掩膜板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器件的制作領域，尤其涉及一種掩膜板的制作方法。
【背景技術】
[0002]平板顯示器件或者半導體的制作涉及到在基底上形成薄膜圖案的過程。隨著顯示技術及半導體技術的發(fā)展，為了適應高分辨率、高像素密度(Pixel Per Inch)的要求，需要一種能夠將高分辨率圖案沉積或者轉移至基底的沉積掩膜板或光掩膜板。
[0003]平板顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。現(xiàn)有的平板顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，IXD)及有機電致發(fā)光顯示器件(Organic Light Emitting Display，0LED)。其中，OLED顯示器件不僅具有十分優(yōu)異的顯示性能，還具有自發(fā)光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現(xiàn)柔性顯示等特性，被譽為“夢幻顯示器”，得到了各大顯示器廠家的青睞，已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。
[0004]OLED顯示器件通常由陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的有機電致發(fā)光材料層構成，有機電致發(fā)光材料層又包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、及電子注入層。OLED顯示器件的發(fā)光機理是從陰、陽兩級分別注入電子和空穴，被注入的電子和空穴經傳輸在發(fā)光層內復合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減而發(fā)光。
[0005]制作OLED顯示器件通常需使用掩膜板將有機電致發(fā)光材料以真空熱蒸鍍的方式成膜于ITO陽極上，再將金屬陰極以真空熱蒸鍍的方式沉積上去。為了實現(xiàn)OLED顯示器件的高分辨率，需要減小有機電致發(fā)光材料層上各個像素的尺寸，因而也需要減小用于制備該有機電致發(fā)光材料層的掩膜板的開孔尺寸。一般情況下，上述開孔尺寸很小的掩膜板是使用一塊厚度為20微米?100微米的不銹鋼(SUS)合金或者因瓦(INVAR)合金板材，通過化學刻蝕的方式制作開孔。由于化學刻蝕的工藝條件限制，無法避免側蝕現(xiàn)象的發(fā)生，且無法達到將厚度大于20微米的金屬板材的開孔尺寸精度控制在2微米以內。
[0006]與化學刻蝕工藝相比，電鑄工藝可以避免側蝕、改善開孔尺寸精度，未來極有可能取代通過化學刻蝕金屬板材來制作掩膜板的方法，但通過電鑄工藝無法具有斜錐角(TaperAngle)的掩膜板，容易造成蒸鍍過程中對蒸鍍材料的遮擋，降低蒸鍍效率。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜板的制作方法，一方面能夠提高蒸鍍開孔的尺寸精度，一方面使蒸鍍開孔具有設計需要的斜錐角，減少對蒸鍍材料的遮擋，提高蒸鍍效率，使掩膜板更符合制程要求。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種掩膜板的制作方法，先采用電鑄工藝或物理氣相沉積工藝制作出初始掩膜板，該初始掩膜板具有多個呈陣列式排布的、開口尺寸等于蒸鍍所需的設計開孔尺寸的直孔通孔；再采用化學刻蝕工藝，對初始掩膜板的下表面及直孔通孔的內壁進行刻蝕，形成具有斜錐角的曲線形凹槽，該曲線形凹槽的開口尺寸自下而上逐漸減小至蒸鍍所需的設計開孔尺寸，從而制作出掩膜板。
[0009]所述的掩膜板的制作方法，包括如下步驟:
[0010]步驟1、提供一金屬基板，在所述金屬基板上涂覆一層光刻膠；
[0011]步驟2、對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠圖案；
[0012]所述光刻膠圖案包括多個呈陣列式排布的、相互間隔的直孔，每相鄰兩個直孔之間的間隔尺寸等于蒸鍍所需的開孔設計尺寸；
[0013]步驟3、采用電鑄工藝或物理氣相沉積藝在所述金屬基板上于光刻膠圖案的直孔內沉積一層掩膜材料；
[0014]步驟4、去除金屬基板和光刻膠圖案，得到初始掩膜板；
[0015]所述初始掩膜板具有多個呈陣列式排布的、開口尺寸等于蒸鍍所需的設計開孔尺寸的直孔通孔、及位于每相鄰兩個直孔通孔之間的擋墻；
