本技術(shù)涉及氣相沉積，尤其涉及一種預(yù)熱環(huán)及氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔室被基座分隔為第一腔室和第二腔室，基座與周邊結(jié)構(gòu)具有間隙，環(huán)境氣體可以經(jīng)間隙從第二腔室進(jìn)入第一腔室，環(huán)境氣體接觸到第一腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體后，導(dǎo)致反應(yīng)氣體流動十分不穩(wěn)定，造成反應(yīng)氣體沉積的薄膜邊緣成膜質(zhì)量差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供一種成膜邊緣質(zhì)量較佳的預(yù)熱環(huán)及氣相沉積設(shè)備。

2、第一方面，本技術(shù)提供一種氣相沉積設(shè)備。氣相沉積設(shè)備包括基座和框體，框體設(shè)有反應(yīng)腔室，基座位于反應(yīng)腔室內(nèi)，且將反應(yīng)腔室分隔為第一腔室和第二腔室，框體設(shè)有第一進(jìn)氣通道，第一進(jìn)氣通道連通第一腔室和框體的外部，基座和框體圍出第一連接通道，第一連接通道位于基座和第一進(jìn)氣通道之間，第一連接通道連通第一腔室和第二腔室。第一連接通道包括出氣段，出氣段連通第一腔室，出氣段的中心軸與第一進(jìn)氣通道的中心軸呈銳角設(shè)置或者方向相同，出氣段的出口朝向遠(yuǎn)離第一進(jìn)氣通道的一側(cè)。

3、可以理解的是，出氣段的中心軸可以與第一進(jìn)氣通道的中心軸呈銳角設(shè)置或者方向相同，出氣段的出口朝向遠(yuǎn)離第一進(jìn)氣通道的一側(cè)。這樣在基座靠近第一進(jìn)氣通道的一側(cè)，環(huán)境氣體從第一連接通道進(jìn)入第一腔室時，環(huán)境氣體的流向與反應(yīng)氣體的流向之間夾角較小，從而環(huán)境氣體與反應(yīng)氣體混合時，對反應(yīng)氣體的流向影響較小，反應(yīng)氣體的流動較平穩(wěn)，沉積的薄膜邊緣的成膜質(zhì)量較佳。第一進(jìn)氣通道的中心軸可以是一條過第一進(jìn)氣通道的出口的中心，且垂直于第一進(jìn)氣通道的出口所在平面的虛擬軸線。第一進(jìn)氣通道的出口連通第一腔室。第一進(jìn)氣通道可以用于向第一腔室中輸送反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體進(jìn)入第一腔室時，反應(yīng)氣體的流動方向可以與第一進(jìn)氣通道的中心軸方向大致相同。

4、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接通道還包括進(jìn)氣段，進(jìn)氣段連通第二腔室和出氣段，進(jìn)氣段的中心軸和出氣段的中心軸呈夾角設(shè)置。

5、可以理解的是，第二腔室中的環(huán)境氣體可以依次經(jīng)進(jìn)氣段和出氣段進(jìn)入第一腔室內(nèi)。第一連接通道可以呈“l(fā)”型。

6、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接通道還包括進(jìn)氣段，進(jìn)氣段連通第二腔室和出氣段，進(jìn)氣段的中心軸方向和出氣段的中心軸方向相同。

7、可以理解的是，第二腔室中的環(huán)境氣體可以依次經(jīng)進(jìn)氣段和出氣段進(jìn)入第一腔室內(nèi)。第一連接通道可以呈“i”型。

8、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，框體設(shè)有出氣通道，出氣通道連接第一腔室和框體的外部?；涂蝮w圍出第二連接通道，第二連接通道位于基座和出氣通道之間，第二連接通道連通第一腔室和第二腔室。

9、可以理解的是，出氣通道可以用于將反應(yīng)尾氣排出反應(yīng)腔室。

10、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接通道連通第二連接通道。

11、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接通道的寬度為g1，第二連接通道的寬度為g2，g1和g2的關(guān)系滿足：g1＞g2。

12、可以理解的是，在靠近出氣通道的一側(cè)，將第二連接通道，有利于環(huán)境氣體排出。

13、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，氣相沉積設(shè)備還包括第一凸塊和/或第二凸塊，第一凸塊連接于框體，且位于第一連接通道內(nèi)，第二凸塊連接于基座，且位于第一連接通道內(nèi)。

