本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柔性基材電路板及其制備方法和設(shè)備。

背景技術(shù)：

起初，柔性線路板(fpc)只應(yīng)用于軍事、航天等特殊行業(yè)，但隨著科技進(jìn)步和多種信息終端設(shè)備的發(fā)展，fpc逐漸被運(yùn)用到民用和商業(yè)等領(lǐng)域，與剛性線路板一樣，fpc取得了極大的發(fā)展。但相比剛性線路板，fpc的體積更小，重量更輕，可以實(shí)現(xiàn)彎折撓曲、立體三維組裝。

隨著科技的不斷進(jìn)步發(fā)展，對fpc的需求也隨之增高。目前，通常采用粘合劑將銅箔貼于柔性塑料基板，來制備fpc。但是，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：

粘合劑形成的基底材料已不能滿足高密度的組裝要求。并且，現(xiàn)有的fpc所采用的基材電路板中，各膜層(如膜基材與導(dǎo)電層)之間經(jīng)過電路圖案形成工序或電解工序等后續(xù)工序時(shí)，經(jīng)常會發(fā)生結(jié)合強(qiáng)度下降和容易剝落等問題。可見，現(xiàn)有制造方法形成的膜層結(jié)合力不足，抗剝離強(qiáng)度較弱，難于適用于嚴(yán)酷環(huán)境。因此，基材電路板有待進(jìn)一步提高各膜層之間的結(jié)合力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例的目的之一在于提出一種柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備，能夠制備得到具有很高結(jié)合力和抗剝離性的金屬釘扎層。

進(jìn)一步來講，該金屬釘扎層的制備方法包括：利用金屬蒸汽真空弧(mevva，metalvaporvacuumarc)離子源，向基底層注入第一金屬元素，對所述基底層進(jìn)行清洗，并形成金屬摻雜層；利用磁過濾陰極真空弧(fcva)離子源，在所述金屬摻雜層上通過磁過濾沉積得到第一金屬膜層；利用所述mevva離子源，向所述第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層；利用所述fcva離子源，在所述金屬釘扎層上，磁過濾沉積出10～30nm的金屬覆蓋層。

可選地，在一些實(shí)施例中，所述基底層為聚酰亞胺聚合物；和/或，所述第一金屬膜層為ni膜層或者cu膜層；所述第一金屬膜層的厚度大于或等于3nm，且小于10nm。

可選地，在一些實(shí)施例中，所述第一金屬元素為ni或者cu，其注入電壓為4～8kv，束流強(qiáng)度為1～4ma，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度為70～120nm。

可選地，在一些實(shí)施例中，所述第二金屬元素為ni或cu，其注入電壓為10～15kv，注入金屬束流強(qiáng)度為1～4ma，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²。

可選地，在一些實(shí)施例中，所述金屬覆蓋層的金屬元素為ni或cu，且厚度為10～30nm；所述磁過濾沉積時(shí)，弧流為90～150a，彎管磁場電流為1.0～4.0a。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例提出的金屬釘扎層的制備設(shè)備用于實(shí)施上述任一所述的金屬釘扎層的制備方法，該金屬釘扎層的制備設(shè)備包括：注入裝置，配置為利用金屬蒸汽真空弧(mevva)離子源，向基底層注入第一金屬元素，對所述基底層進(jìn)行清洗，并形成金屬摻雜層；沉積裝置，配置為利用所述fcva，在所述金屬摻雜層上通過磁過濾沉積得到第一金屬膜層，其中，所述第一金屬膜層的厚度大于或等于3nm且小于10nm；所述注入裝置，還配置為利用所述mevva離子源向所述第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層。

可選地，在一些實(shí)施例中，所述沉積裝置還配置為：利用所述fcva，在所述金屬釘扎層上沉積出10～30nm的金屬覆蓋層。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明各實(shí)施例具有以下優(yōu)勢：

