場，掩膜和托盤之間會存在一個縫隙，在進行鍍膜時，靶材微?？赡軙脑摽p隙進入托盤和腔體之間并附著在腔體的內(nèi)壁上，靶材微粒在經(jīng)過一段時間的累積后，可能會不受控制的漂浮并對待鍍膜件上的膜層質(zhì)量造成影響。目前，托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決相關技術中托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知的問題，本發(fā)明實施例提供了一種鍍膜機及靶材微粒的數(shù)量確定方法。所述技術方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種鍍膜機，所述鍍膜機包括：

腔體和設置在所述腔體內(nèi)的托盤，所述托盤將所述腔體分隔為相互連通的第一子腔和第二子腔；

所述第一子腔內(nèi)設置有靶材和掩膜；

所述第二子腔內(nèi)設置有熒光激發(fā)組件和熒光強度檢測組件，所述第二子腔的內(nèi)壁上設置有熒光層。

可選的，所述熒光層包括量子點。

可選的，所述熒光層包括量子點熒光納米球。

可選的，所述熒光層設置在所述第二子腔中靠近所述托盤的一端。

可選的，所述熒光激發(fā)組件包括激光器。

可選的，所述鍍膜機還包括：控制組件，所述熒光激發(fā)組件和所述熒光檢測組件均與所述控制組件連接；

所述控制組件用于在所述鍍膜機未處于工作狀態(tài)時，控制所述熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光；

通過熒光強度檢測組件檢測所述熒光層發(fā)出的光線強度；

根據(jù)所述光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，所述靶材微粒的數(shù)量與所述光線強度負相關。

可選的，所述鍍膜機為磁控濺射鍍膜機。

可選的，所述鍍膜機還包括加熱板，所述加熱板設置在所述第二子腔內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種靶材微粒的數(shù)量確定方法，用于第一方面所述的鍍膜機，所述方法包括：

在所述鍍膜機未處于工作狀態(tài)時，通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光；

通過熒光強度檢測組件檢測所述熒光層發(fā)出的光線強度；

根據(jù)所述光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，所述靶材微粒的數(shù)量與所述光線強度負相關。

可選的，所述根據(jù)所述光線強度確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值，包括：

判斷所述光線強度是否小于預設光強閾值，

當所述光線強度小于所述預設光強閾值，確定所述靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值；

或者，根據(jù)所述光線強度確定靶材微粒的數(shù)量；

判斷所述靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

在鍍膜機中設置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強度檢測組件，并通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線的強度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線時，可以通過熒光強度檢測組件檢測到的光線強度來確定靶材微粒的多少。解決了相關技術中托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知的問題。達到了能夠及時獲知托盤和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關技術中一種鍍膜機的結構示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種鍍膜機的結構示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例示出的另一種鍍膜機的結構示意圖；

圖4-1是本發(fā)明提供的一種靶材微粒的數(shù)量確定方法的流程圖；

圖4-2是圖4-1所示實施例中一種根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值的流程圖；

圖4-3是圖4-1所示實施例中另一種根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值的流程圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發(fā)明的概念。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種鍍膜機的結構示意圖。該鍍膜機20可以包括：

腔體11和設置在腔體內(nèi)的托盤14，托盤14將腔體11分隔為相互連通的第一子腔111和第二子腔112。

第一子腔111內(nèi)設置有靶材12和掩膜13。

第二子腔112內(nèi)設置有熒光激發(fā)組件21和熒光強度檢測組件22，第二子腔112的內(nèi)壁上設置有熒光層23。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的鍍膜機，在鍍膜機中設置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強度檢測組件，并通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線的強度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線時，可以通過熒光強度檢測組件檢測到的光線強度來確定靶材微粒的多少。解決了相關技術中托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知的問題。達到了能夠及時獲知托盤和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

進一步的，請參考圖3，其示出了本發(fā)明實施例提供的另一種鍍膜機30的結構示意圖，該鍍膜機在圖2所示的鍍膜機的基礎上增加了更優(yōu)選的部件，從而使得本發(fā)明實施例提供的鍍膜機30具有更好的性能。

可選的，鍍膜機30還包括：控制組件31，熒光激發(fā)組件21和熒光檢測組件22均與控制組件31連接?？刂平M件31可以為可編程邏輯控制器(英文：programmablelogiccontroller；簡稱：plc)或中央處理器(英文：centralprocessingunit；簡稱：cpu)等。

