Co、Cu的附著量為0? 03 mg/cm2以上。
[0035] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述最表層（A層）的厚度為 0. 01 ~0. 1 u m。
[0036] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述最表層（A層）的Sn、In的附 著量為7~75 iig/cm2。
[0037] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述中層（B層）的厚度超過0.3 U m且為0? 6 u m以下。
[0038] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述中層（B層）的Ag、Au、Pt、Pd、 Ru、Rh、0s、Ir 的附著量超過 330 iig/cm2且為 660 iig/cm2以下。
[0039] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述下層（C層）的表面的維氏硬 度Hv為300以上。
[0040] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述下層（C層）的表面的維氏硬 度與厚度滿足下述式： 維氏硬度（Hv)彡-376. 22Ln (厚度 ilm) + 86. 411。
[0041] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，通過超微小硬度試驗(yàn)以載荷 980. 7 mN、載荷保持時(shí)間15秒對(duì)上述下層（C層）的表面壓入壓頭進(jìn)行測(cè)定而得的硬度，即 上述下層（C層）的表面的壓痕硬度為2500 MPa以上。
[0042] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述下層（C層）的表面的壓痕硬 度與厚度滿足下述式： 壓痕硬度（MPa)彡-3998.4Ln (厚度 iim) + 1178.9。
[0043] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述下層（C層）的表面的維氏硬 度Hv為1000以下。
[0044] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，通過超微小硬度試驗(yàn)以載荷 980. 7 mN、載荷保持時(shí)間15秒對(duì)上述下層（C層）的表面壓入壓頭進(jìn)行測(cè)定而得的硬度，即 上述下層（C層）的表面的壓痕硬度為10000 MPa以下。
[0045] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述基材為金屬基材，且上述金 屬基材的表面的維氏硬度Hv為90以上。
[0046] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述基材為金屬基材，且通過超 微小硬度試驗(yàn)以載荷980. 7 mN、載荷保持時(shí)間15秒對(duì)上述金屬基材的表面壓入壓頭進(jìn)行 測(cè)定而得的硬度，即上述金屬基材的表面的壓痕硬度為1〇〇〇 MPa以上。
[0047] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述基材為金屬基材，且通過依 照J(rèn)IS C 2241對(duì)上述金屬基材的軋制平行方向?qū)⒗焖俣仍O(shè)為50 mm/min進(jìn)行拉伸試驗(yàn) 而測(cè)定的上述金屬基材的伸長(zhǎng)率為5%以上。
[0048] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，上述基材為金屬基材，且依照日 本伸銅協(xié)會(huì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（JCBA，Japan Copper and Brass Association)T307進(jìn)行W彎曲試驗(yàn) 時(shí)上述金屬材料未發(fā)生斷裂的最小彎曲半徑（MBR，Minimum Bend Radius )與上述金屬材 料厚度（t)的比，即最小彎曲半徑比（MBR/t)為3以下。
[0049] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，通過XPS (X射線光電子光譜） 的Survey (測(cè)量）測(cè)定而進(jìn)行上述最表層（A層）的表面的元素分析時(shí)，Sn、In為2 at%以 上。
[0050] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，通過XPS (X射線光電子光譜）的 Survey測(cè)定而進(jìn)行上述最表層（A層）的表面的元素分析時(shí)，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir 低于7 at%。
[0051] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料在另一實(shí)施例中，通過XPS (X射線光電子光譜）的 Survey測(cè)定而進(jìn)行上述最表層（A層）的表面的元素分析時(shí)，0低于50 at%。
[0052] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種連接器端子，其在接點(diǎn)部分使用了本發(fā)明的電子零件 用金屬材料。
[0053] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種連接器，其使用了本發(fā)明的連接器端子。
[0054] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種FFC (Flat Flexible Cable，帶狀撓性電纜)端子，其 在接點(diǎn)部分使用了本發(fā)明的電子零件用金屬材料。
[0055] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種FPC (Flexible Printed Circuit,撓性印刷電路)端 子，其在接點(diǎn)部分使用了本發(fā)明的電子零件用金屬材料。
[0056] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種FFC，其使用了本發(fā)明的FFC端子。
[0057] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種FPC，其使用了本發(fā)明的FPC端子。
[0058] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種電子零件，其是在外部連接用電極使用了本發(fā)明的電 子零件用金屬材料。