本發(fā)明實(shí)施例提出的金屬釘扎層的制備方法和設(shè)備，在基底層上，先通過由mevva離子源注入的第一金屬元素，對基底層進(jìn)行清洗和浸潤，再通過fcva離子源在處理后的基底層上沉積的第一金屬膜層，然后利用mevva離子源將更高能量的第二金屬元素注入，使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入基底層內(nèi)，形成與基底層相混合的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)，這樣形成的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)與基底層的結(jié)合力非常好，從而使其抗剝離強(qiáng)度得以增強(qiáng)。

本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提出一種柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備，能夠制備得到具有很高結(jié)合力和抗剝離性的柔性基材電路板。

該柔性基材電路板的制備方法包括：清洗柔性基材；在所述柔性基材表面，前述任一種所述的金屬釘扎層的制備方法制備金屬釘扎層；在所述金屬釘扎層上進(jìn)行金屬沉積，形成金屬覆蓋層；在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例提出的柔性基材電路板的制備設(shè)備包括：前述任一種的金屬釘扎層的制備設(shè)備；刻蝕裝置，配置為在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

本發(fā)明實(shí)施例提出的柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備，通過對柔性基材進(jìn)行清洗和浸潤，再通過將更高能量的金屬元素注入，使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入基底層內(nèi)，形成與基底層相混合的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)，這樣形成的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)與基底層的結(jié)合力非常好，從而使其抗剝離強(qiáng)度得以增強(qiáng)。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提出一種根據(jù)上述任一種技術(shù)方案所述的柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備制造的柔性基材電路板；其中，所述柔性基材電路板的包括：基底層、金屬膜層、金屬釘扎層、沉積于所述金屬釘扎層之上的金屬覆蓋層、以及在所述金屬覆蓋層上的電路層。

此外，本發(fā)明實(shí)施例又一目的在于提出一種終端設(shè)備，該終端設(shè)備設(shè)置有上述任一技術(shù)方案所述的柔性基材電路板。

由于上述任一種柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備具有上述技術(shù)效果，因此，使用上述柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備獲得的柔性基材電路板、以及設(shè)置有該柔性基材電路板的終端設(shè)備也應(yīng)具備相應(yīng)的技術(shù)效果，茲不贅述。

附圖說明

構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例一部分的附圖用來提供對本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬釘扎層的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬釘扎層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的fcva沉積系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的mevva注入系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的三種不同情況下導(dǎo)電銅層和聚酰亞胺基底的結(jié)合力和表面能示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的mevva離子注入后聚酰亞胺膜表面的元素成分示意圖。

附圖標(biāo)記說明

100聚酰亞胺膜基底

110金屬釘扎層

120金屬覆蓋層

200fcva陰極

210觸發(fā)電極

220陽極

230導(dǎo)管

240磁場

300mevva陰極

310引出電極

320抑制二次電子電極

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的各優(yōu)選實(shí)施例作進(jìn)一步說明：

方法實(shí)施例

隨著柔性線路板的廣泛應(yīng)用，對抗剝離強(qiáng)度等性能的要求越來越高，制備出高結(jié)合強(qiáng)度的過渡層對柔性線路板的未來的發(fā)展顯得非常重要。這里，提供一種可以在嚴(yán)酷環(huán)境下使用的高結(jié)合強(qiáng)度的金屬釘扎層的制造方法。

需要說明的是，本實(shí)施例中，在基底層上制備金屬釘扎層，選用的基底層可為聚酰亞胺聚合物，如聚酰亞胺膜(pifilm，polyimidefilm)。此處，基底為聚酰亞胺聚合物，聚酰亞胺是目前已經(jīng)工業(yè)化的高分子材料中耐熱性最高的品種，由于具有優(yōu)越的綜合性能。聚酰亞胺薄膜又是一種新型的耐高溫有機(jī)聚合物薄膜，是由均苯四甲酸二酐(pmda)和二氨基二苯醚(oda)在極強(qiáng)性溶劑二甲基乙酰胺(dmac)中經(jīng)縮聚并流涎成膜，再經(jīng)亞胺化而成。

