本發(fā)明涉及柔性基材鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備及方法。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的發(fā)展，柔性基材的鍍膜需求越來(lái)越大。柔性基材膜不但具有硬質(zhì)襯底膜的光電特性，而且具有重量輕、可折疊、不易破碎、便于運(yùn)輸、設(shè)備投資少等優(yōu)點(diǎn)。被廣泛應(yīng)用于高性能汽車貼膜、等離子電視平板顯示、觸摸屏、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，對(duì)所鍍膜層的功能性要求也不同，但是總體上，目前各行業(yè)對(duì)柔性基材膜的功能性要求有越來(lái)越高的趨勢(shì)，膜系結(jié)構(gòu)也趨向于越來(lái)越復(fù)雜。

目前，磁控濺射法制備柔性薄膜的工藝比較成熟、生產(chǎn)效率也較高。但純粹的磁控濺射法僅適用于金屬膜層較薄(其膜厚一般不超過(guò)2μm)的柔性基材鍍膜，無(wú)法適用于金屬膜層較厚(其膜厚一般為3-5μm)的柔性基材鍍膜。在實(shí)際生產(chǎn)中，磁控濺射法制備柔性薄膜的生產(chǎn)線中仍存在以下突出問(wèn)題：

(1)磁控濺射方式中，金屬材料蒸發(fā)量相當(dāng)小，當(dāng)金屬膜層需要較大厚度時(shí)，必須采用多次反復(fù)鍍膜，這就延長(zhǎng)了鍍膜周期，而且需要設(shè)置多個(gè)相同的真空鍍膜室來(lái)進(jìn)行鍍膜，設(shè)備成本相當(dāng)高，生產(chǎn)效率也低。同時(shí)，由于需要進(jìn)行多次鍍膜，容易使金屬膜層出現(xiàn)分層現(xiàn)象，影響其膜層均勻性和使用性能。但若采用電子槍蒸發(fā)方式代替，則電子槍蒸發(fā)源造價(jià)過(guò)高，不利于設(shè)備成本控制，而且電子槍的穩(wěn)定性較差，容易產(chǎn)生故障而影響正常生產(chǎn)。

(2)柔性基材鍍膜前一般需要先進(jìn)行離子處理，現(xiàn)有的磁控濺射方法中采用陽(yáng)極線性離子源、霍爾離子源或考夫曼離子源，采用陽(yáng)極線性離子源時(shí)，陽(yáng)極離子源打出來(lái)的離子會(huì)含有來(lái)自陰極的金屬離子，金屬離子和離子束流混合在一起射出，對(duì)鍍制高純度的膜層有較大的影響。而采用霍爾離子源或考夫曼離子源時(shí)，需要設(shè)置導(dǎo)熱燈絲來(lái)產(chǎn)生電子，而熱燈絲容易燒壞，造成設(shè)備常常因?yàn)楣收隙枰C(jī)維護(hù)，影響鍍膜效率和膜層質(zhì)量。

(3)現(xiàn)有的柔性基材鍍膜是通過(guò)在同一鍍膜室內(nèi)纏繞完成鍍膜的，該結(jié)構(gòu)的鍍膜室中，整個(gè)鍍膜室處于同一種氣氛中，膜層表面難以實(shí)現(xiàn)多種材料鍍膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備，該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)柔性基材表面厚膜層的鍍制，鍍膜效率高，膜層表面均勻性也高。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種通過(guò)上述設(shè)備實(shí)現(xiàn)的柔性基材鍍厚膜用的鍍膜方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備，沿柔性基材的輸送方向，包括依次連接的放卷室、離子處理室、多個(gè)鍍膜室和收卷室，離子處理室和多個(gè)鍍膜室沿鍍膜水冷輥的外周進(jìn)行分布，放卷室和收卷室分別設(shè)于鍍膜水冷輥的兩側(cè)；多個(gè)鍍膜室中，位于中部的鍍膜室中設(shè)置連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源，其余各鍍膜室中設(shè)置中頻磁控靶；

連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源包括蒸發(fā)器、蒸發(fā)器擋板和鍍料絲供料機(jī)構(gòu)，蒸發(fā)器設(shè)于鍍膜室底部，蒸發(fā)器的開(kāi)口朝向柔性基材的表面，蒸發(fā)器擋板設(shè)于蒸發(fā)器的開(kāi)口上方，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)設(shè)于蒸發(fā)器的一側(cè)，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)向蒸發(fā)器中供應(yīng)鍍料絲。