14、可以理解的是，第一凸塊和/或第二凸塊可以用于減少第一連接通道內(nèi)的環(huán)境氣體的流量，進(jìn)一步降低環(huán)境氣體對反應(yīng)氣體的流動的干擾，反應(yīng)氣體可以較平穩(wěn)的沿第一方向流動，進(jìn)而反應(yīng)氣體形成的薄膜結(jié)構(gòu)均勻，薄膜邊緣缺陷較少。

15、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，框體包括殼體和預(yù)熱環(huán)，預(yù)熱環(huán)可拆卸的連接于殼體，第一進(jìn)氣通道位于殼體，預(yù)熱環(huán)位于基座和殼體之間，預(yù)熱環(huán)和基座圍出第一連接通道。

16、可以理解的是，通過預(yù)熱環(huán)的延伸部與基座圍出第一連接通道的出氣段，一方面，可以減少環(huán)境氣體對反應(yīng)氣體流動的影響，另一方面，還可以有效的延長反應(yīng)氣體與預(yù)熱環(huán)的接觸時間，進(jìn)而可以對反應(yīng)氣體進(jìn)行充分的預(yù)熱，反應(yīng)氣體的熱穩(wěn)定性更好。此外，基座和預(yù)熱環(huán)圍出第一連接通道，在環(huán)境氣體流經(jīng)第一連接通道時，預(yù)熱環(huán)還可以對環(huán)境氣體加熱，避免溫度較低的環(huán)境氣體在與反應(yīng)氣體混合后，降低了混合氣體的整體溫度，導(dǎo)致反應(yīng)不完全。

17、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，預(yù)熱環(huán)包括本體部和延伸部，本體部連接于殼體的內(nèi)表面，延伸部凸設(shè)于本體部的內(nèi)側(cè)面，本體部的內(nèi)側(cè)面朝向基座，本體部和基座圍出第一連接通道的進(jìn)氣段，延伸部和基座圍出第一連接通道的出氣段。

18、可以理解的是，延伸部凸設(shè)于本體部的內(nèi)側(cè)面，反應(yīng)氣體流向基座的過程中，可以有效的延長反應(yīng)氣體與預(yù)熱環(huán)的接觸時間，進(jìn)而可以對反應(yīng)氣體進(jìn)行充分的預(yù)熱，反應(yīng)氣體的熱穩(wěn)定性更好。

19、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，延伸部位于基座的一側(cè)，基座的上表面朝向第一腔室，延伸部與基座的上表面相對且間隔設(shè)置，延伸部與基座的上表面圍出第一連接通道的出氣段。

20、可以理解的是，僅需要改變預(yù)熱環(huán)的結(jié)構(gòu)即實(shí)現(xiàn)預(yù)熱環(huán)與基座圍出第一連接通道，對氣相沉積設(shè)備的改動較小，且安裝方便。

21、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，延伸部位于基座和本體部之間，基座的周側(cè)面與基座的中心軸呈夾角設(shè)置，且朝向第一腔室，延伸部與基座的周側(cè)面圍出第一連接通道的出氣段。

22、可以理解的是，與延伸部位于基座朝向第一腔室的一側(cè)的方案相比，將延伸部設(shè)于基座和預(yù)熱環(huán)的本體部之間，可以減少預(yù)熱環(huán)的厚度，預(yù)熱環(huán)不會阻擋反應(yīng)氣體的沉積。

23、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，預(yù)熱環(huán)的頂面朝向第一腔室，沿基座的厚度方向，預(yù)熱環(huán)的頂面與基座的距離大于第一進(jìn)氣通道與基座之間的距離。預(yù)熱環(huán)設(shè)有第一通孔，第一通孔連通第一連接通道的出氣段和第一進(jìn)氣通道。

24、可以理解的是，反應(yīng)氣體可以經(jīng)第一進(jìn)氣通道、第一通孔進(jìn)入第一連接通道。與反應(yīng)氣體從本體部的頂面一側(cè)流過的方案相比，通過在預(yù)熱環(huán)的本體部設(shè)置第一通孔，進(jìn)而反應(yīng)氣體可以從第一通孔進(jìn)入第一連接通道內(nèi)，此時環(huán)境氣體也進(jìn)入第一連接通道內(nèi)，環(huán)境氣體可以與反應(yīng)氣體可以在第一連接通道內(nèi)先進(jìn)行混合，這樣可以更進(jìn)一步的降低環(huán)境氣體對反應(yīng)氣體的流向的影響，另外還有利于環(huán)境氣體與反應(yīng)氣體混合均勻。