參照圖1，其示出了本實(shí)施例的金屬釘扎層的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

s100：利用金屬蒸汽真空弧(mevva)離子源，向基底層注入第一金屬元素，對基底層進(jìn)行清洗。

其中，本步驟為前期金屬離子注入清洗處理過程，利用高能金屬離子注入聚酰亞胺膜，能夠?yàn)R射掉使其表面吸附微塵氣體等，提高其表面的潔凈度。并且，mevva離子源對聚酰亞胺進(jìn)行金屬元素注入，注入過程中由于金屬元素具有一定的能量能夠?qū)埘啺纺け砻娴奈锢砦交蛘呋瘜W(xué)吸附的雜質(zhì)有一定的濺射作用，且能夠形成淺注入的金屬摻雜層。

另外，在沉積金屬釘扎層之前，通過將高能金屬離子注入聚酰亞胺膜層，能夠使聚酰亞胺膜層表面部分有機(jī)基團(tuán)打斷，提高其表面能，增強(qiáng)其表面浸潤性，能夠使后續(xù)沉積的薄金屬能夠最大限度的緊貼聚酰亞胺表面。

需要指出的是，s100中，第一金屬元素可采用ni或者cu。作為一種可選實(shí)施方式，第一金屬元素的注入電壓為4～8kv，束流強(qiáng)度為1～4ma(含端值)，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²(含端值)，注入深度為70～120nm(含端值)。

s102：利用磁過濾陰極真空弧(fcva)離子源，在清洗后的基底層表面，磁過濾沉積得到第一金屬膜層。

本步驟中，可選的是，第一金屬膜層可為ni膜層或者cu膜層，且厚度為3～10nm。

s104：利用mevva離子源，向第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層。

本步驟中，通過利用mevva離子源，將更高能量的離子注入能夠使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入聚酰亞胺膜內(nèi)，能夠形成50nm左右的與聚酰亞胺混合的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)，這樣形成釘扎層結(jié)構(gòu)與聚酰亞胺膜基底結(jié)合力非常好。

這樣，上述金屬釘扎層以聚酰亞胺膜為基底，通過在聚酰亞胺膜上制備金屬過渡層——金屬釘扎層：由mevva離子源注入的ni和cu中的一種元素、及fcva離子源沉積的ni和cu中一種或者兩種元素構(gòu)成，從而提高聚酰亞胺膜與金屬釘扎層之間的結(jié)合強(qiáng)度，使其抗剝離強(qiáng)度得以增強(qiáng)。

在s104中，作為一種可選的實(shí)施方式，第二金屬元素可采用ni或者cu。第二金屬元素的注入電壓為10～15kv(含端值)，注入金屬束流強(qiáng)度為1～4ma(含端值)，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²(含端值)。

基于上述各實(shí)施例以及各可選實(shí)施方式，上述金屬釘扎層的制備方法還可包括以下步驟：

s106：利用所述fcva離子源，在金屬釘扎層上，磁過濾沉積出金屬覆蓋層。其中，金屬覆蓋層的金屬元素為ni或cu，且厚度可為10～30nm(含端值)。

需要說明的是，上述各實(shí)施例中，在執(zhí)行磁過濾沉積操作時(shí)，弧流為90～150a，彎管磁場電流為1.0～4.0a?？蛇x的是，弧流可采用100a，彎管磁場電流可為2.0a。

上述各實(shí)施例中，由mevva離子源注入的ni和cu中的一種元素、及fcva離子源沉積的ni和cu中一種或者兩種元素構(gòu)成聚酰亞胺基底上強(qiáng)結(jié)合力的金屬釘扎層，如圖2所示的金屬釘扎層，在聚酰亞胺基底上制備得到，并具有如下結(jié)構(gòu)：基底聚酰亞胺膜100、金屬釘扎層110、及金屬覆蓋層120。其中，基底聚酰亞胺膜100與金屬釘扎層110形成一體化，二者之間具有較高的結(jié)合力，抗剝離強(qiáng)度高。

下面，在結(jié)合一實(shí)例，在具體實(shí)施過程中，對上述的金屬釘扎層的制備方法作進(jìn)一步說明：

首先，在聚酰亞胺膜層表面，利用高壓mevva源注入ni或者cu元素，注入電壓在4～8kv之間，注入金屬元素時(shí)束流強(qiáng)度在1～4ma，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²之間，注入深度在70～120nm。