控制組件31用于在鍍膜機30未處于工作狀態(tài)時：1、控制熒光激發(fā)組件21激發(fā)熒光層23發(fā)光；2、通過熒光強度檢測組件22檢測熒光層23發(fā)出的光線強度；3、根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，靶材微粒的數(shù)量與光線強度負相關。靶材微粒會污染與阻擋熒光層中的量子點，因而熒光強度檢測組件22檢測熒光層23發(fā)出的光線強度與附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量負相關。

可選的，鍍膜機30為磁控濺射鍍膜機。磁控濺射(英文：magnetronsputtering)是物理氣相沉積(英文：physicalvapordeposition；簡稱：pvd)的一種，具體可以參考相關技術，在此不再贅述。

可選的，熒光層23包括量子點。量子點(英文：quantumdot；簡稱：qd)也稱半導體納米微晶體，是一種能夠接受激發(fā)光而發(fā)出光線的納米顆粒。qd作為一種新型的無機熒光納米材料，因其獨特的熒光性質(zhì)、優(yōu)良的光譜特性和光化學穩(wěn)定性，被廣泛應用于諸多領域。

qd的粒徑很小(約2～10納米)，電子和空穴被量子限域，qd內(nèi)部電子在各方向上的運動都受限，顯著的量子限制效應(英文：quantumconfinementeffect)使其能帶變成具有分子特性的分立能級，因此使qd具有獨特的光學性質(zhì)。qd光學特性可以包括：

1、較強的熒光發(fā)射能力，較高的光學穩(wěn)定性。

2、激發(fā)光范圍寬，同一波長的激發(fā)光可以激發(fā)不同qd發(fā)出光線，且可以激發(fā)出多種顏色的光線，如紅，藍，綠等。

3、可通過改變qd的粒徑大小和組成材料來制備多種熒光光譜特征不同的qd，并且qd的熒光光譜峰型尖銳，對稱性好。

可選的，熒光層23包括量子點熒光納米球。量子點熒光納米球是以納米球為載體，將量子點組裝或包埋到納米球上，其特點是熒光信號更強烈、更穩(wěn)定，安全性更高。此外，量子點還可以有其它的包裹方式，示例性的，可以通過納米材料，脂質(zhì)體進行包裹等，可以根據(jù)預設的尺寸、亮度選擇要包裹的量子點的數(shù)量，本發(fā)明實施例不作出限制。

可選的，熒光層23設置在腔體11的第二子腔112中靠近托盤14的一端。由于靶材微粒是從托盤14和掩膜13之間的縫隙f進入第二子腔112的，因而第二子腔112中靠近托盤14的一端為靶材微粒的主要聚集區(qū)域，在此區(qū)域設置熒光層能夠在較為準確的反應飄散到第二子腔112中的靶材微粒數(shù)量的情況下，節(jié)省熒光層材料。此外，熒光層還可以設置在第二子腔的其他位置，如布滿整個第二子腔等，本發(fā)明實施例不作出限制。

可選的，熒光激發(fā)組件21包括激光器。激光器的種類可以根據(jù)熒光層中的量子點來進行選擇。

可選的，鍍膜機還包括加熱板32，加熱板32設置在第二子腔112內(nèi)。加熱板32的作用包括：去除待鍍膜件表面水汽，提高膜基結合力，消除薄膜應力，提高膜層粒子的聚集度。加熱板的加熱溫度可以在150～200℃之間。

可選的，鍍膜機30還可以包括電源33，電源33與靶材12連接，用于向靶材12通電，電源33的結構可以參考相關技術，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的鍍膜機，在鍍膜機中設置熒光層、熒光激發(fā)組件和熒光強度檢測組件，并通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線的強度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線時，可以通過熒光強度檢測組件檢測到的光線強度來確定靶材微粒的多少。解決了相關技術中托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知的問題。達到了能夠及時獲知托盤和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

圖4-1是本發(fā)明提供的一種靶材微粒的數(shù)量確定方法的流程圖，用于圖2或圖3所示的鍍膜機，該方法可以包括下面幾個步驟：

步驟401、在鍍膜機未處于工作狀態(tài)時，通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光。

為了避免確定靶材微粒數(shù)量時對鍍膜造成影響，可以在鍍膜機未處于工作狀態(tài)時，通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光。熒光層和熒光激發(fā)組件可以參考圖3所示的實施例，在此不再贅述。