所述蒸發(fā)器包括蒸發(fā)源水冷座、蒸發(fā)源輸入電極、蒸發(fā)舟、蒸發(fā)電極絕緣套和電極冷卻水接咀，蒸發(fā)源水冷座為上部開(kāi)口的箱體狀結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)舟設(shè)于蒸發(fā)源水冷座內(nèi)，蒸發(fā)舟底部設(shè)置蒸發(fā)源輸入電極，蒸發(fā)源輸入電極內(nèi)設(shè)有冷卻通道，冷卻通道的入口處設(shè)有電極冷卻水接咀，蒸發(fā)源輸入電極與鍍膜室外壁的相接處設(shè)有蒸發(fā)電極絕緣套。

所述鍍料絲供料機(jī)構(gòu)包括鍍料絲卷盤、送絲輪和送絲咀，鍍料絲纏繞于鍍料絲卷盤上，鍍料絲卷盤的輸出端設(shè)置送絲輪，送絲咀安裝于蒸發(fā)源水冷座上，鍍料絲沿送絲輪輸出后，通過(guò)送絲咀送入蒸發(fā)源水冷座中。

鍍膜開(kāi)始時(shí)，蒸發(fā)器擋板將蒸發(fā)器和柔性基材隔開(kāi)，使柔性基材被擋住，蒸發(fā)源輸入電極通電后對(duì)蒸發(fā)舟進(jìn)行加熱，蒸發(fā)舟溫度升到可融化鍍料絲后，打開(kāi)蒸發(fā)器擋板，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)中的鍍料絲卷盤連續(xù)放出鍍料絲，由送絲輪通過(guò)送絲咀送入蒸發(fā)源水冷座中，對(duì)柔性基材表面進(jìn)行蒸發(fā)式鍍膜。蒸發(fā)式鍍膜的鍍膜蒸發(fā)量大，所制得膜層厚度可達(dá)到5μm，并且可進(jìn)行連續(xù)式鍍膜，鍍膜效率高。

所述離子處理室中設(shè)有冷陰極線性離子源，冷陰極線性離子源包括冷陰極離子源座、氣體接咀、磁鐵、陰極、陰極絕緣套、輔助陽(yáng)極、陽(yáng)極絕緣套和柵板組件；冷陰極離子源座為上部開(kāi)口的箱體狀結(jié)構(gòu)，氣體接咀貫穿于冷陰極離子源座的底部，位于氣體接咀外周的冷陰極離子源座底面設(shè)有磁體，陰極設(shè)于氣體接咀的上端，氣體接咀與冷陰極離子源座的連接處設(shè)有陰極絕緣套，位于陰極上方的冷陰極離子源座內(nèi)壁設(shè)有輔助陽(yáng)極，輔助陽(yáng)極與冷陰極離子源座的連接處設(shè)有陽(yáng)極絕緣套；冷陰極離子源座頂部設(shè)有柵板組件。

所述柵板組件包括柵板固定塊、內(nèi)柵孔板、外柵孔板、柵板壓塊和柵板壓塊絕緣套，柵板固定塊設(shè)于冷陰極離子源座頂部，內(nèi)柵孔板和外柵孔板依次設(shè)于柵板固定塊上方，外柵孔板頂部設(shè)置柵板壓塊，柵板壓塊外周設(shè)置柵板壓塊絕緣套。

所述陰極和輔助陽(yáng)極之間外接100～1000v的電源，外柵孔板和內(nèi)柵孔板之間外接100～500v的電源。

對(duì)柔性基材表面進(jìn)行離子處理時(shí)，工作氣體從氣體接咀接入，然后通入100～1000v的電壓，陰極和輔助陽(yáng)極之間形成輝光放電，產(chǎn)生離子，在磁鐵的作用下，形成的磁力線從冷陰極離子源座中心穿過(guò)，這是外柵孔板和內(nèi)柵孔板之間通入100～500v的電壓，過(guò)電壓可以將陰極上輝光放電產(chǎn)生的離子向外拉出，并以一定的能量由內(nèi)向外噴出，形成具有一定能量的離子源束射向柔性基材表面。該冷陰極線性離子源向外射出的離子能量較高，且射出的離子中不會(huì)含有金屬離子等其他有害物質(zhì)，可有效提高柔性基材表面的膜層純度。