然后，再利用fcva系統(tǒng)在表面沉積一層很薄的ni或者cu膜層，厚度在3～10nm之間，fcva系統(tǒng)在注入后的聚酰亞胺膜表面沉積一層厚度約為3～10nm左右的ni或者cu(無組合順序)中的一種。

需要注意的是，ni或者cu膜層這一層的厚度不宜過厚，太厚會使得在聚酰亞胺膜/金屬界面的金屬原子不能夠獲得足夠的反沖能量進(jìn)入聚酰亞胺膜層內(nèi)部。

接著，再利用mevva離子源在沉積薄膜表面注入ni或者cu金屬元素，注入電壓在10～15kv之間，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²之間，注入金屬束流強(qiáng)度1～4ma。

最后，可利用fcva離子源沉積ni或者cu形成金屬覆蓋層。這樣，采用上述方式形成的金屬過渡層和聚酰亞胺膜形成一體化，因而能使金屬過渡層與聚酰亞胺膜層抗剝離強(qiáng)度提高明顯，在各種嚴(yán)酷條件下工作穩(wěn)定性和可靠性均較高。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提出一種柔性基材電路板的制備方法，該柔性基材電路板的制備方法包括：

s200：清洗柔性基材；

s202：在所述柔性基材表面，根據(jù)前述任一實(shí)施例所述的金屬釘扎層的制備方法制備金屬釘扎層；

s204：在所述金屬釘扎層上進(jìn)行金屬沉積，形成金屬覆蓋層；

s206：在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

上述實(shí)施例通過對柔性基材進(jìn)行清洗和浸潤，再通過將更高能量的金屬元素注入，使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入基底層內(nèi)，形成與基底層相混合的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)，這樣形成的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)與基底層的結(jié)合力非常好，從而使其抗剝離強(qiáng)度得以增強(qiáng)。

設(shè)備實(shí)施例

為實(shí)現(xiàn)上述金屬釘扎層的制備方法，基于上述各實(shí)施例，本實(shí)施例提出一種金屬釘扎層的制備設(shè)備，該制備設(shè)備包括如下裝置：注入裝置及沉積裝置。

其中，注入裝置用于利用mevva離子源，向所述基底層注入第一金屬元素，對所述基底層進(jìn)行清洗。

需要說明的是，mevva離子源主要由等離子體產(chǎn)生區(qū)和離子束引出區(qū)組成，等離子體產(chǎn)生區(qū)也就是金屬蒸汽真空弧放電區(qū)。mevva離子注入就是采用mevva離子源產(chǎn)生的載能離子束轟擊材料表面，對工件表面進(jìn)行離子注入，從而改變材料表面的物理、化學(xué)性能的過程，使得薄膜與工件基體能夠牢固地結(jié)合。

沉積裝置用于利用所述fcva，在清洗后的基底層表面沉積得到第一金屬膜層。注入裝置還用于利用所述mevva離子源向所述第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層。

上述金屬釘扎層的制備設(shè)備中，沉積裝置還用于：利用所述fcva離子源，在所述金屬釘扎層上沉積金屬覆蓋層。

需要指出的是，上述各實(shí)施例中，沉積裝置可采用如圖3所示的fcva離子源沉積系統(tǒng)，該fcva離子源沉積系統(tǒng)包括：fcva陰極200、觸發(fā)電極210、陽極220、導(dǎo)管230以及磁場240。

另外，上述各實(shí)施例中，注入裝置可采用如圖4所示的mevva離子源注入系統(tǒng)，該mevva離子源注入系統(tǒng)包括：mevva陰極300、引出電極310以及抑制二次電子電極320。

下面結(jié)合金屬釘扎層的制作工藝流程，對上述制備設(shè)備作進(jìn)一步說明：

1、基底層檢測：

上述實(shí)施例中，基底可為聚酰亞胺聚合物，在制備開始前，檢測裝置對基底層進(jìn)行確認(rèn)，準(zhǔn)備開始金屬釘扎層的制備。

2、前期金屬離子注入清洗：

注入裝置可采用mevva離子源注入系統(tǒng)，其利用mevva源對聚酰亞胺進(jìn)行金屬元素注入，注入過程中由于金屬元素具有一定的能量能夠?qū)埘啺纺け砻娴奈锢砦交蛘呋瘜W(xué)吸附的雜質(zhì)有一定的濺射作用，且能夠形成淺注入的金屬摻雜層。