本發(fā)明實施例的執(zhí)行主體可以是控制組件。

步驟402、通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線強度。

在通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光后，可以通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線強度。靶材微粒會污染與阻擋熒光層中的量子點，因而該光線強度與附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量負相關，即附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量越大，熒光強度檢測組件檢測到熒光層發(fā)出的光線強度越小，附著在熒光層上的靶材微粒的數(shù)量越小，熒光強度檢測組件檢測到熒光層發(fā)出的光線強度越大。

步驟403、根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值，靶材微粒的數(shù)量與光線強度負相關。

本步驟可以包括兩種實施方式。

如圖4-2所示，第一種實施方式可以包括下面兩個子步驟：

子步驟4031、判斷光線強度是否小于預設光強閾值。在光線強度小于預設光強閾值時，執(zhí)行步驟4032；在光線強度不小于預設光強閾值時，執(zhí)行步驟4033。

在此種實施方式中，首先可以判斷光線強度是否小于預設光強閾值，該預設光強閾值可以通過試驗來確定。

子步驟4032、確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值。

可以在光線強度小于預設光強閾值時，確定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值?？梢栽诖_定靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值后，對鍍膜機內(nèi)的靶材微粒進行清除，以確保后續(xù)鍍膜的質(zhì)量。而在光線強度不小于預設光強閾值時，可以繼續(xù)使用鍍膜機進行鍍膜。

子步驟4033、確定靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值。

可以在光線強度不小于預設光強閾值，確定靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值。

本發(fā)明實施例中，可以通過預先的試驗來確定光線強度和靶材微粒的數(shù)量之間的關系曲線，并根據(jù)該關系曲線來確定出預設光強閾值以及清理觸發(fā)閾值。

此種實施方式并未實際確定靶材微粒的數(shù)量，而是直接根據(jù)光線強度來確定靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

如圖4-3所示，第二種實施方式可以包括下面兩個子步驟：

子步驟4034、根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量。

在此種實施方式中，首先可以根據(jù)光線強度來確定出靶材微粒的數(shù)量。可選的，可以通過預先的試驗來確定光線強度和靶材微粒的數(shù)量之間的關系曲線，并根據(jù)該關系曲線來根據(jù)光線強度確定靶材微粒的數(shù)量。

子步驟4035、判斷靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

在確定出靶材微粒的數(shù)量之后，可以直接判斷靶材微粒的數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。該清理觸發(fā)閾值可以是根據(jù)試驗確定出的一個值，在靶材微粒的數(shù)量大于該值時，可能會對鍍膜質(zhì)量造成影響。

在靶材微粒的數(shù)量大于清理觸發(fā)閾值時，可以對鍍膜機中的靶材微粒進行清理，而在靶材微粒的數(shù)量不大于清理觸發(fā)閾值時，可以繼續(xù)使用鍍膜機進行鍍膜。

在此種實施方式中，可以先確定靶材微粒的數(shù)量，再判斷該數(shù)量是否大于清理觸發(fā)閾值。

相關技術中，并沒有量化靶材微粒的數(shù)量是否較多的標準，而本發(fā)明實施例提供的靶材微粒的數(shù)量確定方法，可以根據(jù)熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線強度來量化靶材微粒的數(shù)量的多少，并定期實施以準確實時的掌握靶材微粒的數(shù)量，并根據(jù)靶材微粒的數(shù)量制定清潔周期，避免靶材微粒對正常鍍膜造成影響。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的靶材微粒的數(shù)量確定方法，通過熒光激發(fā)組件激發(fā)熒光層發(fā)光，再通過熒光強度檢測組件檢測熒光層發(fā)出的光線的強度，這樣在靶材微粒阻擋熒光層發(fā)出的光線時，可以通過熒光強度檢測組件檢測到的光線強度來確定靶材微粒的多少。解決了相關技術中托盤和腔體之間的靶材微粒的多少難以及時獲知的問題。達到了能夠及時獲知托盤和腔體之間的靶材微粒的多少的效果。

本領域普通技術人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。