所述放卷室與離子處理室的連接處設(shè)有大氣隔離真開(kāi)鎖，多個(gè)鍍膜室與收卷室的連接處也設(shè)有大氣隔離真空鎖；

大氣隔離真空鎖包括壓緊氣缸、氣缸密封座、隔離密封座和壓緊密封膠輥，隔離密封座底部設(shè)有柔性基材通過(guò)用的基材通道，且位于基材通道上下兩側(cè)的隔離密封座底部設(shè)有圓柱狀凹槽，圓柱狀凹槽底部位于基材通道下方，圓柱狀凹槽上部位于基材通道上方且與隔離密封座的內(nèi)部空間想通，壓緊密封膠輥設(shè)于隔離密封座的內(nèi)部空間中，壓緊密封膠輥?lái)敳颗c壓緊氣缸的輸出端連接，壓緊氣缸通過(guò)氣缸密封座安裝于隔離密封座上方；大氣隔離真空鎖閉合時(shí)，壓緊密封膠輥的下部嵌入圓柱狀凹槽中。

作為一種優(yōu)選方案，所述壓緊密封膠輥的兩端對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)壓緊氣缸。

大氣隔離真空鎖使用時(shí)，當(dāng)需要隔離放卷室與離子處理室或需要隔離鍍膜室與收卷室時(shí)，關(guān)閉大氣隔離真空鎖，壓緊氣缸下壓，帶動(dòng)壓緊密封膠輥向下運(yùn)動(dòng)，至壓緊密封膠輥的下部嵌入圓柱狀凹槽中，此時(shí)壓緊密封膠輥將基材通道隔斷，起到隔離作用。若需要打開(kāi)大氣隔離真空鎖時(shí)，壓緊氣缸上提，帶動(dòng)壓緊密封膠輥上升至基材通道上方，使基材通道連通即可。該大氣隔離真空鎖可將其兩側(cè)的真空側(cè)和大氣側(cè)隔離，使離子處理室和鍍膜室內(nèi)不用每個(gè)工作周期都放入大氣，減少大氣中所含水蒸氣、灰塵及其他有害氣體對(duì)鍍膜室污染，從而提高膜層的純度和質(zhì)量，同時(shí)，壓緊密封膠輥的外圓柱面為柔性表面，其密封效果好，可保障隔離效果。

所述多個(gè)鍍膜室中，任意相鄰的兩個(gè)鍍膜室之間設(shè)有隔離板，隔離板靠近鍍膜水冷輥的一側(cè)設(shè)有隔離板水冷座，隔離板水冷座與鍍膜水冷輥之間的間隙為基材通道，且間隙寬度不超過(guò)1mm；隔離板內(nèi)設(shè)有與隔離板水冷座連通的冷卻水路，隔離板水冷座的寬度大于100mm。

在鍍膜過(guò)程中，中頻磁控靶的工作壓強(qiáng)一般為5×10^-1pa，連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源的工作壓強(qiáng)一般為5×10^-3pa，兩者之間相差2個(gè)數(shù)量級(jí)，所以采用上述隔離板后，在鍍膜過(guò)程中可實(shí)現(xiàn)多層不同真空壓力范圍的鍍膜工藝。隔離板水冷座與鍍膜水冷輥之間的隙寬度不超過(guò)1mm，隔離板水冷座的寬度大于100mm，在真空狀態(tài)下，可有效阻止氣體從中頻磁控靶對(duì)應(yīng)的鍍膜室流入到連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源對(duì)應(yīng)的鍍膜室內(nèi)，對(duì)連續(xù)一次鍍多層膜的鍍膜工藝來(lái)說(shuō)就很容易實(shí)現(xiàn)。

上述鍍膜設(shè)備中，根據(jù)實(shí)際需要，多個(gè)鍍膜室與收卷室之間還可設(shè)有過(guò)渡室，若設(shè)有過(guò)渡室，則在過(guò)渡室與收卷室之間設(shè)置大氣隔離真空鎖，過(guò)渡室與鍍膜室之間可不設(shè)大氣隔離真開(kāi)鎖。

本發(fā)明通過(guò)上述設(shè)備實(shí)現(xiàn)一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜方法，包括以下步驟：

(1)柔性基材由放卷室放出后，先進(jìn)入離子處理室，對(duì)柔性基材表面進(jìn)行離子粗化和除氣處理；

(2)柔性基材完成離子處理后，沿鍍膜水冷輥的轉(zhuǎn)動(dòng)依次送入各個(gè)鍍膜室中，先由中頻磁控靶對(duì)柔性基材表面進(jìn)行至少一次濺射鍍膜，然后通過(guò)連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源對(duì)柔性基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，再由中頻磁控靶對(duì)柔性基材表面進(jìn)行至少一次濺射鍍膜；

