1] 所述坩堝本體1底部具有一抬升結(jié)構(gòu)11，通過所述抬升結(jié)構(gòu)11抬升坩堝內(nèi)OLED 材料3最低液面的高度。所述抬升結(jié)構(gòu)11的頂面到坩堝本體1底面的高度H大于或等于坩 堝內(nèi)OLED材料3正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，該抬升結(jié)構(gòu)11的頂面形成坩堝容置OLED 材料的底面，使得OLED材料3在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。
[0032] 在該第一實(shí)施例中，所述抬升結(jié)構(gòu)11為自坩堝本體1自身的底面向上延伸形成的 凸起部，通過降低坩堝本體1自身的挖掘深度來實(shí)現(xiàn)。
[0033] 使用本發(fā)明的坩堝進(jìn)行蒸鍍，設(shè)OLED材料3最低液面的溫度tl、0LED材料3液面 的蒸發(fā)溫度為t2、坩堝本體1頂部的溫度為t3、OLED材料的裂解溫度為T，當(dāng)OLED材料3 的液面高度較高時(shí)，由于坩堝本體1的上、下溫度有差異，一般T>t3>t2>tl。隨著蒸鍍過程 的進(jìn)行，OLED材料3不斷蒸發(fā)、消耗，要保持一定的蒸鍍速率，OLED材料3液面的蒸發(fā)溫度 t2也越來越高，當(dāng)OLED材料3消耗至其最低液面的高度為H時(shí)，坩堝本體1頂部的材料臨 近裂解，但由于抬升結(jié)構(gòu)11已將OLED材料3的最低液面抬升至H，在OLED材料裂解前，坩 堝1本體內(nèi)部的OLED材料3已經(jīng)蒸發(fā)、消耗完畢。
[0034] 如圖8所示，經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，采用抬升結(jié)構(gòu)11將OLED材料3最低液面的高度抬升后， 坩堝本體1內(nèi)的OLED材料僅為5g，蒸鍍速率穩(wěn)定在〇.3A/s時(shí)，仍保持OLED材料的裂解溫 度T>坩堝本體1頂部的溫度t3>0LED材料3液面的蒸發(fā)溫度t2>0LED材料3最低液面的溫 度tl，OLED材料3液面的蒸發(fā)溫度t2穩(wěn)定在377+2°C，直至OLED材料3全部正常蒸發(fā)完， 坩堝本體1頂部的溫度t3仍處于安全溫度范圍內(nèi)，從而能夠使得OLED材料3在低于裂解 溫度的溫度下全部蒸出，解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題， 使得蒸鍍過程穩(wěn)定運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。一般情況下，所述抬升結(jié)構(gòu)11能夠使 得坩堝內(nèi)OLED材料3在低于裂解溫度8°C -15°C的溫度下全部蒸出，優(yōu)選的，通過調(diào)整所述 抬升結(jié)構(gòu)11的高度，使坩堝內(nèi)OLED材料3在低于裂解溫度10°C的溫度下全部蒸出。
[0035] 請參閱圖5,為本發(fā)明防止OLED材料裂解的坩堝的第二實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖。該第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同在于，所述抬升結(jié)構(gòu)11為通過焊接的方式固設(shè)于坩 堝本體1底部的架空的金屬板。該金屬板形成坩堝容置OLED材料的底面。其余的結(jié)構(gòu)及 抬升結(jié)構(gòu)11所起的作用與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0036] 請參閱圖6,為本發(fā)明防止OLED材料裂解的坩堝的第三實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖。該第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同在于，所述抬升結(jié)構(gòu)11包括填充于坩堝本體1底部 的導(dǎo)熱性好的填充材料111及設(shè)于填充材料111上的底板113。該底板113形成坩堝容置 OLED材料的底面。其余的結(jié)構(gòu)及抬升結(jié)構(gòu)11所起的作用與第一實(shí)施例相同，此處不再贅 述。
[0037] 請參閱圖7,為本發(fā)明防止OLED材料裂解的坩堝的第四實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖。該第四實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同在于，所述抬升結(jié)構(gòu)11包括設(shè)置于坩堝本體1底部 的導(dǎo)熱性支架115及設(shè)于支架115上的底板117。該底板117形成坩堝容置OLED材料的底 面。其余的結(jié)構(gòu)及抬升結(jié)構(gòu)11所起的作用與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0038] 綜上所述，本發(fā)明的防止OLED材料裂解的坩堝，通過在坩堝本體底部設(shè)置能夠抬 升OLED材料最低液面高度的抬升結(jié)構(gòu)，能夠使得OLED材料在低于裂解溫度的溫度下全部 蒸出，解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定 運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。
[0039] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，包括一用于容納OLED材料（3)的坩堝 本體（1)、及蓋設(shè)于所述坩堝本體（1)開口端的蓋子（2);所述坩堝本體（1)底部具有一抬 升結(jié)構(gòu)（11)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)（11)抬升坩堝內(nèi)OLED材料（3)最低液面的高度。
2. 如權(quán)利要求1所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬升結(jié)構(gòu)（11)的 頂面到坩堝本體（1)底面的高度（H)大于或等于坩堝內(nèi)OLED材料（3)正常蒸發(fā)允許的最 低液面高度，使得OLED材料（3)在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。
3. 如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬升結(jié)構(gòu)（11)為 自坩堝本體（1)自身的底面向上延伸形成的凸起部，通過降低坩堝本體（1)自身的挖掘深 度來實(shí)現(xiàn)。
4. 如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬升結(jié)構(gòu)（11)為 固設(shè)于坩堝本體（1)底部的架空的金屬板。
5. 如權(quán)利要求4所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述金屬板通過焊接 固設(shè)于坩堝本體（1)底部。
6. 如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬升結(jié)構(gòu)（11)包 括填充于坩堝本體（1)底部的導(dǎo)熱性好的填充材料（111)及設(shè)于填充材料（111)上的底板 (113)〇
7. 如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，所述抬升結(jié)構(gòu)（11)包 括設(shè)置于坩堝本體（1)底部的導(dǎo)熱性支架（115)及設(shè)于支架（115)上的底板（117)。
8. 如權(quán)利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，通過所述抬升結(jié)構(gòu) (11)能夠使得坩堝內(nèi)OLED材料（3)在低于裂解溫度8°C _15°C的溫度下全部蒸出。
9. 如權(quán)利要求8所述的防止OLED材料裂解的坩堝，其特征在于，通過所述抬升結(jié)構(gòu) (11)能夠使得坩堝內(nèi)OLED材料（3)在低于裂解溫度10°C的溫度下全部蒸出。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種防止OLED材料裂解的坩堝，包括一用于容納OLED材料(3)的坩堝本體(1)、及蓋設(shè)于所述坩堝本體(1)開口端的蓋子(2)；所述坩堝本體(1)底部具有一抬升結(jié)構(gòu)(11)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)(11)抬升坩堝內(nèi)OLED材料(3)最低液面的高度，使得OLED材料(3)在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。本發(fā)明能夠解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的OLED材料容易裂解及材料浪費(fèi)的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定運(yùn)行，保證OLED顯示器件的品質(zhì)。
【IPC分類】C23C14-24
【公開號(hào)】CN104593730
【申請?zhí)枴緾N201410818147
【發(fā)明人】匡友元, 郝鵬
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年12月24日