[0016]步驟5、在初始掩膜板的上、下表面分別形成上光致刻蝕層圖案、下光致刻蝕層圖案；
[0017]所述上光致刻蝕層圖案完全覆蓋所述擋墻的上表面，所述下光致刻蝕層圖案僅覆蓋所述擋墻的下表面的中間部分；
[0018]步驟6、采用化學刻蝕工藝對初始掩膜板的下表面及直孔通孔的內壁進行刻蝕，形成具有斜錐角的曲線形凹槽；
[0019]該曲線形凹槽的開口尺寸自下而上逐漸減小至蒸鍍所需的設計開孔尺寸；
[0020]步驟7、去除所述上、下光致刻蝕層圖案，得到掩膜板。
[0021]所述步驟3中的掩膜材料為鎳、或鎳鐵合金。
[0022]所述步驟3采用電鑄工藝，將所述金屬基板連接負極，將掩膜材料作為正極，將含有掩膜材料金屬離子的溶液作為媒介。
[0023]所述掩膜板的厚度為20微米?100微米。
[0024]所述掩膜板的厚度為50微米。
[0025]所述曲線形凹槽的斜錐角小于63度。
[0026]所述曲線形凹槽的斜錐角為53度或56度。
[0027]所述曲線形凹槽呈倒扣的碗狀。
[0028]所述掩膜板應用于OLED顯示器件中有機電致發(fā)光材料的真空熱蒸鍍。
[0029]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種掩膜板的制作方法，先采用電鑄工藝或物理氣相沉積工藝制作出初始掩膜板，在初始掩膜板形成多個呈陣列式排布的、開口尺寸等于蒸鍍所需的設計開孔尺寸的直孔通孔；再采用化學刻蝕工藝，對初始掩膜板的下表面及直孔通孔的內壁進行刻蝕，形成具有斜錐角的曲線形凹槽，且使曲線形凹槽的開口尺寸自下而上逐漸減小至蒸鍍所需的設計開孔尺寸，從而制作出掩膜板，一方面能夠提高蒸鍍開孔的尺寸精度，一方面使蒸鍍開孔具有設計需要的斜錐角，減少對蒸鍍材料的遮擋，提高蒸鍍效率，使掩膜板更符合制程要求。
[0030]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0031]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0032]附圖中，
[0033]圖1為本發(fā)明掩膜板的制作方法的流程圖；
[0034]圖2為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟I的剖面示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟2的剖面示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟3的剖面示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟4的剖面示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟5的剖面示意圖；
[0039]圖7為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟6的剖面示意圖；
[0040]圖8為本發(fā)明掩膜板的制作方法的步驟7的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0041]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0042]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種掩膜板的制作方法，包括如下步驟:
[0043]步驟1、如圖2所示，提供一金屬基板I，在所述金屬基板I上涂覆一層光刻膠2’。
[0044]所述金屬基板I的表面比較光滑，如不銹鋼基板。
[0045]步驟2、如圖3所示，對所述光刻膠2’進行曝光、顯影，形成光刻膠圖案2。
[0046]具體的，所述光刻膠圖案2包括多個呈陣列式排布的、相互間隔的直孔21，所述直孔21暴露出金屬基板I的表面，每相鄰兩個直孔21之間的間隔尺寸等于蒸鍍所需的設計開孔尺寸W。
[0047]步驟3、如圖4所示，采用電鑄工藝或物理氣相沉積(Physical VaporDeposit1n, PVD)工藝在所述金屬基板I上于光刻膠圖案2的直孔21內沉積一層掩膜材料。
[0048]具體的，所述掩膜材料優(yōu)選為鎳、或鎳鐵合金。
[0049]優(yōu)選的，該步驟3采用電鑄工藝，將所述金屬基板I連接負極，將掩膜材料如鎳、或鎳鐵合金作為正極，將含有掩膜材料金屬離子的溶液如