3、金屬釘扎層結(jié)構(gòu)形成：

沉積裝置可采用fcva離子源沉積系統(tǒng)，其利用fcva源沉積cu或者ni膜3～10nm左右。

然后，利用mevva離子源注入系統(tǒng)在3～10nm的cu或者ni膜上注入cu或者ni，形成與聚酰亞胺膜亞一體化的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)。

4、金屬覆蓋層結(jié)構(gòu)：

利用fcva離子源沉積系統(tǒng)沉積的金屬覆蓋層，金屬覆蓋層元素為ni和cu厚度為10～30nm。

為實(shí)現(xiàn)上述柔性基材電路板的制備方法，基于上述各實(shí)施例，本實(shí)施例提出一種柔性基材電路板的制備設(shè)備，該制備設(shè)備包括：注入裝置、及沉積裝置、及刻蝕裝置。其中：

注入裝置用于清洗柔性基材，并在所述柔性基材表面制備金屬釘扎層。

沉積裝置用于在所述金屬釘扎層上進(jìn)行金屬沉積，形成金屬覆蓋層。

刻蝕裝置用于在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

可選的是，上述實(shí)施例中，上述注入裝置可進(jìn)一步包括：第一注入裝置和第二注入裝置。

其中：

第一注入裝置用于利用金屬蒸汽真空弧(mevva)離子源和磁過濾陰極真空弧(fcva)離子源，向所述基底層注入cu或者ni，對所述基底層進(jìn)行清洗；其中，cu或者ni的注入電壓為4～8kv，束流強(qiáng)度為1～4ma，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度為70～120nm。

第二注入裝置用于利用所述mevva離子源向所述cu或者ni膜層表面注入cu或者ni，形成金屬釘扎層；其中，cu或者ni的注入電壓為10～15kv，注入金屬束流強(qiáng)度為1～4ma，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²。

作為一種可選的實(shí)施方式，上述沉積裝置可進(jìn)一步包括：

第一沉積裝置，用于利用所述fcva離子源，在所述金屬釘扎層上，磁過濾沉積出金屬覆蓋層；其中，所述金屬覆蓋層的金屬元素為ni或cu，厚度為10～30nm；

第二沉積裝置，用于利用fcva離子源，在清洗后的柔性基材表面，磁過濾沉積得到cu膜層或者ni膜層；其中，所述ni膜層或者cu膜層的厚度為3～10nm。

需要指出的是，上述各實(shí)施例中，沉積裝置可采用如圖3所示的fcva離子源沉積系統(tǒng)，該fcva離子源沉積系統(tǒng)包括：fcva陰極200、觸發(fā)電極210、陽極220、導(dǎo)管230以及磁場240。

另外，上述各實(shí)施例中，注入裝置可采用如圖4所示的mevva離子源注入系統(tǒng)，該mevva離子源注入系統(tǒng)包括：mevva陰極300、引出電極310以及抑制二次電子電極320。

上述實(shí)施例中通過對柔性基材進(jìn)行清洗和浸潤，再通過將更高能量的金屬元素注入，使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入基底層內(nèi)，形成與基底層相混合的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)，這樣形成的金屬釘扎層結(jié)構(gòu)與基底層的結(jié)合力非常好，從而使其抗剝離強(qiáng)度得以增強(qiáng)。

基板實(shí)施例

隨著聚酰亞胺膜在柔性線路板中的廣泛應(yīng)用，對抗剝離強(qiáng)度等性能的要求越來越高，制備出高結(jié)合強(qiáng)度的過渡層對柔性線路板的未來的發(fā)展顯得非常重要。這里，提出一種可以在嚴(yán)酷環(huán)境下使用的高結(jié)合強(qiáng)度的以聚酰亞胺膜為基底的柔性線路板。