25、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，預(yù)熱環(huán)和基座圍出第二連接通道，第二連接通道位于基座和出氣通道之間，第二連接通道連通第一腔室和第二腔室。

26、可以理解的是，預(yù)熱環(huán)可以對基座四周較均勻的加熱，反應(yīng)氣體的反應(yīng)比較完全。

27、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，出氣通道位于殼體，出氣通道連接第一腔室和殼體的外部，沿基座的厚度方向，預(yù)熱環(huán)的頂面到基座的距離大于出氣通道到基座的距離。預(yù)熱環(huán)設(shè)有第二通孔，第二通孔連通第二連接通道和出氣通道。

28、可以理解的是，反應(yīng)后的廢氣可以進(jìn)入第二連接通道內(nèi)，經(jīng)第二通孔和出氣通道排出第一腔室。第二腔室內(nèi)的環(huán)境氣體也可以通過第二連接通道進(jìn)入第一腔室內(nèi)。

29、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，框體包括框部以及凸部，凸部凸設(shè)于框部的內(nèi)表面?？虿颗c基座圍出第一連接通道的進(jìn)氣段，凸部和基座圍出第一連接通道的出氣段。

30、可以理解的是，基座也可以和其他的相鄰的結(jié)構(gòu)圍出第一連接通道。框體可以為氣相沉積設(shè)備的外殼。

31、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一連接通道的形狀呈“l(fā)”、“s”或“i”字型。

32、可以理解的是，第一連接通道的形狀可以為多種。

33、第二方面，本技術(shù)提供一種用于氣相沉積設(shè)備的預(yù)熱環(huán)。氣相沉積設(shè)備包括第一腔室和第二腔室，預(yù)熱環(huán)用于與氣相沉積設(shè)備的基座圍出第一連接通道，第一連接通道連通第一腔室和第二腔室。預(yù)熱環(huán)包括本體部和延伸部，延伸部凸設(shè)本體部的內(nèi)側(cè)面，本體部的內(nèi)側(cè)面朝向氣相沉積設(shè)備的基座，延伸部用于與氣相沉積設(shè)備的基座圍出第一連接通道的出氣段，出氣段的中心軸與氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)氣體的流向呈銳角設(shè)置或者方向相同，出氣段的出口朝向遠(yuǎn)離反應(yīng)氣體的進(jìn)氣側(cè)。

34、可以理解的是，出氣段的中心軸可以與第一進(jìn)氣通道的中心軸呈銳角設(shè)置或者方向相同，出氣段的出口朝向遠(yuǎn)離第一進(jìn)氣通道的一側(cè)。這樣在基座靠近第一進(jìn)氣通道的一側(cè)，環(huán)境氣體從第一連接通道進(jìn)入第一腔室時，環(huán)境氣體的流向與反應(yīng)氣體的流向之間夾角較小，從而環(huán)境氣體與反應(yīng)氣體混合時，對反應(yīng)氣體的流向影響較小，反應(yīng)氣體的流動較平穩(wěn)，沉積的薄膜邊緣的成膜質(zhì)量較佳。

35、通過預(yù)熱環(huán)的延伸部與基座圍出第一連接通道的出氣段，還可以有效的延長反應(yīng)氣體與預(yù)熱環(huán)的接觸時間，進(jìn)而可以對反應(yīng)氣體進(jìn)行充分的預(yù)熱，反應(yīng)氣體的熱穩(wěn)定性更好。

36、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本體部用于與氣相沉積設(shè)備的基座圍出第一連接通道的進(jìn)氣段，進(jìn)氣段的中軸線和出氣段的中軸線呈夾角設(shè)置。此時，第一連接通道可以呈“l(fā)”型。

37、一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本體部用于與氣相沉積設(shè)備的基座圍出第一連接通道的進(jìn)氣段，進(jìn)氣段的中軸線和出氣段的中軸線方向相同。此時，第一連接通道可以呈“i”型。

38、第三方面，本技術(shù)提供一種氣相沉積設(shè)備。氣相沉積設(shè)備包括基座、殼體以及預(yù)熱環(huán)，預(yù)熱環(huán)可拆卸連接于殼體，基座和預(yù)熱環(huán)位于殼體內(nèi)。

39、可以理解的是，氣相沉積設(shè)備中的反應(yīng)氣體的流動較平穩(wěn)，沉積的薄膜邊緣的成膜質(zhì)量較佳。