1.一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s2中轉(zhuǎn)速為10~15?rpm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s3中靶材為等摩爾比的tinbw合金，tinbw合金純度為99.5%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s3中基體固定臺與靶槍的距離為10~15cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s3中一定升溫速率為5℃/min~?15℃/min，一定溫度為750℃~1000?℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s4中氬氣流速為10~15?sccm；氮氣流速：氬氣流速=1:5~1:4。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s5中直流偏壓為85~120v，直流電壓的功率為109~127w，加載功率密度為0.6~0.7w/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟s5中磁控濺射的沉積速率為5~25?nm/min。
9.如權(quán)利要求1~8所述的方法制備得到的納米晶強化的耐高溫磨損氮化物涂層，其特征在于，涂層為單層，涂層包括ti、nb、w、n元素，涂層中包含fcc類tin結(jié)構(gòu)立方納米晶顆粒。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的耐高溫磨損氮化物涂層，其特征在于，所述耐高溫磨損氮化物涂層中ti的質(zhì)量分數(shù)為0.09~0.15、nb的質(zhì)量分數(shù)為0.16~0.25、w的質(zhì)量分數(shù)為0.44~0.56，其余為n元素。