(3)完成鍍膜后，柔性基材送入收卷室中進(jìn)行收卷。

本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益效果：

本柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備中，通過(guò)在鍍膜室內(nèi)設(shè)置連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源，利用連續(xù)式的鍍料絲供料機(jī)構(gòu)及蒸發(fā)器，可實(shí)現(xiàn)較大的鍍膜蒸發(fā)量，所制得膜層厚度可達(dá)到5μm，并且可進(jìn)行連續(xù)式鍍膜，其鍍膜效率高，與純粹的磁控濺射鍍膜方式相比，其蒸發(fā)鍍膜量可提高10倍以上。同時(shí)，與電子槍蒸發(fā)源相比，連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源的造價(jià)低，穩(wěn)定性較好。

本柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備中，采用冷陰極線性離子源進(jìn)行離子處理，向外射出的離子能量較高，且射出的離子中不會(huì)含有金屬離子等其他有害物質(zhì)，可有效提高柔性基材表面的膜層純度。同時(shí)，冷陰極線性離子源中不需要設(shè)置燈絲，冷陰極線性離子源損壞率較低，可保障鍍膜工藝的正常運(yùn)行。

本柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備中，通過(guò)在真空側(cè)和大氣側(cè)之間設(shè)置大氣隔離真空鎖，可有效隔離真空側(cè)和大氣側(cè)，使離子處理室和鍍膜室內(nèi)不用每個(gè)工作周期都放入大氣，減少大氣中所含水蒸氣、灰塵及其他有害氣體對(duì)鍍膜室污染，從而提高膜層的純度和質(zhì)量，同時(shí)，壓緊密封膠輥的外圓柱面為柔性表面，其密封效果好，可保障隔離效果。

本柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備中，通過(guò)在任意相鄰的兩個(gè)鍍膜室之間，或者鍍膜室與其他真空室之間設(shè)置隔離板及隔離板水冷座，在真空狀態(tài)下，可有效阻止氣體從中頻磁控靶對(duì)應(yīng)的鍍膜室流入到連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源對(duì)應(yīng)的鍍膜室內(nèi)，對(duì)連續(xù)一次鍍多層膜的鍍膜工藝來(lái)說(shuō)就很容易實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本鍍膜設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本鍍膜設(shè)備中連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本鍍膜設(shè)備中冷陰極線性離子源的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本鍍膜設(shè)備中大氣隔離真開(kāi)鎖的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為大氣隔離真開(kāi)鎖中壓緊密封膠輥兩端對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)壓緊氣缸時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本鍍膜設(shè)備中相鄰兩個(gè)鍍膜室之間設(shè)置隔離板時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例

本實(shí)施例一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜設(shè)備，如圖1所示，沿柔性基材5的輸送方向，包括依次連接的放卷室1、離子處理室2、多個(gè)鍍膜室3和收卷室4，離子處理室和多個(gè)鍍膜室沿鍍膜水冷輥的外周進(jìn)行分布，放卷室和收卷室分別設(shè)于鍍膜水冷輥6的兩側(cè)；多個(gè)鍍膜室中，位于中部的鍍膜室中設(shè)置連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源7，其余各鍍膜室中設(shè)置中頻磁控靶8；其中，鍍膜室共有五個(gè)，設(shè)有連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源的鍍膜室位于中間，其前后兩側(cè)各設(shè)有兩個(gè)設(shè)有中頻磁控靶的鍍膜室，鍍膜室與收卷室之間還設(shè)有過(guò)渡室9，各鍍膜室外壁上設(shè)有分子泵40。