本實(shí)施例中，該柔性電路板的基板設(shè)置有：根據(jù)上述任一方法實(shí)施例所述的金屬釘扎層的制備方法、以及采用上述任一設(shè)備實(shí)施例所述的金屬釘扎層的制備設(shè)備，制備得到的金屬釘扎層。

其中，該柔性電路板的基板包括：基底層、金屬釘扎層、及沉積于所述金屬釘扎層之上的金屬覆蓋層。

上述各方法實(shí)施例對金屬釘扎層的制造過程已作詳細(xì)說明，此處不再贅述，相關(guān)內(nèi)容參加前述各實(shí)施例。

需要說明的是，上述實(shí)施例中，柔性線路板所需cu箔厚度可通過電鍍等方法進(jìn)行加厚，這種方法可以在聚酰亞胺膜上制造0～50微米的cu箔，其最大優(yōu)點(diǎn)在于能夠很方便的制備小于8微米且結(jié)合力優(yōu)異的銅箔(常規(guī)壓層法中只能制備大于8微米cu箔)。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提出一種終端設(shè)備，該終端設(shè)備設(shè)置有上述任一實(shí)施例所述的柔性基材電路板。

由于上述任一種柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備具有上述技術(shù)效果，因此，使用上述柔性基材電路板的制備方法和設(shè)備獲得的柔性基材電路板、以及設(shè)置有該柔性基材電路板的終端設(shè)備也應(yīng)具備相應(yīng)的技術(shù)效果，其具體實(shí)施過程與上述實(shí)施例類似，茲不贅述。

下面通過三個(gè)對比試驗(yàn)，對金屬釘扎層及設(shè)置有該金屬釘扎層的柔性電路板進(jìn)行性能分析：

實(shí)例一：(無釘扎層結(jié)構(gòu))

以美國杜邦公司生產(chǎn)的pi100hn型聚酰亞胺膜作為基材，按以下方式對聚酰亞胺膜層進(jìn)行雙面處理：

1)磁過濾沉積cu膜過渡層，條件弧流為100a，彎管磁場電流2.0a，沉積厚度20nm。

2)在硫酸銅溶液中電鍍形成厚度為20μm的銅膜。

實(shí)例二：(選擇cu金屬為釘扎層結(jié)構(gòu)元素)

1)清洗：離子注入cu元素條件：注入高壓6kv，注入束流強(qiáng)度3ma，注入劑量3×10¹⁵；

2)磁過濾沉積cu膜條件：弧流100a，彎管磁場電流2.0a，沉積厚度8nm；

3)對cu薄層進(jìn)行cu離子注入形成釘扎層條件：加速電壓12kv，束流5ma，注入劑量3×10¹⁵/cm²；

4)覆蓋：磁過濾沉積cu膜覆蓋層條件：弧流100a，彎管磁場電流2.0a，沉積厚度20nm；

5)最后在硫酸銅溶液中電鍍形成厚度為20μm的銅膜。

實(shí)例三：(選擇ni金屬釘扎層結(jié)構(gòu)元素)

1)離子注入ni元素條件：注入高壓6kv，注入束流強(qiáng)度3ma，注入劑量3×10¹⁵。

2)磁過濾沉積ni膜條件：弧流100a，彎管磁場電流2.0a，沉積厚度8nm。

3)對ni薄層進(jìn)行ni離子注入形成釘扎層條件：加速高壓12kv，束流5ma，注入劑量3×10¹⁵/cm²。

4)磁過濾沉積cu膜覆蓋層條件：弧流100a，彎管磁場電流2.0a，沉積厚度20nm。

5)在硫酸銅溶液中電鍍形成厚度為20μm的銅膜。

下面，以ipc-tm-650(美國印刷電路工業(yè)協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)法)中的方法，來測定膜基材與導(dǎo)電層之間的剝離強(qiáng)度。試驗(yàn)方法為：

將長方形試驗(yàn)條200mm×10mm的聚酰亞胺膜側(cè)粘接固定在圓盤的外周，然后夾具以10mm/min的速度與聚酰亞胺膜基底成90度方向剝離，測定所需的載重(kg/cm)。