[0059] 本發(fā)明在另一側(cè)面中是一種電子零件用金屬材料的制造方法，其包含通過利用濕 式鍍敷的表面處理而分別形成上述最表層（A層）及上述中層（B層）的步驟。
[0060] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在一實(shí)施方式中，上述濕式鍍敷的方法 為電鍍。
[0061] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在另一實(shí)施方式中，通過使用酸性鍍敷 液的鍍敷處理而形成上述最表層（A層)。
[0062] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在另一實(shí)施方式中，通過使用含氰鍍敷 液的鍍敷處理而形成上述中層（B層)。
[0063] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在另一實(shí)施方式中，包含通過使用氨基 磺酸浴或瓦特浴的鍍敷處理而形成上述下層（C層）的步驟。
[0064] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在另一實(shí)施方式中，上述氨基磺酸浴及 上述瓦特浴中所使用的鍍敷液為光澤Ni鍍敷液。
[0065] 本發(fā)明的電子零件用金屬材料的制造方法在另一實(shí)施方式中，在用以形成上述下 層（C層）的鍍敷液中含有糖精作為添加劑。
[0066] 發(fā)明效果 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種具有低插拔性、低晶須性及高耐久性的電子零件用金屬材料 及其制造方法。
【附圖說明】
[0067] 圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電子零件用金屬材料的構(gòu)成的示意圖。
[0068] 圖2是實(shí)施例3的XPS (X射線光電子光譜）的D印th測(cè)定結(jié)果。
[0069] 圖3是實(shí)施例3的XPS (X射線光電子光譜）的Survey測(cè)定結(jié)果。
【具體實(shí)施方式】
[0070] 以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子零件用金屬材料進(jìn)行說明。如圖1所示，實(shí)施方 式的電子零件用金屬材料10是在基材11的表面形成下層（C層）12,在下層（C層）12的表 面形成中層（B層）13,在中層（B層）13的表面形成最表層（A層）14。另外，在基材11的表 面未形成下層（C層）12,而在基材11的表面形成中層（B層）13,在中層（B層）13的表面形 成最表層（A層）14的材料也為本發(fā)明的實(shí)施方式的電子零件用金屬材料。
[0071] <電子零件用金屬材料的構(gòu)成> (基材） 作為基材11，并無特別限定，例如可使用銅及銅合金、Fe系材料、不繡鋼、鈦及鈦合金、 鋁及鋁合金等金屬基材。另外，也可為金屬基材上復(fù)合有樹脂層者。所謂金屬基材上復(fù)合 有樹脂層者，作為例子，有FPC或FFC基材上的電極部分等。
[0072] 基材11的維氏硬度優(yōu)選為Hv90以上。若基材11的維氏硬度為Hv90以上，則因 較硬的基材而使薄膜潤(rùn)滑效果提高，插拔性會(huì)進(jìn)一步降低。
[0073]基材11的壓痕硬度優(yōu)選為1000 MPa以上。若基材11的壓痕硬度為1000 MPa以 上，則因較硬的基材而使薄膜潤(rùn)滑效果提高，插拔性會(huì)進(jìn)一步降低。
[0074] 基材11的伸長(zhǎng)率優(yōu)選為5%以上。若基材11的伸長(zhǎng)率為5%以上，則彎曲加工性 會(huì)提高，在對(duì)本發(fā)明的電子零件用金屬材料進(jìn)行壓制成形的情況下，已成形的部分不易產(chǎn) 生龜裂，抑制耐氣體腐蝕性(耐久性）的降低。
[0075] 對(duì)基材11進(jìn)行W彎曲試驗(yàn)時(shí)的最小彎曲半徑比（MBR/t)優(yōu)選為3以下。若基材 11的最小彎曲半徑比（MBR/t)為3以下，則彎曲加工性提高，在對(duì)本發(fā)明的電子零件用金屬 材料進(jìn)行壓制成形的情況下，已成形的部分不易產(chǎn)生龜裂，抑制耐氣體腐蝕性(耐久性）的 降低。
[0076](最表層（A層）） 最表層（A層）14必需為Sn、In或它們的合金。Sn及In為具有氧化性的金屬，具有在 金屬中相對(duì)較軟的特征。因此，即使在Sn及In表面形成氧化膜，例如將電子零件用金屬材 料作為接點(diǎn)材料而使公端子與母端子嵌合時(shí)，也容易去除氧化膜，Sn及In的新生面露出， 而使接點(diǎn)均為金屬，因此獲得低接觸電阻。
[0077] 另外，Sn及In對(duì)氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等氣體的耐氣體腐蝕性優(yōu)異，例如 在中層（B層）13使用耐氣體腐蝕性差的Ag、下層（C層）12使用耐氣體腐蝕性差的Ni、基材 11使用耐氣體腐蝕性差的銅及銅合金的情況下，會(huì)有使電子零件用金屬材料的耐氣體腐蝕 性提高的作用。需要說明的是，Sn及In中，基于厚生勞動(dòng)省的防止健康障礙相關(guān)的技術(shù)指 南，In的限制較嚴(yán)格，因此優(yōu)選為Sn。
[0078]最表層（A層）14的組成也可為Sn、In或Sn與In的合計(jì)為50質(zhì)量％以上，其余 合金成分由選自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W、Zn 所組成的組中 的1種或2種以上金屬而構(gòu)成。通過使最表層（A層）14的組成為合金(例如實(shí)施Sn-Ag鍍 敷)，存在使低插拔性、低晶須性及耐久性(耐熱性、耐氣體腐蝕性、焊料潤(rùn)濕性等）等進(jìn)一步 提商的情況。
[0079] 最表層（A層）14的厚度必需為0.002~0.2 iim。最表層（A層）14的厚度優(yōu)選 為0.01~0.1 iim。若最表層（A層）14的厚度低于0.002 iim，則無法獲得充分的耐氣體 腐蝕性，當(dāng)對(duì)電子零件用金屬材料進(jìn)行氯氣、亞硫酸氣體、硫化氫氣體等的氣體腐蝕試驗(yàn)時(shí) 會(huì)被腐蝕，而與氣體腐蝕試驗(yàn)前相比接觸電阻大幅增加。為獲得更充分的耐氣體腐蝕性，優(yōu) 選為0.01 ym以上的厚度。另外，若厚度變大，則Sn或In的粘著磨損變大，插拔力變大， 也容易產(chǎn)生晶須。為獲得更充分的低插拔性、低晶須性，設(shè)為0.2 以下。更優(yōu)選為0.1 以下。需要說明的是，若將厚度設(shè)為0.1 以下則不會(huì)產(chǎn)生晶須。晶須是因發(fā)生螺 旋差排（screw dislocation)而產(chǎn)生，但要發(fā)生螺