如圖2所示，連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源包括蒸發(fā)器10、蒸發(fā)器擋板11和鍍料絲供料機(jī)構(gòu)12，蒸發(fā)器設(shè)于鍍膜室底部，蒸發(fā)器的開(kāi)口朝向柔性基材的表面，蒸發(fā)器擋板設(shè)于蒸發(fā)器的開(kāi)口上方，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)設(shè)于蒸發(fā)器的一側(cè)，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)向蒸發(fā)器中供應(yīng)鍍料絲。蒸發(fā)器包括蒸發(fā)源水冷座13、蒸發(fā)源輸入電極14、蒸發(fā)舟15、蒸發(fā)電極絕緣套16和電極冷卻水接咀17，蒸發(fā)源水冷座為上部開(kāi)口的箱體狀結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)舟設(shè)于蒸發(fā)源水冷座內(nèi)，蒸發(fā)舟底部設(shè)置蒸發(fā)源輸入電極，蒸發(fā)源輸入電極內(nèi)設(shè)有冷卻通道，冷卻通道的入口處設(shè)有電極冷卻水接咀，蒸發(fā)源輸入電極與鍍膜室外壁的相接處設(shè)有蒸發(fā)電極絕緣套。鍍料絲供料機(jī)構(gòu)包括鍍料絲卷盤18、送絲輪19和送絲咀20，鍍料絲纏繞于鍍料絲卷盤上，鍍料絲卷盤的輸出端設(shè)置送絲輪，送絲咀安裝于蒸發(fā)源水冷座上，鍍料絲沿送絲輪輸出后，通過(guò)送絲咀送入蒸發(fā)源水冷座中。鍍膜開(kāi)始時(shí)，蒸發(fā)器擋板將蒸發(fā)器和柔性基材隔開(kāi)，使柔性基材被擋住，蒸發(fā)源輸入電極通電后對(duì)蒸發(fā)舟進(jìn)行加熱，蒸發(fā)舟溫度升到可融化鍍料絲后，打開(kāi)蒸發(fā)器擋板，鍍料絲供料機(jī)構(gòu)中的鍍料絲卷盤連續(xù)放出鍍料絲，由送絲輪通過(guò)送絲咀送入蒸發(fā)源水冷座中，對(duì)柔性基材表面進(jìn)行蒸發(fā)式鍍膜。蒸發(fā)式鍍膜的鍍膜蒸發(fā)量大，所制得膜層厚度可達(dá)到5μm，并且可進(jìn)行連續(xù)式鍍膜，鍍膜效率高。

離子處理室中設(shè)有冷陰極線性離子源，如圖3所示，冷陰極線性離子源包括冷陰極離子源座21、氣體接咀22、磁鐵23、陰極24、陰極絕緣套25、輔助陽(yáng)極26、陽(yáng)極絕緣套27和柵板組件；冷陰極離子源座為上部開(kāi)口的箱體狀結(jié)構(gòu)，氣體接咀貫穿于冷陰極離子源座的底部，位于氣體接咀外周的冷陰極離子源座底面設(shè)有磁體，陰極設(shè)于氣體接咀的上端，氣體接咀與冷陰極離子源座的連接處設(shè)有陰極絕緣套，位于陰極上方的冷陰極離子源座內(nèi)壁設(shè)有輔助陽(yáng)極，輔助陽(yáng)極與冷陰極離子源座的連接處設(shè)有陽(yáng)極絕緣套；冷陰極離子源座頂部設(shè)有柵板組件。柵板組件包括柵板固定塊28、內(nèi)柵孔板29、外柵孔板30、柵板壓塊31和柵板壓塊絕緣套32，柵板固定塊設(shè)于冷陰極離子源座頂部，內(nèi)柵孔板和外柵孔板依次設(shè)于柵板固定塊上方，外柵孔板頂部設(shè)置柵板壓塊，柵板壓塊外周設(shè)置柵板壓塊絕緣套。陰極和輔助陽(yáng)極之間外接100～1000v的電源，外柵孔板和內(nèi)柵孔板之間外接100～500v的電源。對(duì)柔性基材表面進(jìn)行離子處理時(shí)，工作氣體從氣體接咀接入，然后通入100～1000v的電壓，陰極和輔助陽(yáng)極之間形成輝光放電，產(chǎn)生離子，在磁鐵的作用下，形成的磁力線從冷陰極離子源座中心穿過(guò)，這是外柵孔板和內(nèi)柵孔板之間通入100～500v的電壓，過(guò)電壓可以將陰極上輝光放電產(chǎn)生的離子向外拉出，并以一定的能量由內(nèi)向外噴出，形成具有一定能量的離子源束射向柔性基材表面。該冷陰極線性離子源向外射出的離子能量較高，且射出的離子中不會(huì)含有金屬離子等其他有害物質(zhì)，可有效提高柔性基材表面的膜層純度。