參照圖5，其示出了三種不同試驗(yàn)導(dǎo)電銅層和聚酰亞胺基底的結(jié)合力和表面能。圖中，橫坐標(biāo)分別為：三種實(shí)例中，沒有釘扎層結(jié)構(gòu)pi、cu為釘扎層結(jié)構(gòu)元素的cu-pi、ni為釘扎層結(jié)構(gòu)元素的ni-pi?？v坐標(biāo)為：表面能(左)和結(jié)合力(右)。

從圖5中可以發(fā)現(xiàn)，以ni為釘扎層結(jié)構(gòu)元素時(shí)，聚酰亞胺膜和金屬銅的結(jié)合力高達(dá)1.1kg/cm，以cu為釘扎層結(jié)構(gòu)元素時(shí)，聚酰亞胺膜和金屬銅的結(jié)合力為0.95kg/cm，而無釘扎層結(jié)構(gòu)時(shí)，聚酰亞胺膜和金屬銅的結(jié)合力小于0.1kg/cm，結(jié)合力提高可以顯而易見。而且，從圖5中還可以看出，隨著離子元素的注入聚酰亞胺表面能也增加，浸潤性也隨之提高。

參照圖6，為mevva離子注入后表面元素成分，橫坐標(biāo)分別為：三種實(shí)例中，沒有釘扎層結(jié)構(gòu)pi、cu為釘扎層結(jié)構(gòu)元素cu-pi、ni為釘扎層結(jié)構(gòu)元素ni-pi。縱坐標(biāo)為元素c、o、n以及金屬m的含量。

從圖6所示的聚酰亞胺膜表面的xps圖中，可以看到由于金屬元素的注入使得聚酰亞胺膜表面元素發(fā)生了變化：c元素含量增加，o和n元素減少，元素的減少說明：聚酰亞胺膜層內(nèi)苯環(huán)或者酰亞胺環(huán)斷裂，同時(shí)c和金屬相對含量的增加說明了新鍵的形成，這能夠從微觀方面解釋結(jié)合力的增加。

綜上，采用mevva源以及fcva系統(tǒng)在聚酰亞胺膜的表面形成一層結(jié)合力好的金屬釘扎層，形成釘扎層后在其上通過電解電鍍等堆積金屬，刻蝕堆積的金屬形成所需電路圖案。這類結(jié)構(gòu)結(jié)合力非常好，原因可分析如下：

1、前期高能金屬離子注入聚酰亞胺膜能夠?yàn)R射掉使其表面吸附微塵氣體等，提高其表面的潔凈度；

2、前期高能金屬離子注入聚酰亞胺膜層能夠使聚酰亞胺膜層表面部分有機(jī)基團(tuán)打斷，提高其表面能，增強(qiáng)其表面浸潤性，能夠使后續(xù)沉積的薄金屬能夠最大限度的緊貼聚酰亞胺表面。

3、后期更高能量的離子注入能夠使聚酰亞胺膜表面沉積的薄金屬原子獲得反沖能量進(jìn)入聚酰亞胺膜內(nèi)，能夠形成50nm左右的金屬與聚酰亞胺混合的釘扎層結(jié)構(gòu)，所以這樣形成金屬釘扎層結(jié)構(gòu)與聚酰亞胺膜基底結(jié)合力很好。

綜合三個(gè)方面的原因，這種制造方法形成的膜層不存在經(jīng)過電路圖案形成工序或電解工序等后續(xù)工序時(shí)聚酰亞胺層和金屬膜層之間的結(jié)合強(qiáng)度下降和容易剝落的問題。

另外，由于上述任一種金屬釘扎層的制備方法和設(shè)備具有上述技術(shù)效果，因此，使用上述金屬釘扎層的制備方法和設(shè)備獲得的金屬釘扎層、以及設(shè)置有該金屬釘扎層的基板也應(yīng)具備相應(yīng)的技術(shù)效果，其具體實(shí)施過程與上述實(shí)施例類似，茲不贅述。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來實(shí)現(xiàn)，從而，可以將它們存儲在存儲裝置中由計(jì)算裝置來執(zhí)行，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。所述存儲裝置為非易失性存儲器，如：rom/ram、閃存、磁碟、光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。