放卷室與離子處理室的連接處設(shè)有大氣隔離真開(kāi)鎖，過(guò)渡室與收卷室的連接處也設(shè)有大氣隔離真空鎖；如圖4所示，大氣隔離真空鎖包括壓緊氣缸33、氣缸密封座34、隔離密封座35和壓緊密封膠輥36，隔離密封座底部設(shè)有柔性基材通過(guò)用的基材通道37，且位于基材通道上下兩側(cè)的隔離密封座底部設(shè)有圓柱狀凹槽，圓柱狀凹槽底部位于基材通道下方，圓柱狀凹槽上部位于基材通道上方且與隔離密封座的內(nèi)部空間想通，壓緊密封膠輥設(shè)于隔離密封座的內(nèi)部空間中，壓緊密封膠輥?lái)敳颗c壓緊氣缸的輸出端連接，壓緊氣缸通過(guò)氣缸密封座安裝于隔離密封座上方；大氣隔離真空鎖閉合時(shí)，壓緊密封膠輥的下部嵌入圓柱狀凹槽中。本實(shí)施例作為一種優(yōu)選方案，如圖5所示，壓緊密封膠輥的兩端對(duì)稱設(shè)有兩個(gè)壓緊氣缸。大氣隔離真空鎖使用時(shí)，當(dāng)需要隔離放卷室與離子處理室或需要隔離鍍膜室與收卷室時(shí)，關(guān)閉大氣隔離真空鎖，壓緊氣缸下壓，帶動(dòng)壓緊密封膠輥向下運(yùn)動(dòng)，至壓緊密封膠輥的下部嵌入圓柱狀凹槽中，此時(shí)壓緊密封膠輥將基材通道隔斷，起到隔離作用。若需要打開(kāi)大氣隔離真空鎖時(shí)，壓緊氣缸上提，帶動(dòng)壓緊密封膠輥上升至基材通道上方，使基材通道連通即可。該大氣隔離真空鎖可將其兩側(cè)的真空側(cè)和大氣側(cè)隔離，使離子處理室和鍍膜室內(nèi)不用每個(gè)工作周期都放入大氣，減少大氣中所含水蒸氣、灰塵及其他有害氣體對(duì)鍍膜室污染，從而提高膜層的純度和質(zhì)量，同時(shí)，壓緊密封膠輥的外圓柱面為柔性表面，其密封效果好，可保障隔離效果。

多個(gè)鍍膜室中，如圖6所示，任意相鄰的兩個(gè)鍍膜室之間設(shè)有隔離板38，隔離板靠近鍍膜水冷輥的一側(cè)設(shè)有隔離板水冷座39，隔離板水冷座與鍍膜水冷輥之間的間隙r為基材通道，且間隙寬度不超過(guò)1mm；隔離板內(nèi)設(shè)有與隔離板水冷座連通的冷卻水路(圖中未示出)，隔離板水冷座的寬度大于100mm。在鍍膜過(guò)程中，中頻磁控靶的工作壓強(qiáng)一般為5×10^-1pa，連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源的工作壓強(qiáng)一般為5×10^-3pa，兩者之間相差2個(gè)數(shù)量級(jí)，所以采用上述隔離板后，在鍍膜過(guò)程中可實(shí)現(xiàn)多層不同真空壓力范圍的鍍膜工藝。隔離板水冷座與鍍膜水冷輥之間的隙寬度不超過(guò)1mm，隔離板水冷座的寬度大于100mm，在真空狀態(tài)下，可有效阻止氣體從中頻磁控靶對(duì)應(yīng)的鍍膜室流入到連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源對(duì)應(yīng)的鍍膜室內(nèi)，對(duì)連續(xù)一次鍍多層膜的鍍膜工藝來(lái)說(shuō)就很容易實(shí)現(xiàn)。

通過(guò)上述設(shè)備可實(shí)現(xiàn)一種柔性基材鍍厚膜用的鍍膜方法，包括以下步驟：

(1)柔性基材由放卷室放出后，先進(jìn)入離子處理室，對(duì)柔性基材表面進(jìn)行離子粗化和除氣處理；

(2)柔性基材完成離子處理后，沿鍍膜水冷輥的轉(zhuǎn)動(dòng)依次送入各個(gè)鍍膜室中，先由中頻磁控靶對(duì)柔性基材表面進(jìn)行至少一次濺射鍍膜，然后通過(guò)連續(xù)式蒸發(fā)鍍膜源對(duì)柔性基材進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，再由中頻磁控靶對(duì)柔性基材表面進(jìn)行至少一次濺射鍍膜；

(3)完成鍍膜后，柔性基材送入收卷室中進(jìn)行收卷。

如上所述，便可較好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，上述實(shí)施例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；即凡依本發(fā)明內(nèi)容所作的均等變化與修飾，都為本發(fā)明權(quán)利要求所要求保護(hù)的范圍所涵蓋。